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Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 40V; 80A; Idm: 200A


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Produktinformationen
Vishay N-Kanal TrenchFET Power MOSFET, 40 V, 80 A, PowerPAK SO-8L, SIJ438DP-T1-G
Vishay N-Kanal TrenchFET Power MOSFET, 40 V, 80 A, PowerPAK SO-8L, SIJ438DP-T1-G
Artikel-Nr.:
     8WUGW-SIJ438DP-T1-GE3
Hersteller:
     Vishay
Herst.-Nr.:
     SIJ438DP-T1-GE3
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
Feldeffekttransistor
MOSFET
MOSFET-Transistor
SMD-Transistor
Hersteller: VISHAY
Montage: SMD
Drain-Source Spannung: 40V
Drainstrom: 80A
Widerstand im Leitungszustand: 1,75mΩ
Transistor-Typ: N-MOSFET
Verlustleistung: 69,4W
Polarisierung: unipolar
Verpackungs-Art: Band;Rolle
Gate-Ladung: 182nC
Technologie: TrenchFET®
Kanal-Art: stark
Drainstrom im Impuls: 200A
Weitere Suchbegriffe: mosfet vishay, feldeffekttransistor
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