IGBT bei Mercateo günstig kaufen (Seite 153/169)

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Optokoppler; SMD; Ch: 1; OUT: Steuerung IGBT; 5kV; SO16L; 25kV/μs (1 Angebot)

Hersteller: TOSHIBA Montage: SMD Gehäuse: SO16L Anzahl Kanäle: 1 Ausgangs-Art: Steuerung IGBT Isolationsspannung: 5kV Auslösestrom: 3,5mA Geschwindigkeit des Spannungsanstiegs: 25kV/μs Typ des Opto...

Toshiba

TLP5231(E(O

ab € 3,65*
pro Stück

Infineon IGBT ±20V max., 1700 V AG-62MMHB-411 (2 Angebote)

Kollektor-Emitter-Spannung = 1700 V Gate-Source Spannung max. = ±20V Gehäusegröße = AG-62MMHB-411

Infineon

FF500R17KE4BOSA1

ab € 224,08*
pro Stück

Transistor: IGBT; 1,2kV; 15A; 259W; TO247-3 (1 Angebot)

Hersteller: STMicroelectronics Montage: THT Gehäuse: TO247-3 Kollektor-Emitter-Spannung: 1,2kV Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 15A Kollektorstrom im Impuls: 60A Transistor-Ty...

ST Microelectronics

STGW15H120DF2

ab € 2,20*
pro Stück

Infineon IGBT ±20V max., 1200 V 105 W AG-ECONO2C-311 (1 Angebot)

Kollektor-Emitter-Spannung = 1200 V Gate-Source Spannung max. = ±20V Verlustleistung max. = 105 W Gehäusegröße = AG-ECONO2C-311

Infineon

FP15R12KE3GBPSA1

ab € 54,49*
pro Stück

Infineon IGBT ±20V max., 600 V AG-ECONO2C-311 (1 Angebot)

Kollektor-Emitter-Spannung = 600 V Gate-Source Spannung max. = ±20V Gehäusegröße = AG-ECONO2C-311

Infineon

FP30R06KE3BPSA1

ab € 60,92*
pro Stück

Optokoppler; SMD; Ch: 1; OUT: Steuerung IGBT; UIsol: 5kV; Uce: 30V (1 Angebot)

Hersteller: TOSHIBA Montage: SMD Gehäuse: SDIP6 Kollektor-Emitter-Spannung: 30V Anschaltzeit: 50ns Ausschaltzeit: 50ns Anzahl Kanäle: 1 Ausgangs-Art: Steuerung IGBT Isolationsspannung: 5kV Geschwin...

Toshiba

TLP701H(TP.F)

ab € 0,77*
pro Stück

Transistor: IGBT; 1,2kV; 25A; 375W; TO247-3 (1 Angebot)

Hersteller: STMicroelectronics Montage: THT Gehäuse: TO247-3 Kollektor-Emitter-Spannung: 1,2kV Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 25A Kollektorstrom im Impuls: 100A Transistor-T...

ST Microelectronics

STGWA25H120F2

ab € 2,01*
pro Stück

Infineon IGBT ±20V max., 1200 V 210 W AG-ECONO2C-311 (1 Angebot)

Kollektor-Emitter-Spannung = 1200 V Gate-Source Spannung max. = ±20V Verlustleistung max. = 210 W Gehäusegröße = AG-ECONO2C-311

Infineon

FP40R12KE3BPSA1

ab € 81,60*
pro Stück

Transistor: IGBT; 1,2kV; 40A; 468W; TO247-3 (1 Angebot)

Hersteller: STMicroelectronics Montage: THT Gehäuse: TO247-3 Kollektor-Emitter-Spannung: 1,2kV Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 40A Kollektorstrom im Impuls: 160A Transistor-T...

ST Microelectronics

STGWA40M120DF3

ab € 3,95*
pro Stück

Infineon IGBT ±20V max., 600 V PG-TO252-3 (1 Angebot)

Kollektor-Emitter-Spannung = 600 V Gate-Source Spannung max. = ±20V Gehäusegröße = PG-TO252-3

Infineon

IKD06N60RC2ATMA1

ab € 0,61*
pro Stück

Transistor: IGBT x4; 2,5kV; 4A; 100W; SMPD; Topologie: Brücke H (1 Angebot)

Hersteller: IXYS Montage: SMD Gehäuse: SMPD Kollektor-Emitter-Spannung: 2,5kV Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 4A Kollektorstrom im Impuls: 105A Anschaltzeit: 217ns Ausschaltz...

IXYS

MMIX4G20N250

ab € 66,49*
pro Stück