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  IGBT  (2.521 Angebote unter 17.331.596 Artikeln)Zum Expertenwissen

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Infineon IGBT / 79 A ±20 V, ±30 V max., 650 V 230 W, 3-Pin PG-TO263-3 (1 Angebot) 
Dauer-Kollektorstrom max. = 79 A Kollektor-Emitter-Spannung = 650 V Gate-Source Spannung max. = ±20 V, ±30 V Verlustleistung max. = 230 W Gehäusegröße = PG-TO263-3 Pinanzahl = 3 Der bipolare Transi...
Infineon
IKB40N65ES5ATMA1
ab € 2,62*
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 Stück
Transistor: IGBT; 650V; 20A; 18W; TO220F; EAus: 0,28mJ; EEin: 0,58mJ (1 Angebot) 
Hersteller: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR Montage: THT Gehäuse: TO220F Kollektor-Emitter-Spannung: 650V Gate - Emitter Spannung: ±30V Sättigungsspannung Kol.-Emitt.: 1,7V Kollektor-Emitter-Strom: 20A...
Alpha & Omega Semiconductor
AOTF20B65M2
ab € 1,11*
pro Stück
 
 Stück
Infineon IGBT / 74 A 30V max. , 650 V 255 W, 3-Pin PG-TO247 N-Kanal (1 Angebot) 
Dauer-Kollektorstrom max. = 74 A Kollektor-Emitter-Spannung = 650 V Gate-Source Spannung max. = 30V Verlustleistung max. = 255 W Gehäusegröße = PG-TO247 Channel-Typ = N Pinanzahl = 3
Infineon
IKW40N65F5FKSA1
ab € 2,65*
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 Stück
Infineon IGBT / 75 A 20V max., 1200 V 20 mW (2 Angebote) 
Dauer-Kollektorstrom max. = 75 A Kollektor-Emitter-Spannung = 1200 V Gate-Source Spannung max. = 20V Verlustleistung max. = 20 mW
Infineon
FP75R12N3T7B11BPSA1
ab € 136,67*
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 Stück
Infineon IGBT / 75 A 20V max., 1200 V 20 mW (2 Angebote) 
Dauer-Kollektorstrom max. = 75 A Kollektor-Emitter-Spannung = 1200 V Gate-Source Spannung max. = 20V Verlustleistung max. = 20 mW
Infineon
FP75R12N2T7PB11BPSA1
ab € 117,60*
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 Stück
Transistor: IGBT; 650V; 46A; 250W; TO247-3; H5 (2 Angebote) 
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES Montage: THT Gehäuse: TO247-3 Kollektor-Emitter-Spannung: 650V Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 46A Kollektorstrom im Impuls: 120A Transistor...
Infineon
IGW40N65H5FKSA1
ab € 2,22*
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 Stück
Infineon IGBT / 8 A +/-20V max. , 600 V 42 W, 3-Pin PG-TO-220-3 (1 Angebot) 
Dauer-Kollektorstrom max. = 8 A Kollektor-Emitter-Spannung = 600 V Gate-Source Spannung max. = +/-20V Verlustleistung max. = 42 W Gehäusegröße = PG-TO-220-3 Montage-Typ = THT Pinanzahl = 3
Infineon
IKP04N60TXKSA1
ab € 0,63*
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 Stück
Infineon IGBT / 74 A ±20 V, ±30 V max., 650 V 250 W, 3-Pin PG-TO220-3 (1 Angebot) 
Dauer-Kollektorstrom max. = 74 A Kollektor-Emitter-Spannung = 650 V Gate-Source Spannung max. = ±20 V, ±30 V Verlustleistung max. = 250 W Gehäusegröße = PG-TO220-3 Pinanzahl = 3
Infineon
IKP40N65H5XKSA1
ab € 1,80*
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Transistor: IGBT; 650V; 40A; 150W; TO247; EAus: 0,46mJ; EEin: 1,27mJ (1 Angebot) 
Hersteller: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR Montage: THT Gehäuse: TO247 Kollektor-Emitter-Spannung: 650V Gate - Emitter Spannung: ±30V Sättigungsspannung Kol.-Emitt.: 1,9V Kollektor-Emitter-Strom: 40A ...
Alpha & Omega Semiconductor
AOK40B65H1
ab € 2,13*
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 Stück
Infineon IGBT / 75 A 20V max., 1200 V 20 mW (2 Angebote) 
Dauer-Kollektorstrom max. = 75 A Kollektor-Emitter-Spannung = 1200 V Gate-Source Spannung max. = 20V Verlustleistung max. = 20 mW
Infineon
FS75R12N2T7B15BPSA2
ab € 96,86*
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 Stück
Infineon IGBT / 75 A 20V max., 1200 V 20 mW (2 Angebote) 
Dauer-Kollektorstrom max. = 75 A Kollektor-Emitter-Spannung = 1200 V Gate-Source Spannung max. = 20V Verlustleistung max. = 20 mW
Infineon
FP75R12N3T7BPSA1
ab € 128,72*
pro Stück
 
 Stück
Infineon IGBT / 8 A ±20V max. , 1200 V 106 W, 3-Pin To-247-3 N-Kanal (1 Angebot) 
Dauer-Kollektorstrom max. = 8 A Kollektor-Emitter-Spannung = 1200 V Gate-Source Spannung max. = ±20V Verlustleistung max. = 106 W Gehäusegröße = To-247-3 Montage-Typ = THT Channel-Typ = N Pinanzahl...
Infineon
IKW08N120CS7XKSA1
ab € 3,00*
pro Stück
 
 Stück
Transistor: IGBT; 650V; 35A; 93W; TO220-3 (1 Angebot) 
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES Montage: THT Gehäuse: TO220-3 Kollektor-Emitter-Spannung: 650V Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 35A Kollektorstrom im Impuls: 90A Anschaltzei...
Infineon
IKP30N65F5XKSA1
ab € 3,28*
pro Stück
 
 Stück
Infineon IGBT / 74 A ±20 V, ±30 V max., 650 V 250 W, 3-Pin PG-TO247-3 (1 Angebot) 
Dauer-Kollektorstrom max. = 74 A Kollektor-Emitter-Spannung = 650 V Gate-Source Spannung max. = ±20 V, ±30 V Verlustleistung max. = 250 W Gehäusegröße = PG-TO247-3 Pinanzahl = 3
Infineon
AIKW40N65DF5XKSA1
ab € 4,79*
pro Stück
 
 Stück
STMicroelectronics IGBT / 40 A ±20V max. , 650 V 230 W, 3-Pin TO-247 N-Kanal (2 Angebote) 
Dauer-Kollektorstrom max. = 40 A Kollektor-Emitter-Spannung = 650 V Gate-Source Spannung max. = ±20V Verlustleistung max. = 230 W Gehäusegröße = TO-247 Channel-Typ = N Pinanzahl = 3 Transistor-Konf...
ST Microelectronics
STGWA40H65DFB2
ab € 1,91*
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