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  IGBT  (2.508 Angebote unter 17.399.876 Artikeln)Zum Expertenwissen

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"IGBT"

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Infineon IGBT / 40 A +/-20V max. , 650 V 150 W, 3-Pin PG-TO247-3 (1 Angebot) 
Dauer-Kollektorstrom max. = 40 A Kollektor-Emitter-Spannung = 650 V Gate-Source Spannung max. = +/-20V Verlustleistung max. = 150 W Gehäusegröße = PG-TO247-3 Montage-Typ = THT Pinanzahl = 3
Infineon
IHW20N65R5XKSA1
ab € 44,6202*
pro 30 Stück
 
 Packung
Transistor: IGBT; 600V; 15A; 30W; TO220FP (1 Angebot) 
Hersteller: TOSHIBA Montage: THT Gehäuse: TO220FP Kollektor-Emitter-Spannung: 600V Gate - Emitter Spannung: ±25V Kollektor-Emitter-Strom: 15A Kollektorstrom im Impuls: 60A Anschaltzeit: 180ns Aussc...
Toshiba
GT15J341,S4X(S
ab € 1,14*
pro Stück
 
 Stück
Infineon IGBT / 40 A ±20 V, ±25 V max., 1350 V 310 W, 3-Pin PG-TO247-3 (2 Angebote) 
Dauer-Kollektorstrom max. = 40 A Kollektor-Emitter-Spannung = 1350 V Gate-Source Spannung max. = ±20 V, ±25 V Verlustleistung max. = 310 W Gehäusegröße = PG-TO247-3 Pinanzahl = 3 Der bipolare Infin...
Infineon
IHW20N135R5XKSA1
ab € 2,06*
pro Stück
 
 Stück
Infineon IGBT / 40 A ±20V max., 600 V 166 W, 3-Pin PG-TO247-3 (1 Angebot) 
Dauer-Kollektorstrom max. = 40 A Kollektor-Emitter-Spannung = 600 V Gate-Source Spannung max. = ±20V Verlustleistung max. = 166 W Gehäusegröße = PG-TO247-3 Pinanzahl = 3 Der Infineon bipolare Trans...
Infineon
AIKW20N60CTXKSA1
ab € 3,60*
pro Stück
 
 Stück
Infineon IGBT / 40 A ±20V max. , 1200 V 357 W, 3-Pin To-247-3 N-Kanal (1 Angebot) 
Dauer-Kollektorstrom max. = 40 A Kollektor-Emitter-Spannung = 1200 V Gate-Source Spannung max. = ±20V Verlustleistung max. = 357 W Gehäusegröße = To-247-3 Montage-Typ = THT Channel-Typ = N Pinanzah...
Infineon
IKW40N120CS7XKSA1
ab € 4,91*
pro Stück
 
 Stück
Infineon IGBT / 400 A ±20V max., 1200 V 2 kW, 5-Pin (1 Angebot) 
Dauer-Kollektorstrom max. = 400 A Kollektor-Emitter-Spannung = 1200 V Gate-Source Spannung max. = ±20V Verlustleistung max. = 2 kW Montage-Typ = Tafelmontage Pinanzahl = 5
Infineon
FD400R12KE3HOSA1
ab € 170,43*
pro Stück
 
 Stück
Transistor: IGBT; 600V; 49A; 230W; TO3PN (1 Angebot) 
Hersteller: TOSHIBA Montage: THT Gehäuse: TO3PN Kollektor-Emitter-Spannung: 600V Gate - Emitter Spannung: ±25V Kollektor-Emitter-Strom: 49A Kollektorstrom im Impuls: 100A Anschaltzeit: 430ns Aussch...
Toshiba
GT50JR21(STA1,E,S)
ab € 3,01*
pro Stück
 
 Stück
Infineon IGBT / 450 A ±20V max., 1200 V 2,4 kW, 7-Pin CTI (1 Angebot) 
Dauer-Kollektorstrom max. = 450 A Kollektor-Emitter-Spannung = 1200 V Gate-Source Spannung max. = ±20V Verlustleistung max. = 2,4 kW Gehäusegröße = CTI Montage-Typ = Tafelmontage Pinanzahl = 7
Infineon
FF450R12KE4EHOSA1
ab € 195,26*
pro Stück
 
 Stück
Transistor: IGBT; 600V; 3,9A; 25W; TO220AB (1 Angebot) 
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES Montage: THT Gehäuse: TO220AB Kollektor-Emitter-Spannung: 600V Kollektor-Emitter-Strom: 3,9A Transistor-Typ: IGBT Verlustleistung: 25W Verpackungs-Art: Tube Eigens...
Infineon
IRG4IBC10UDPBF
ab € 0,72*
pro Stück
 
 Stück
Infineon IGBT / 400 A ±20V max., 1200 V 2 kW, 5-Pin (2 Angebote) 
Dauer-Kollektorstrom max. = 400 A Kollektor-Emitter-Spannung = 1200 V Gate-Source Spannung max. = ±20V Verlustleistung max. = 2 kW Montage-Typ = Tafelmontage Pinanzahl = 5
Infineon
FD400R12KE3HOSA1
ab € 146,59*
pro Stück
 
 Stück
Transistor: IGBT; 600V; 20A; 167W; TO220AB (1 Angebot) 
Hersteller: STMicroelectronics Montage: THT Gehäuse: TO220AB Kollektor-Emitter-Spannung: 600V Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 20A Kollektorstrom im Impuls: 80A Transistor-Typ...
ST Microelectronics
STGP20V60DF
ab € 1,49*
pro Stück
 
 Stück
Infineon IGBT / 40 A ±20V max. 7-fach, 1200 V 155 W, 20-Pin N-Kanal (1 Angebot) 
Dauer-Kollektorstrom max. = 40 A Kollektor-Emitter-Spannung = 1200 V Gate-Source Spannung max. = ±20V Anzahl an Transistoren = 7 Konfiguration = Common Emitter Montage-Typ = Tafelmontage Channel-Ty...
Infineon
FP25R12KE3BPSA1
ab € 83,67*
pro Stück
 
 Stück
Infineon IGBT / 42 A 20V max. , 650 V 125 W TO-220-3 (1 Angebot) 
Dauer-Kollektorstrom max. = 42 A Kollektor-Emitter-Spannung = 650 V Gate-Source Spannung max. = 20V Verlustleistung max. = 125 W Gehäusegröße = TO-220-3
Infineon
IGP20N65H5XKSA1
ab € 1,15*
pro Stück
 
 Stück
Transistor: IGBT; 600V; 50A; 125W; TO247; EAus: 0,5mJ; EEin: 2,37mJ (1 Angebot) 
Hersteller: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR Montage: THT Gehäuse: TO247 Kollektor-Emitter-Spannung: 600V Gate - Emitter Spannung: ±20V Sättigungsspannung Kol.-Emitt.: 1,85V Kollektor-Emitter-Strom: 50A...
Alpha & Omega Semiconductor
AOK50B60D1
ab € 2,58*
pro Stück
 
 Stück
Infineon IGBT / 5,7 A 20V max. , 600 V 6,3 W PG-SOT223-3 (1 Angebot) 
Dauer-Kollektorstrom max. = 5,7 A Kollektor-Emitter-Spannung = 600 V Gate-Source Spannung max. = 20V Anzahl an Transistoren = 1 Gehäusegröße = PG-SOT223-3
Infineon
IKN03N60RC2ATMA1
ab € 729,93*
pro 3.000 Stück
 
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