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  Transistor  (10.647 Angebote unter 17.427.889 Artikeln)Zum Expertenwissen

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"Transistor"

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STMicroelectronics IGBT / 30 A ±20V max. , 650 V 260 W, 3-Pin TO-247 N-Kanal (1 Angebot) 
Dauer-Kollektorstrom max. = 30 A Kollektor-Emitter-Spannung = 650 V Gate-Source Spannung max. = ±20V Anzahl an Transistoren = 1 Gehäusegröße = TO-247 Channel-Typ = N Pinanzahl = 3 Transistor-Konfig...
ST Microelectronics
STGWA30HP65FB
ab € 96,8502*
pro 30 Stück
 
 Packung
STMicroelectronics STP26N65DM2 N-Kanal, THT MOSFET Transistor / 25 A 160 W, 3-Pin TO-220 (1 Angebot) 
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 25 A Gehäusegröße = TO-220 Montage-Typ = THT Pinanzahl = 3 Drain-Source-Widerstand max. = 190 μΩ Channel-Modus = Enhancement Gate-Schwellenspannung max. = 5V...
ST Microelectronics
STP26N65DM2
ab € 91,68*
pro 50 Stück
 
 Packung
STMicroelectronics IGBT / 35 A ±20V max. , 1350 V 416 W, 3-Pin TO-247 Bidirektional-Kanal (2 Angebote) 
Dauer-Kollektorstrom max. = 35 A Kollektor-Emitter-Spannung = 1350 V Gate-Source Spannung max. = ±20V Anzahl an Transistoren = 1 Gehäusegröße = TO-247 Montage-Typ = THT Channel-Typ = Bidirektional ...
ST Microelectronics
STGWA35IH135DF2
ab € 2,91*
pro Stück
 
 Stück
Infineon IRLML2402 Transistor 55 V (7 Angebote)
Infineon
IRLML2402TRPBF
ab € 0,0505*
pro Stück
 
 Paket
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 2,6A; 0,47W; SOT23 (4 Angebote) 
Hersteller: ONSEMI Montage: SMD Gehäuse: SOT23 Drain-Source Spannung: 20V Drainstrom: 2,6A Widerstand im Leitungszustand: 24mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 0,47W Polarisierung: unipola...
onsemi
NTR3C21NZT1G
ab € 0,102*
pro Stück
 
 Stück
STMicroelectronics IGBT / 40 A ±20V max. , 650 V 168 W, 3-Pin TO N-Kanal (2 Angebote) 
Dauer-Kollektorstrom max. = 40 A Kollektor-Emitter-Spannung = 650 V Gate-Source Spannung max. = ±20V Anzahl an Transistoren = 1 Gehäusegröße = TO Montage-Typ = THT Channel-Typ = N Pinanzahl = 3 Tra...
ST Microelectronics
STGWT20H65FB
ab € 1,74*
pro Stück
 
 Stück
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 90A; 300W; ISOPLUS247™ (1 Angebot) 
Hersteller: IXYS Montage: THT Gehäuse: ISOPLUS247™ Drain-Source Spannung: 200V Drainstrom: 90A Widerstand im Leitungszustand: 22mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 300W Polarisierung: unip...
IXYS
IXFR140N20P
ab € 11,44*
pro Stück
 
 Stück
Infineon BSS816NW Transistor 20 V (3 Angebote)
Infineon
BSS816NWH6327XTSA1
ab € 0,0406*
pro Stück
 
 Stück
Infineon IRFB4127 Transistor 200 V (3 Angebote)
Infineon
IRFB4127PBF
ab € 1,62*
pro Stück
 
 Stück
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 2A; 0,5W; SuperSOT-3 (4 Angebote) 
Hersteller: ONSEMI Montage: SMD Gehäuse: SuperSOT-3 Drain-Source Spannung: 20V Drainstrom: 2A Widerstand im Leitungszustand: 0,12Ω Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 0,5W Polarisierung: unip...
onsemi
FDN327N
ab € 0,0813*
pro Stück
 
 Stück
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 10A; 1,98W; PQFN2X2 (4 Angebote) 
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES Montage: SMD Gehäuse: PQFN2X2 Drain-Source Spannung: 20V Drainstrom: 10A Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 1,98W Polarisierung: unipolar Verpackungs-Art: R...
Infineon
IRLHS6242TRPBF
ab € 0,136*
pro Stück
 
 Stück
STMicroelectronics PNP Darlington-Transistor 80 V 4 A HFE:750, SOT-32 3-Pin Einfach (1 Angebot) 
Transistor-Typ = PNP Dauer-Kollektorstrom max. = 4 A Kollektor-Emitter-Spannung = 80 V Basis-Emitter Spannung max. = 5 V Gehäusegröße = SOT-32 Montage-Typ = THT Pinanzahl = 3 Transistor-Konfigurati...
ST Microelectronics
BD680
ab € 20,78*
pro 50 Stück
 
 Packung
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 0,5A; 1W; TO92 (3 Angebote) 
Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY Montage: THT Gehäuse: TO92 Drain-Source Spannung: 20V Widerstand im Leitungszustand: 1,3Ω Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 1W Polarisierung: unipolar Verpa...
Microchip Technology
TN0702N3-G
ab € 0,86*
pro Stück
 
 Stück
STMicroelectronics IGBT / 60 A ±20V max. , 650 V 108 W, 4-Pin TO-247 (2 Angebote) 
Dauer-Kollektorstrom max. = 60 A Kollektor-Emitter-Spannung = 650 V Gate-Source Spannung max. = ±20V Verlustleistung max. = 108 W Gehäusegröße = TO-247 Pinanzahl = 4
ST Microelectronics
STGWA30IH65DF
ab € 1,79*
pro Stück
 
 Stück
STMicroelectronics STB18N60M6 N-Kanal, SMD MOSFET Transistor / 13 A 110 W, 3-Pin D2PAK (TO-263) (1 Angebot) 
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 13 A Gehäusegröße = D2PAK (TO-263) Montage-Typ = SMD Pinanzahl = 3 Drain-Source-Widerstand max. = 280 mΩ Channel-Modus = Enhancement Gate-Schwellenspannung m...
ST Microelectronics
STB18N60M6
ab € 1.151,51*
pro 1.000 Stück
 
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