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Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -15A; 128W; PG-TO252-3


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Produktinformationen:
Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -15A; 128W; PG-TO252-3
Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -15A; 128W; PG-TO252-3
Artikel-Nr.:
     8WUGW-SPD15P10PGBTMA1
Hersteller:
     Infineon
Herst.-Nr.:
     SPD15P10PGBTMA1
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
Leistungstransistor
MOSFET
MOSFET-Transistor
Schalttransistor
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Montage: SMD
Gehäuse: PG-TO252-3
Drain-Source Spannung: -100V
Drainstrom: -15A
Widerstand im Leitungszustand: 0,24Ω
Transistor-Typ: P-MOSFET
Verlustleistung: 128W
Polarisierung: unipolar
Technologie: SIPMOS™
Kanal-Art: stark
Gate-Source Spannung: ±20V
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