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  Schalttransistor  (23 163 Angebote unter 17 399 411 Artikeln)Zum Expertenwissen

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"Schalttransistor"

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DIODES INC. DXTP07025BFGQ-7 BIPOLARTRANSISTOR, 25V, 3A, 3.4W (2 Angebote) 
Betriebstemperatur, max.: 175 °C Bauform - Transistor: PowerDI 3333 Dauer-Kollektorstrom: 3 A DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40 hFE Verlustleistung: 3.4 W Qualifikation: AEC-Q101 SVHC: No SVHC (2...
Diodes
DXTP07025BFGQ-7
ab € 0,19042*
pro Stück
 
 Stück
STMicroelectronics Transistor (BJT) - diskret BD239C TO-220 Anzahl Kanäle 1 NPN (4 Angebote) 
STMicroelectronics Transistor (BJT) - diskret BD239C TO-220 Anzahl Kanäle 1 NPN Transistor Technische Daten: Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): NPN · Collector-Strom I(C): 2 A · DC Strom...
ST Microelectronics
BD239C
ab € 0,197*
pro Stück
 
 Stück
Transistor: IGBT; 1,1kV; 30A; 166W; TO247-3 (1 Angebot) 
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES Montage: THT Gehäuse: TO247-3 Kollektor-Emitter-Spannung: 1,1kV Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 30A Kollektorstrom im Impuls: 90A Ausschaltz...
Infineon
IHW30N110R3FKSA1
ab € 3,07*
pro Stück
 
 Stück
Infineon BFP405H6327XTSA1 SMD, NPN HF-Transistor 15 V / 12 mA, TSFP-4 (1 Angebot) 
Transistor-Typ = NPN DC Kollektorstrom max. = 12 mA Kollektor-Emitter-Spannung = 15 V Gehäusegröße = TSFP-4 Montage-Typ = SMD
Infineon
BFP405H6327XTSA1
ab € 0,19*
pro Stück
 
 Stück
50er Pack Infineon Technologies Transistor (BJT) - diskret BCV27 SOT-23-3 Anzahl Kanäle 1 NPN - Darlington Ta (1 Angebot) 
50er Pack Infineon Technologies Transistor (BJT) - diskret BCV27 SOT-23-3 Anzahl Kanäle 1 NPN - Darlington Ta NPN-Transistor (8 mm-Gurt). Verpackungsart: Tape cut Typ: BCV27 Gehäuse: SOT-23-3 Herst...
Infineon
Q35055
ab € 13,21*
pro 50 Stück
 
 Paket
5er Pack STMicroelectronics Transistor (BJT) - diskret BD241C TO-220 Anzahl Kanäle 1 NPN (5 Angebote) 
5er Pack STMicroelectronics Transistor (BJT) - diskret BD241C TO-220 Anzahl Kanäle 1 NPN STMicroelectronics Transistor (BJT) - diskret BD241C TO-220 Anzahl Kanäle 1 NPN Typ: BD241C Gehäuse: TO-220 ...
ST Microelectronics
BD241C
ab € 0,27*
pro Stück
 
 Stück
Modul: IGBT; einzelner Transistor; Urmax: 600V; Ic: 160A; SOT227B (1 Angebot) 
Hersteller: IXYS Gehäuse: SOT227B Rückspannung max.: 0,6kV Struktur des Halbleiters: einzelner Transistor Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 160A Kollektorstrom im Impuls: 1kA V...
IXYS
IXXN200N60B3
ab € 28,01*
pro Stück
 
 Stück
Infineon BFP640ESDH6327XTSA1 SMD, NPN HF-Transistor 13 V / 50 mA, SOT-343 (1 Angebot) 
Transistor-Typ = NPN DC Kollektorstrom max. = 50 mA Kollektor-Emitter-Spannung = 13 V Gehäusegröße = SOT-343 Montage-Typ = SMD
Infineon
BFP640ESDH6327XTSA1
ab € 519,96*
pro 3 000 Stück
 
 Packung
DIODES INC. DXTP3C100PSQ-13 TRANSISTOR, PNP, 100V, 3A, 150°C, 5W (3 Angebote) 
Produktpalette: DXT Series MSL: MSL 3 - 168 Stunden Anzahl der Pins: 8 Pin(s) Transistormontage: Oberflächenmontage Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 125 MHz Kollektor-Emitter-Spannung, max....
Diodes
DXTP3C100PSQ-13
ab € 0,19527*
pro Stück
 
 Stück
Modul: IGBT; Transistor/Transistor; IGBT Halbbrücke; Urmax: 1,2kV (1 Angebot) 
Hersteller: HUAJING Gehäuse: V3 62MM Rückspannung max.: 1,2kV Struktur des Halbleiters: Transistor/Transistor Gate - Emitter Spannung: ±30V Kollektor-Emitter-Strom: 150A Kollektorstrom im Impuls: 3...
HUAJING
HFGM150D12V3
ab € 58,56*
pro Stück
 
 Stück
HY Electronic Corp IGBT-Modul / 20 A ±20V max., 1200 V 156 W, 22-Pin N-Kanal (1 Angebot) 
Dauer-Kollektorstrom max. = 20 A Kollektor-Emitter-Spannung = 1200 V Gate-Source Spannung max. = ±20V Verlustleistung max. = 156 W Konfiguration = Dreiphasenbrücke Montage-Typ = THT Channel-Typ = N...
HY Electronic
HYG15P120A1K1
ab € 21,93*
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 Stück
DIODES INC. FMMT560QTA TRANSISTOR PNP, 500V, 0.15A, 150°C, 0.5W (1 Angebot) 
Produktpalette: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt Anzahl der Pins: 3 Pin(s) Transistormontage: Oberflächenmontage Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 60 MHz Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 500 V Bet...
Diodes
FMMT560QTA
ab € 0,18751*
pro Stück
 
 Stück
Modul: IGBT; Transistor/Transistor; Brücke H; Urmax: 1,2kV; Ic: 21A (1 Angebot) 
Hersteller: POWERSEM Gehäuse: ECO-PAC 2 Rückspannung max.: 1,2kV Struktur des Halbleiters: Transistor/Transistor Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 21A Kollektorstrom im Impuls:...
Powersem
PSHI 25/12
ab € 22,55*
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 Stück
Infineon BFP740FESDH6327XTSA1 SMD, NPN HF-Transistor 13 V / 45 mA, SOT-343 (1 Angebot) 
Transistor-Typ = NPN DC Kollektorstrom max. = 45 mA Kollektor-Emitter-Spannung = 13 V Gehäusegröße = SOT-343 Montage-Typ = SMD
Infineon
BFP740FESDH6327XTSA1
ab € 0,19*
pro Stück
 
 Stück
DIODES INC. DXTP560BP5-13 TRANSISTOR PNP, 500V, 0.15A, 150°C, 2.8W (1 Angebot) 
Produktpalette: DXT Series MSL: MSL 1 - unbegrenzt Anzahl der Pins: 3 Pin(s) Transistormontage: Oberflächenmontage Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 60 MHz Kollektor-Emitter-Spannung, max.: ...
Diodes
DXTP560BP5-13
ab € 0,22631*
pro Stück
 
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