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  IGBT  (2.521 Angebote unter 17.323.622 Artikeln)Zum Expertenwissen

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"IGBT"

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Transistor: IGBT; 1200V; 33A; 297W; TO247-3 (1 Angebot) 
Hersteller: MICROCHIP (MICROSEMI) Montage: THT Gehäuse: TO247-3 Kollektor-Emitter-Spannung: 1,2kV Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 33A Kollektorstrom im Impuls: 104A Anschaltz...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT33GF120BRG
ab € 11,80*
pro Stück
 
 Stück
Infineon IGBT / 30 A 20V max. , 1350 V 330 W, 3-Pin TO-247 N-Kanal (1 Angebot) 
Dauer-Kollektorstrom max. = 30 A Kollektor-Emitter-Spannung = 1350 V Gate-Source Spannung max. = 20V Anzahl an Transistoren = 1 Gehäusegröße = TO-247 Channel-Typ = N Pinanzahl = 3
Infineon
IHW30N135R5XKSA1
ab € 2,38*
pro Stück
 
 Stück
Transistor: IGBT; 1200V; 25A; 347W; TO247-3 (1 Angebot) 
Hersteller: MICROCHIP (MICROSEMI) Montage: THT Gehäuse: TO247-3 Kollektor-Emitter-Spannung: 1,2kV Gate - Emitter Spannung: ±30V Kollektor-Emitter-Strom: 25A Kollektorstrom im Impuls: 75A Anschaltze...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT25GT120BRDQ2G
ab € 10,52*
pro Stück
 
 Stück
Infineon IGBT / 30 A ±20V max., 1200 V 110 W, 3-Pin TO-247 N-Kanal (1 Angebot) 
Dauer-Kollektorstrom max. = 30 A Kollektor-Emitter-Spannung = 1200 V Gate-Source Spannung max. = ±20V Verlustleistung max. = 110 W Gehäusegröße = TO-247 Montage-Typ = THT Channel-Typ = N Pinanzahl ...
Infineon
IGW15T120FKSA1
ab € 78,18*
pro 30 Stück
 
 Packung
Transistor: IGBT; 1200V; 25A; 347W; TO247-3 (1 Angebot) 
Hersteller: MICROCHIP (MICROSEMI) Montage: THT Gehäuse: TO247-3 Kollektor-Emitter-Spannung: 1,2kV Gate - Emitter Spannung: ±30V Kollektor-Emitter-Strom: 25A Kollektorstrom im Impuls: 75A Anschaltze...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT25GT120BRG
ab € 5,84*
pro Stück
 
 Stück
Infineon IGBT / 30 A 25 V, ±20 V max., 1200 V 200 W, 3-Pin PG-TO247-3 (1 Angebot) 
Dauer-Kollektorstrom max. = 30 A Kollektor-Emitter-Spannung = 1200 V Gate-Source Spannung max. = 25 V, ±20 V Verlustleistung max. = 200 W Gehäusegröße = PG-TO247-3 Pinanzahl = 3 Der bipolare Transi...
Infineon
IKW15N120BH6XKSA1
ab € 2,04*
pro Stück
 
 Stück
Transistor: IGBT; 1200V; 40A; 500W; D3PAK (1 Angebot) 
Hersteller: MICROCHIP (MICROSEMI) Montage: SMD Gehäuse: D3PAK Kollektor-Emitter-Spannung: 1,2kV Gate - Emitter Spannung: ±30V Kollektor-Emitter-Strom: 40A Kollektorstrom im Impuls: 160A Anschaltzei...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT40GR120S
ab € 10,84*
pro Stück
 
 Stück
Infineon IGBT / 30 A 20V max., 650 V 185 W PG-TO247-3 (1 Angebot) 
Dauer-Kollektorstrom max. = 30 A Kollektor-Emitter-Spannung = 650 V Gate-Source Spannung max. = 20V Verlustleistung max. = 185 W Gehäusegröße = PG-TO247-3
Infineon
IKW30N65WR5XKSA1
ab € 1,68*
pro Stück
 
 Stück
Infineon IGBT / 34 A 30V max. , 650 V 35,3 W, 3-Pin PG-TO220 N-Kanal (2 Angebote) 
Dauer-Kollektorstrom max. = 34 A Kollektor-Emitter-Spannung = 650 V Gate-Source Spannung max. = 30V Verlustleistung max. = 35,3 W Gehäusegröße = PG-TO220 Channel-Typ = N Pinanzahl = 3 Transistor-Ko...
Infineon
IKA15N65ET6XKSA2
ab € 0,72*
pro Stück
 
 Stück
Transistor: IGBT; 1200V; 85A; 962W; TO247-3 (1 Angebot) 
Hersteller: MICROCHIP (MICROSEMI) Montage: THT Gehäuse: TO247-3 Kollektor-Emitter-Spannung: 1,2kV Gate - Emitter Spannung: ±30V Kollektor-Emitter-Strom: 85A Kollektorstrom im Impuls: 340A Anschaltz...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT85GR120B2
ab € 19,78*
pro Stück
 
 Stück
Infineon IGBT / 30 A ±20V max. , 650 V 188 W, 3-Pin TO-263 N-Kanal (1 Angebot) 
Dauer-Kollektorstrom max. = 30 A Kollektor-Emitter-Spannung = 650 V Gate-Source Spannung max. = ±20 V, ±30V Verlustleistung max. = 188 W Gehäusegröße = TO-263 Montage-Typ = THT Channel-Typ = N Pina...
Infineon
IKB30N65ES5ATMA1
ab € 4,72*
pro 2 Stück
 
 Packungen
Transistor: IGBT; 1200V; 70A; 961W; TO247-3 (1 Angebot) 
Hersteller: MICROCHIP (MICROSEMI) Montage: THT Gehäuse: TO247-3 Kollektor-Emitter-Spannung: 1,2kV Gate - Emitter Spannung: ±30V Kollektor-Emitter-Strom: 70A Kollektorstrom im Impuls: 280A Anschaltz...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT70GR120B2
ab € 17,12*
pro Stück
 
 Stück
Infineon IGBT / 30 A 25V max. , 1200 V 156 W, 3-Pin PG-TO247 N-Kanal (1 Angebot) 
Dauer-Kollektorstrom max. = 30 A Kollektor-Emitter-Spannung = 1200 V Gate-Source Spannung max. = 25V Anzahl an Transistoren = 1 Gehäusegröße = PG-TO247 Channel-Typ = N Pinanzahl = 3 Transistor-Konf...
Infineon
IHW15N120E1XKSA1
ab € 1,62*
pro Stück
 
 Stück
Infineon IGBT / 35 A 20V max., 1200 V 20 mW AG-EASY2B. N-Kanal (1 Angebot) 
Dauer-Kollektorstrom max. = 35 A Kollektor-Emitter-Spannung = 1200 V Gate-Source Spannung max. = 20V Verlustleistung max. = 20 mW Gehäusegröße = AG-EASY2B. Channel-Typ = N Transistor-Konfiguration ...
Infineon
FP35R12W2T7B11BOMA1
ab € 668,77005*
pro 15 Stück
 
 Packung
Transistor: IGBT; 400V; 10A; 30W; TO220FP (1 Angebot) 
Hersteller: NTE Electronics Montage: THT Gehäuse: TO220FP Kollektor-Emitter-Spannung: 400V Gate - Emitter Spannung: ±25V Kollektor-Emitter-Strom: 10A Kollektorstrom im Impuls: 130A Anschaltzeit: 15...
NTE Electronics
NTE3300
ab € 5,64*
pro Stück
 
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