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  MOSFET-Transistor  (25 651 Angebote unter 17 576 011 Artikeln)Zum Expertenwissen

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"MOSFET-Transistor"

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Infineon IPSA70R600P7S Transistor 700 V (1 Angebot)
Infineon
IPSA70R600P7SAKMA1
ab € 31,2705*
pro 75 Stück
 
 Packung
NEXPERIA BUK9Y14-40B,115 MOSFET AECQ101 N-KANAL 40V, 56A, LFPAK56 (1 Angebot) 
Rds(on)-Prüfspannung: 10 V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.009 ohm Produktpalette: TrenchMOS MSL: MSL 1 - unbegrenzt Anzahl der Pins: 4 Pin(s) Transistormontage: Oberflächenmontage Kanaltyp: n...
Nexperia
BUK9Y14-40B,115
ab € 0,37666*
pro Stück
 
 Stück
Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 500V; 12A; 200W; TO220AB (1 Angebot) 
Hersteller: IXYS Montage: THT Gehäuse: TO220AB Bereitschaftszeit: 300ns Drain-Source Spannung: 500V Drainstrom: 12A Widerstand im Leitungszustand: 0,5Ω Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 200...
IXYS
IXTP12N50P
ab € 1,82*
pro Stück
 
 Stück
Infineon CoolMOS IPP65R190CFD7XKSA1 N-Kanal, THT MOSFET 700 V / 12 A, 3-Pin TO-220 (1 Angebot) 
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 12 A Drain-Source-Spannung max. = 700 V Gehäusegröße = TO-220 Montage-Typ = THT Pinanzahl = 3 Drain-Source-Widerstand max. = 0,19 Ω Gate-Schwellenspannung ma...
Infineon
IPP65R190CFD7XKSA1
ab € 1,74*
pro Stück
 
 Stück
Transistor: N-MOSFET; POWER MOS 5®; unipolar; 200V; 100A; Idm: 400A (1 Angebot) 
Hersteller: MICROCHIP (MICROSEMI) Montage: THT Gehäuse: TO264 Drain-Source Spannung: 200V Drainstrom: 100A Widerstand im Leitungszustand: 22mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 520W Polaris...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT20M22LVRG
ab € 19,01*
pro Stück
 
 Stück
Infineon CoolMOS P6 IPA60R125P6XKSA1 N-Kanal, THT MOSFET Transistor & Diode 650 V / 87 A, 3-Pin TO-220 FP (1 Angebot) 
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 87 A Drain-Source-Spannung max. = 650 V Gehäusegröße = TO-220 FP Montage-Typ = THT Pinanzahl = 3 Drain-Source-Widerstand max. = 0,125 O Channel-Modus = Enhan...
Infineon
IPA60R125P6XKSA1
ab € 2,88*
pro Stück
 
 Stück
NEXPERIA BUK9Y40-55B,115 MOSFET AECQ101 N-KANAL 55V, 26A, LFPAK56 (1 Angebot) 
Anzahl der Pins: 4 Pin(s) Transistormontage: Oberflächenmontage Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10 V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.032 ohm Produktpalette: TrenchMOS MSL: MSL 1 - unbe...
Nexperia
BUK9Y40-55B,115
ab € 0,28548*
pro Stück
 
 Stück
Transistor: N-MOSFET; POWER MOS 5®; unipolar; 500V; 32A; Idm: 128A (1 Angebot) 
Hersteller: MICROCHIP (MICROSEMI) Montage: THT Gehäuse: TO247-3 Drain-Source Spannung: 500V Drainstrom: 32A Widerstand im Leitungszustand: 0,15Ω Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 370W Polar...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT5015BVRG
ab € 12,39*
pro Stück
 
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NEXPERIA BUK9M34-100EX MOSFET, AEC-Q101, N-KANAL 100V, SOT-1210 (1 Angebot) 
Rds(on)-Prüfspannung: 10 V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.028 ohm Produktpalette: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt Anzahl der Pins: 8 Pin(s) Transistormontage: Oberflächenmontage Kanaltyp: n-Kanal D...
Nexperia
BUK9M34-100EX
ab € 0,43389*
pro Stück
 
 Stück
Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 100V; 140A; 600W; TO247-3 (1 Angebot) 
Hersteller: IXYS Montage: THT Gehäuse: TO247-3 Drain-Source Spannung: 100V Drainstrom: 140A Widerstand im Leitungszustand: 11mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 600W Polarisierung: unipola...
IXYS
IXFH140N10P
ab € 5,34*
pro Stück
 
 Stück
Infineon IPU80R4K5P7 Transistor 800 V (2 Angebote)
Infineon
IPU80R4K5P7AKMA1
ab € 0,36*
pro Stück
 
 Stück
NEXPERIA BUK9Y72-80E,115 MOSFET, N-KANAL, 80V, 15V, LFPAK (2 Angebote) 
Rds(on)-Prüfspannung: 1.7 V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.059 ohm Produktpalette: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt Anzahl der Pins: 4 Pin(s) Transistormontage: Oberflächenmontage Kanaltyp: n-Kanal ...
Nexperia
BUK9Y72-80E,115
ab € 0,21273*
pro Stück
 
 Stück
Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 500V; 12A; 200W; TO263 (1 Angebot) 
Hersteller: IXYS Montage: SMD Gehäuse: TO263 Bereitschaftszeit: 300ns Drain-Source Spannung: 500V Drainstrom: 12A Widerstand im Leitungszustand: 0,5Ω Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 200W ...
IXYS
IXTA12N50P
ab € 1,89*
pro Stück
 
 Stück
Infineon CoolMOS IPP80R1K4P7XKSA1 N-Kanal, THT MOSFET 800 V / 4 A, 3-Pin TO-220 (1 Angebot) 
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 4 A Drain-Source-Spannung max. = 800 V Gehäusegröße = TO-220 Montage-Typ = THT Pinanzahl = 3 Drain-Source-Widerstand max. = 0,14 Ω Channel-Modus = Enhancemen...
Infineon
IPP80R1K4P7XKSA1
ab € 0,58*
pro Stück
 
 Stück
NEXPERIA BUK9M43-100EX MOSFET AEC-Q101, N-KANAL, 100V, SOT-1210 (1 Angebot) 
Rds(on)-Prüfspannung: 10 V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.034 ohm Produktpalette: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt Anzahl der Pins: 8 Pin(s) Transistormontage: Oberflächenmontage Kanaltyp: n-Kanal D...
Nexperia
BUK9M43-100EX
ab € 0,28354*
pro Stück
 
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