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Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 200V; 34,4A; Idm: 80A (2 Angebote) 
Hersteller: VISHAY Montage: SMD Gehäuse: PowerPAK® SO8 Drain-Source Spannung: 200V Drainstrom: 34,4A Widerstand im Leitungszustand: 39mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 104W Polarisierung...
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SIR690DP-T1-RE3
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Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 200V; 35,1A; Idm: 70A (2 Angebote) 
Hersteller: VISHAY Montage: SMD Gehäuse: TO263 Drain-Source Spannung: 200V Drainstrom: 35,1A Widerstand im Leitungszustand: 42,2mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 125W Polarisierung: unip...
Vishay
SUM90330E-GE3
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