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"IGBT"

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Transistor: IGBT; 600V; 62A; 543W; TO247-3 (1 Angebot) 
Hersteller: MICROCHIP (MICROSEMI) Montage: THT Gehäuse: TO247-3 Kollektor-Emitter-Spannung: 600V Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 62A Kollektorstrom im Impuls: 160A Anschaltze...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT40GP60BG
ab € 16,00*
pro Stück
 
 Stück
Infineon IGBT / 55 A ±20 V, ±30 V max., 650 V 188 W, 3-Pin PG-TO247-3 (1 Angebot) 
Dauer-Kollektorstrom max. = 55 A Kollektor-Emitter-Spannung = 650 V Gate-Source Spannung max. = ±20 V, ±30 V Verlustleistung max. = 188 W Gehäusegröße = PG-TO247-3 Pinanzahl = 3
Infineon
IKW30N65H5XKSA1
ab € 2,50*
pro Stück
 
 Stück
Infineon IGBT / 8 A +/-20V max. , 600 V 42 W, 3-Pin PG-TO-220-3 (2 Angebote) 
Dauer-Kollektorstrom max. = 8 A Kollektor-Emitter-Spannung = 600 V Gate-Source Spannung max. = +/-20V Anzahl an Transistoren = 1 Gehäusegröße = PG-TO-220-3 Montage-Typ = THT Pinanzahl = 3
Infineon
IKP04N60TXKSA1
ab € 0,62*
pro Stück
 
 Stück
Infineon IGBT / 6,5 A 20V max. , 600 V 53,6 W, 3-Pin PG-TO252 N-Kanal (1 Angebot) 
Dauer-Kollektorstrom max. = 6,5 A Kollektor-Emitter-Spannung = 600 V Gate-Source Spannung max. = 20V Verlustleistung max. = 53,6 W Gehäusegröße = PG-TO252 Channel-Typ = N Pinanzahl = 3 Transistor-K...
Infineon
IKD06N60RFATMA1
ab € 0,53*
pro Stück
 
 Stück
Transistor: IGBT; 600V; 64A; 366W; TO247-3 (1 Angebot) 
Hersteller: MICROCHIP (MICROSEMI) Montage: THT Gehäuse: TO247-3 Kollektor-Emitter-Spannung: 600V Gate - Emitter Spannung: ±30V Kollektor-Emitter-Strom: 64A Kollektorstrom im Impuls: 150A Anschaltze...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT50GN60BDQ2G
ab € 9,35*
pro Stück
 
 Stück
Infineon IGBT / 600 A 20V max., 1200 V 1,2 kW AG-62MM N-Kanal (1 Angebot) 
Dauer-Kollektorstrom max. = 600 A Kollektor-Emitter-Spannung = 1200 V Gate-Source Spannung max. = 20V Verlustleistung max. = 1,2 kW Gehäusegröße = AG-62MM Channel-Typ = N Transistor-Konfiguration =...
Infineon
FF600R12KE4BOSA1
ab € 200,96*
pro Stück
 
 Stück
Infineon IGBT / 6,5 A 20V max. , 600 V 53,6 W, 3-Pin PG-TO252 N-Kanal (1 Angebot) 
Dauer-Kollektorstrom max. = 6,5 A Kollektor-Emitter-Spannung = 600 V Gate-Source Spannung max. = 20V Anzahl an Transistoren = 1 Gehäusegröße = PG-TO252 Channel-Typ = N Pinanzahl = 3 Transistor-Konf...
Infineon
IKD03N60RFATMA1
ab € 0,49*
pro Stück
 
 Stück
Infineon IGBT / 60 A +/-20V max. , 600 V 187 W, 3-Pin PG-TO247-3 (1 Angebot) 
Dauer-Kollektorstrom max. = 60 A Kollektor-Emitter-Spannung = 600 V Gate-Source Spannung max. = +/-20V Verlustleistung max. = 187 W Gehäusegröße = PG-TO247-3 Montage-Typ = THT Pinanzahl = 3
Infineon
IGW30N60H3FKSA1
ab € 1,64*
pro Stück
 
 Stück
Infineon IGBT / 62 A 30V max. , 650 V 188 W, 3-Pin PG-TO220 N-Kanal (1 Angebot) 
Dauer-Kollektorstrom max. = 62 A Kollektor-Emitter-Spannung = 650 V Gate-Source Spannung max. = 30V Anzahl an Transistoren = 1 Konfiguration = Single Channel-Typ = N Pinanzahl = 3 Transistor-Konfig...
Infineon
IKP39N65ES5XKSA1
ab € 2,11*
pro Stück
 
 Stück
Transistor: IGBT; 600V; 75A; 428W; TO247-3 (2 Angebote) 
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES Montage: THT Gehäuse: TO247-3 Kollektor-Emitter-Spannung: 600V Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 75A Kollektorstrom im Impuls: 225A Anschaltze...
Infineon
IKW75N60H3FKSA1
ab € 5,06*
pro Stück
 
 Stück
Infineon IGBT / 53 A ±20 V, ±30 V max., 600 V 141 W, 3-Pin PG-TO247-3-AI (1 Angebot) 
Dauer-Kollektorstrom max. = 53 A Kollektor-Emitter-Spannung = 600 V Gate-Source Spannung max. = ±20 V, ±30 V Verlustleistung max. = 141 W Gehäusegröße = PG-TO247-3-AI Pinanzahl = 3 Transistor-Konfi...
Infineon
IKFW60N60DH3EXKSA1
ab € 113,8101*
pro 30 Stück
 
 Packung
Infineon IGBT / 60 A +/-20V max. , 600 V 187 W, 3-Pin PG-TO220-3 (1 Angebot) 
Dauer-Kollektorstrom max. = 60 A Kollektor-Emitter-Spannung = 600 V Gate-Source Spannung max. = +/-20V Verlustleistung max. = 187 W Gehäusegröße = PG-TO220-3 Montage-Typ = THT Pinanzahl = 3
Infineon
IGP30N60H3XKSA1
ab € 1,50*
pro Stück
 
 Stück
Infineon IGBT / 60 A 25V max. , 1200 V 330 W, 3-Pin PG-TO247 N-Kanal (1 Angebot) 
Dauer-Kollektorstrom max. = 60 A Kollektor-Emitter-Spannung = 1200 V Gate-Source Spannung max. = 25V Verlustleistung max. = 330 W Gehäusegröße = PG-TO247 Channel-Typ = N Pinanzahl = 3 Transistor-Ko...
Infineon
IHW30N120R5XKSA1
ab € 1,79*
pro Stück
 
 Stück
Transistor: IGBT; 600V; 7A; 24W; TO220FP (1 Angebot) 
Hersteller: STMicroelectronics Montage: THT Gehäuse: TO220FP Kollektor-Emitter-Spannung: 600V Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 7A Kollektorstrom im Impuls: 28A Transistor-Typ:...
ST Microelectronics
STGF7H60DF
ab € 0,80*
pro Stück
 
 Stück
Infineon IGBT / 60 A +/-20V max. , 600 V 187 W, 3-Pin PG-TO263-3 (1 Angebot) 
Dauer-Kollektorstrom max. = 60 A Kollektor-Emitter-Spannung = 600 V Gate-Source Spannung max. = +/-20V Verlustleistung max. = 187 W Gehäusegröße = PG-TO263-3 Montage-Typ = THT Pinanzahl = 3
Infineon
IGB30N60H3ATMA1
ab € 1,46*
pro Stück
 
 Stück
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