Kategorien
Mein Mercateo
Anmelden / Registrieren
Warenkorb
 
 

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 10A; Idm: 45A; 208W; TO220AB


Menge:  Stück  
Produktinformationen
Detailbild zum Produkt - kann vom Original abweichen
Detailbild zum Produkt - kann vom Original abweichen
Artikel-Nr.:
     8WUGW-SIHP17N80E-GE3
Hersteller:
     Vishay
Herst.-Nr.:
     SIHP17N80E-GE3
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
Leistungs-MOSFET
MOSFET
MOSFET-Transistor
Schalttransistor
Hersteller: VISHAY
Montage: THT
Gehäuse: TO220AB
Drain-Source Spannung: 800V
Drainstrom: 10A
Widerstand im Leitungszustand: 0,29Ω
Transistor-Typ: N-MOSFET
Verlustleistung: 208W
Polarisierung: unipolar
Verpackungs-Art: Tube
Gate-Ladung: 122nC
Kanal-Art: stark
Gate-Source Spannung: ±30V
Drainstrom im Impuls: 45A
Weitere Suchbegriffe: Transistor, mosfet vishay, leistungs-mosfet
Angebote (2)
Lagerstand
Versand
Staffelpreis
Einzelpreis
^
3 Tage
998
€ 7,95*
ab € 2,53*
€ 4,88*
Lager 8WUGW
€ 7,90*
ab € 3,55*
€ 6,92*
Preise: Lager 8WUGW
Bestellmenge
Netto
Brutto
Einheit
1 Stück
€ 6,92*
€ 8,30
pro Stück
ab 5 Stück
€ 6,08*
€ 7,30
pro Stück
ab 10 Stück
€ 5,90*
€ 7,08
pro Stück
ab 20 Stück
€ 5,63*
€ 6,76
pro Stück
ab 25 Stück
€ 4,97*
€ 5,96
pro Stück
ab 50 Stück
€ 4,71*
€ 5,65
pro Stück
ab 100 Stück
€ 4,25*
€ 5,10
pro Stück
ab 500 Stück
€ 4,20*
€ 5,04
pro Stück
ab 7500 Stück
€ 3,55*
€ 4,26
pro Stück
Lagerstand: Lager 8WUGW
Versand: Lager 8WUGW
Lassen Sie sich detailliertere Lagerstands-Informationen anzeigen.
Bestellwert
Versand
ab € 0,00*
€ 7,90*
Rückgaberechte für diesen Artikel: Lager 8WUGW
Dieser Artikel ist von der Stornierung, dem Umtausch und der Rückgabe ausgeschlossen.
Die Gewährleistungsfrist laut AGB bleibt unabhängig der angegebenen Rückgaberechte bestehen.
* Preise mit Sternchen sind Nettopreise zzgl. gesetzlich gültiger MwSt.
UVP bedeutet „Unverbindliche Preisempfehlung“
Unser Angebot richtet sich ausschließlich an Unternehmen, Gewerbetreibende und Freiberufler.