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Infineon IPB019N08N3 G Transistor 30 V


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Produktinformationen
Infineon IPB019N08N3 G Transistor 30 V
Infineon IPB019N08N3 G Transistor 30 V
Artikel-Nr.:
     CIDE8-79087011
Hersteller:
     Infineon
Herst.-Nr.:
     IPB019N08N3GATMA1
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
Dual Transistor
Leistungs-MOSFET
MOSFET
MOSFET-Transistor
Weitere Informationen:
Merkmale
Spannung
30 V
Leistung
300 W
Widerstand
0.012 mΩ
Betriebstemperatur
-55 - 175 °C
Zertifizierung
RoHs
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