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"IGBT"

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STMicroelectronics IGBT / 40 A ±20V max. , 650 V 45 W, 3-Pin TO-220FP (1 Angebot) 
Dauer-Kollektorstrom max. = 40 A Kollektor-Emitter-Spannung = 650 V Gate-Source Spannung max. = ±20V Verlustleistung max. = 45 W Gehäusegröße = TO-220FP Pinanzahl = 3 Die Serie STMicroelectronics I...
ST Microelectronics
STGF20H65DFB2
ab € 1,79*
pro Stück
 
 Stück
Vishay IGBT / 146 A ± 20V max. , 600 V 446 W, 4-Pin SOT-227 N-Kanal (1 Angebot) 
Dauer-Kollektorstrom max. = 146 A Kollektor-Emitter-Spannung = 600 V Gate-Source Spannung max. = ± 20V Verlustleistung max. = 446 W Gehäusegröße = SOT-227 Montage-Typ = Tafelmontage Channel-Typ = N...
Vishay
VS-GT90DA60U
ab € 225,46*
pro 10 Stück
 
 Packung
Vishay IGBT / 59 A ± 20V max. , 650 V 163 W, 4-Pin SOT-227 N-Kanal (1 Angebot) 
Dauer-Kollektorstrom max. = 59 A Kollektor-Emitter-Spannung = 650 V Gate-Source Spannung max. = ± 20V Verlustleistung max. = 163 W Gehäusegröße = SOT-227 Montage-Typ = Tafelmontage Channel-Typ = N ...
Vishay
VS-GT50LA65UF
ab € 209,17*
pro 10 Stück
 
 Packung
Transistor: IGBT; PT; 600V; 49A; 463W; TO247-3 (1 Angebot) 
Hersteller: MICROCHIP (MICROSEMI) Montage: THT Gehäuse: TO247-3 Kollektor-Emitter-Spannung: 600V Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 49A Kollektorstrom im Impuls: 120A Anschaltze...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT30GP60BDQ1G
ab € 8,56*
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 Stück
STMicroelectronics IGBT / 150 A ±20V max., 1200 V 750 W, 3-Pin Max. 247 (1 Angebot) 
Dauer-Kollektorstrom max. = 150 A Kollektor-Emitter-Spannung = 1200 V Gate-Source Spannung max. = ±20V Verlustleistung max. = 750 W Gehäusegröße = Max. 247 Montage-Typ = THT Pinanzahl = 3
ST Microelectronics
STGYA75H120DF2
ab € 7,66*
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 Stück
Transistor: IGBT; XPT™; 2,5kV; 12A; 310W; TO247HV (1 Angebot) 
Hersteller: IXYS Montage: THT Gehäuse: TO247HV Kollektor-Emitter-Spannung: 2,5kV Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 12A Kollektorstrom im Impuls: 80A Anschaltzeit: 32ns Ausschal...
IXYS
IXYH12N250CV1HV
ab € 17,76*
pro Stück
 
 Stück
STMicroelectronics IGBT / 50 A ±20V max. , 650 V 167 W, 3-Pin D2PAK (TO-263) (1 Angebot) 
Dauer-Kollektorstrom max. = 50 A Kollektor-Emitter-Spannung = 650 V Gate-Source Spannung max. = ±20V Verlustleistung max. = 167 W Gehäusegröße = D2PAK (TO-263) Pinanzahl = 3
ST Microelectronics
STGB30H65DFB2
ab € 1,18*
pro Stück
 
 Stück
Vishay IGBT / 169 A ± 20V max. , 1200 V 781 W, 4-Pin SOT-227 N-Kanal (1 Angebot) 
Dauer-Kollektorstrom max. = 169 A Kollektor-Emitter-Spannung = 1200 V Gate-Source Spannung max. = ± 20V Verlustleistung max. = 781 W Gehäusegröße = SOT-227 Montage-Typ = Tafelmontage Channel-Typ = ...
Vishay
VS-GT90SA120U
ab € 230,98*
pro 10 Stück
 
 Packung
Vishay IGBT / 68 A ± 20V max. , 1200 V 291 W, 4-Pin SOT-227 N-Kanal (1 Angebot) 
Dauer-Kollektorstrom max. = 68 A Kollektor-Emitter-Spannung = 1200 V Gate-Source Spannung max. = ± 20V Verlustleistung max. = 291 W Gehäusegröße = SOT-227 Montage-Typ = Tafelmontage Channel-Typ = N...
Vishay
VS-GT55NA120UX
ab € 240,51*
pro 10 Stück
 
 Packung
Transistor: IGBT; PT; 600V; 68A; 520W; T-Max (1 Angebot) 
Hersteller: MICROCHIP (MICROSEMI) Montage: THT Gehäuse: T-Max Kollektor-Emitter-Spannung: 600V Gate - Emitter Spannung: ±30V Kollektor-Emitter-Strom: 68A Kollektorstrom im Impuls: 202A Anschaltzeit...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT68GA60B2D40
ab € 11,14*
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 Stück
STMicroelectronics IGBT / 20 A 600V max., 600 V 0,08 mW, 26-Pin SDIP2B (1 Angebot) 
Dauer-Kollektorstrom max. = 20 A Kollektor-Emitter-Spannung = 600 V Gate-Source Spannung max. = 600V Verlustleistung max. = 0,08 mW Gehäusegröße = SDIP2B Pinanzahl = 26 Transistor-Konfiguration = S...
ST Microelectronics
STGIB15CH60TS-LZ
ab € 26,84*
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 Stück
STMicroelectronics IGBT / 50 A ±20V max., 650 V 167 W, 3-Pin TO-247 (1 Angebot) 
Dauer-Kollektorstrom max. = 50 A Kollektor-Emitter-Spannung = 650 V Gate-Source Spannung max. = ±20V Verlustleistung max. = 167 W Gehäusegröße = TO-247 Pinanzahl = 3 Die Serie STMicroelectronics IG...
ST Microelectronics
STGWA30H65DFB2
ab € 2,14*
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 Stück
Vishay IGBT / 193 A ± 20V max. Dual, 650 V 517 W, 7-Pin INT-A-PAK N-Kanal (2 Angebote) 
Dauer-Kollektorstrom max. = 193 A Kollektor-Emitter-Spannung = 650 V Gate-Source Spannung max. = ± 20V Verlustleistung max. = 517 W Gehäusegröße = INT-A-PAK Montage-Typ = Tafelmontage Channel-Typ =...
Vishay
VS-GT200TS065N
ab € 77,68*
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 Stück
Vishay IGBT / 81 A ± 20V max. , 600 V 231 W, 4-Pin SOT-227 N-Kanal (1 Angebot) 
Dauer-Kollektorstrom max. = 81 A Kollektor-Emitter-Spannung = 600 V Gate-Source Spannung max. = ± 20V Verlustleistung max. = 231 W Gehäusegröße = SOT-227 Montage-Typ = Tafelmontage Channel-Typ = N ...
Vishay
VS-GT75NA60UF
ab € 231,05*
pro 10 Stück
 
 Packung
Transistor: IGBT; PT; 600V; 72A; 625W; TO247-3 (1 Angebot) 
Hersteller: MICROCHIP (MICROSEMI) Montage: THT Gehäuse: TO247-3 Kollektor-Emitter-Spannung: 600V Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 72A Kollektorstrom im Impuls: 190A Anschaltze...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT50GP60BG
ab € 12,57*
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