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| Artikel-Nr.:
822EL-7879367 Herst.-Nr.:
SIRA00DP-T1-GE3 EAN/GTIN:
5059040679443 |
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| Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 100 A
Drain-Source-Spannung max. = 30 V
Gehäusegröße = PowerPAK SO-8
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 8
Drain-Source-Widerstand max. = 1,35 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung min. = 1.1V
Verlustleistung max. = 104 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = –16 V, +20 V
Anzahl der Elemente pro Chip = 1
Serie = TrenchFET
N-Kanal MOSFET, TrenchFET Gen IV, Vishay Semiconductor Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 100 A | Drain-Source-Spannung max.: | 30 V | Gehäusegröße: | PowerPAK SO-8 | Montage-Typ: | SMD | Pinanzahl: | 8 | Drain-Source-Widerstand max.: | 1,35 mO | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung min.: | 1.1V | Verlustleistung max.: | 104 W | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Gate-Source Spannung max.: | –16 V, +20 V | Anzahl der Elemente pro Chip: | 1 | Serie: | TrenchFET |
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| Weitere Suchbegriffe: Schalttransistor, Transistor, mosfet vishay, smd transistor, 7879367, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Vishay, SIRA00DPT1GE3, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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