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Transistor: N-MOSFET; MESH OVERLAY™ II; unipolar; 200V; 5,7A; 75W (5 Angebote) 
Hersteller: STMicroelectronics Montage: THT Gehäuse: TO220-3 Drain-Source Spannung: 200V Drainstrom: 5,7A Widerstand im Leitungszustand: 0,4Ω Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 75W Polarisie...
ST Microelectronics
IRF630
ab € 0,52022*
pro Stück
 
 Stück
Transistor: N-MOSFET; Polar3™; unipolar; 500V; 132A; 1890W; 250ns (4 Angebote) 
Hersteller: IXYS Montage: THT Gehäuse: PLUS264™ Bereitschaftszeit: 250ns Drain-Source Spannung: 500V Drainstrom: 132A Widerstand im Leitungszustand: 39mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 1...
IXYS
IXFB132N50P3
ab € 15,18*
pro Stück
 
 Stück
Transistor: N-MOSFET; Polar3™; unipolar; 600V; 64A; 1130W; TO264 (3 Angebote) 
Hersteller: IXYS Montage: THT Gehäuse: TO264 Bereitschaftszeit: 250ns Drain-Source Spannung: 600V Drainstrom: 64A Widerstand im Leitungszustand: 0,1Ω Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 1,13k...
IXYS
IXFK64N60P3
ab € 8,56*
pro Stück
 
 Stück
Transistor: N-MOSFET; Polar3™; unipolar; 500V; 26A; 500W; TO247-3 (3 Angebote) 
Hersteller: IXYS Montage: THT Gehäuse: TO247-3 Bereitschaftszeit: 250ns Drain-Source Spannung: 500V Drainstrom: 26A Widerstand im Leitungszustand: 0,25Ω Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 50...
IXYS
IXFH26N50P3
ab € 4,53*
pro Stück
 
 Stück
Nexperia PDTA143EQBZ SMD, PNP Digitaler Transistor 3 -50 V / -100 mA, DFN1110D-3 (1 Angebot) 
Transistor-Typ = PNP DC Kollektorstrom max. = -100 mA Kollektor-Emitter-Spannung = -50 V Gehäusegröße = DFN1110D-3 Montage-Typ = SMD Anzahl der Elemente pro Chip = 3
Nexperia
PDTA143EQBZ
ab € 151,30*
pro 5.000 Stück
 
 Packung
Nexperia PDTA143EQCZ SMD, PNP Digitaler Transistor 3 -50 V / -100 mA, DFN1412D-3 (1 Angebot) 
Transistor-Typ = PNP DC Kollektorstrom max. = -100 mA Kollektor-Emitter-Spannung = -50 V Gehäusegröße = DFN1412D-3 Montage-Typ = SMD Anzahl der Elemente pro Chip = 3
Nexperia
PDTA143EQCZ
ab € 151,85*
pro 5.000 Stück
 
 Packung
Nexperia BCW71,215 SMD, NPN Transistor 45 V / 100 mA 100 MHz, SOT-23 (TO-236AB) 3-Pin (1 Angebot) 
Transistor-Typ = NPN DC Kollektorstrom max. = 100 mA Kollektor-Emitter-Spannung = 45 V Gehäusegröße = SOT-23 (TO-236AB) Montage-Typ = SMD Verlustleistung max. = 250 mW Gleichstromverstärkung min. =...
Nexperia
BCW71,215
ab € 152,22*
pro 3.000 Stück
 
 Packung
Nexperia MMBT3906,215 SMD, PNP Transistor –40 V / –200 mA, SOT-23 (TO-236AB) 3-Pin (3 Angebote) 
Transistor-Typ = PNP DC Kollektorstrom max. = –200 mA Kollektor-Emitter-Spannung = –40 V Gehäusegröße = SOT-23 (TO-236AB) Montage-Typ = SMD Verlustleistung max. = 250 mW Gleichstromverstärkung min....
Nexperia
MMBT3906,215
ab € 0,01087*
pro Stück
 
 Packungen
Nexperia BCX19,215 SMD, NPN Transistor 45 V / 500 mA 100 MHz, SOT-23 (TO-236AB) 3-Pin (1 Angebot) 
Transistor-Typ = NPN DC Kollektorstrom max. = 500 mA Kollektor-Emitter-Spannung = 45 V Gehäusegröße = SOT-23 (TO-236AB) Montage-Typ = SMD Verlustleistung max. = 250 mW Gleichstromverstärkung min. =...
Nexperia
BCX19,215
ab € 91,05*
pro 3.000 Stück
 
 Packung
Nexperia PBRN123YT,215 SMD, NPN Digitaler Transistor 40 V / 700 mA, SOT-23 (TO-236AB) 3-Pin (1 Angebot) 
Transistor-Typ = NPN DC Kollektorstrom max. = 700 mA Kollektor-Emitter-Spannung = 40 V Gehäusegröße = SOT-23 (TO-236AB) Montage-Typ = SMD Transistor-Konfiguration = Einfach Basis-Emitter Spannung m...
Nexperia
PBRN123YT,215
ab € 0,0509*
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 Stück
Transistor: N-MOSFET; Polar3™; unipolar; 600V; 110A; 1890W; 250ns (3 Angebote) 
Hersteller: IXYS Montage: THT Gehäuse: PLUS264™ Bereitschaftszeit: 250ns Drain-Source Spannung: 600V Drainstrom: 110A Widerstand im Leitungszustand: 56mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 1...
IXYS
IXFB110N60P3
ab € 16,24*
pro Stück
 
 Stück
Nexperia PDTA143ZQBZ SMD, PNP Digitaler Transistor 3 -50 V / -100 mA, DFN1110D-3 (1 Angebot) 
Transistor-Typ = PNP DC Kollektorstrom max. = -100 mA Kollektor-Emitter-Spannung = -50 V Gehäusegröße = DFN1110D-3 Montage-Typ = SMD Anzahl der Elemente pro Chip = 3
Nexperia
PDTA143ZQBZ
ab € 152,75*
pro 5.000 Stück
 
 Packung
Transistor: N-MOSFET; Polar3™; unipolar; 500V; 60A; 1040W; TO247-3 (4 Angebote) 
Hersteller: IXYS Montage: THT Gehäuse: TO247-3 Bereitschaftszeit: 250ns Drain-Source Spannung: 500V Drainstrom: 60A Widerstand im Leitungszustand: 0,11Ω Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 1,...
IXYS
IXFH60N50P3
ab € 6,01*
pro Stück
 
 Stück
Transistor: N-MOSFET; PolarHT™; unipolar; 100V; 75A; 360W; TO220AB (2 Angebote) 
Hersteller: IXYS Montage: THT Gehäuse: TO220AB Bereitschaftszeit: 120ns Drain-Source Spannung: 100V Drainstrom: 75A Widerstand im Leitungszustand: 25mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 360...
IXYS
IXTP75N10P
ab € 2,38*
pro Stück
 
 Stück
Transistor: N-MOSFET; PolarHT™; unipolar; 250V; 82A; 500W; TO3P (2 Angebote) 
Hersteller: IXYS Montage: THT Gehäuse: TO3P Bereitschaftszeit: 200ns Drain-Source Spannung: 250V Drainstrom: 82A Widerstand im Leitungszustand: 38mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 500W P...
IXYS
IXTQ82N25P
ab € 4,85*
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