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Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 6,7A; 3,1W; SO8

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Produktinformationen

Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 6,7A; 3,1W; SO8

Artikel-Nr.:
8WUGW-SI9926CDY-E3

Hersteller:
Vishay

Herst.-Nr.:
SI9926CDY-T1-E3

EAN/GTIN:
k.A.

Suchbegriffe:

MOSFET
MOSFET-Transistor
SMD-Transistor
Schalttransistor

Hersteller: VISHAY
Montage: SMD
Gehäuse: SO8
Drain-Source Spannung: 20V
Drainstrom: 6,7A
Widerstand im Leitungszustand: 22mΩ
Transistor-Typ: N-MOSFET x2
Verlustleistung: 3,1W
Polarisierung: unipolar
Gate-Ladung: 33nC
Kanal-Art: stark
Gate-Source Spannung: ±12V

... > Transistoren > FET-Transistoren > Multikanaltransistoren

Weitere Suchbegriffe: Transistor, mosfet vishay, smd transistor

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