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Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 2,9A; Idm: 16A; 1W; SOT23


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Produktinformationen
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 2,9A; Idm: 16A; 1W; SOT23
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 2,9A; Idm: 16A; 1W; SOT23
Artikel-Nr.:
     8WUGW-ZXMN3B14FTA
Hersteller:
     Diodes
Herst.-Nr.:
     ZXMN3B14FTA
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
MOSFET
MOSFET-Transistor
SMD-Transistor
Schalttransistor
Hersteller: DIODES INCORPORATED
Montage: SMD
Gehäuse: SOT23
Drain-Source Spannung: 30V
Drainstrom: 2,9A
Widerstand im Leitungszustand: 80mΩ
Transistor-Typ: N-MOSFET
Verlustleistung: 1W
Polarisierung: unipolar
Verpackungs-Art: Band;Rolle
Kanal-Art: stark
Gate-Source Spannung: ±12V
Drainstrom im Impuls: 16A
Weitere Suchbegriffe: Transistor, diodes mosfet, smd transistor
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