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Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 19A; Idm: 76A; 202W


Menge:  Stück  
Produktinformationen
Detailbild zum Produkt - kann vom Original abweichen
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Artikel-Nr.:
     8WUGW-SIHH28N60E-T1-GE3
Hersteller:
     Vishay
Herst.-Nr.:
     SIHH28N60E-T1-GE3
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
Leistungs-MOSFET
MOSFET
MOSFET-Transistor
SMD-Transistor
Hersteller: VISHAY
Montage: SMD
Gehäuse: PowerPAK® 8x8L
Drain-Source Spannung: 600V
Drainstrom: 19A
Widerstand im Leitungszustand: 98mΩ
Transistor-Typ: N-MOSFET
Verlustleistung: 202W
Polarisierung: unipolar
Verpackungs-Art: Band;Rolle
Gate-Ladung: 129nC
Kanal-Art: stark
Gate-Source Spannung: ±30V
Drainstrom im Impuls: 76A
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