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Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 6,2A; 2W; SOT223


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Produktinformationen
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 6,2A; 2W; SOT223
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 6,2A; 2W; SOT223
Artikel-Nr.:
     8WUGW-ZXMN6A09GTA
Hersteller:
     Diodes
Herst.-Nr.:
     ZXMN6A09GTA
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
MOSFET
MOSFET-Transistor
SMD-Transistor
Schalttransistor
Hersteller: DIODES INCORPORATED
Montage: SMD
Gehäuse: SOT223
Drain-Source Spannung: 60V
Drainstrom: 6,2A
Widerstand im Leitungszustand: 60mΩ
Transistor-Typ: N-MOSFET
Verlustleistung: 2W
Polarisierung: unipolar
Verpackungs-Art: Band;Rolle
Kanal-Art: stark
Gate-Source Spannung: ±20V
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