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  Schalttransistor  (23 155 Angebote unter 17 332 654 Artikeln)Zum Expertenwissen

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"Schalttransistor"

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Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1,2kV; 22A; TO263-7 (1 Angebot) 
Hersteller: LITTELFUSE Montage: SMD Gehäuse: TO263-7 Drain-Source Spannung: 1,2kV Drainstrom: 22A Widerstand im Leitungszustand: 0,16Ω Transistor-Typ: N-MOSFET Polarisierung: unipolar Verpackungs-A...
Littelfuse
LSIC1MO120T0160-TU
ab € 6,84*
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Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1,2kV; 4,7A; Idm: 13A; 30W (3 Angebote) 
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES Montage: THT Gehäuse: TO247-4 Drain-Source Spannung: 1,2kV Drainstrom: 4,7A Widerstand im Leitungszustand: 662mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 30W Pola...
Infineon
IMZ120R350M1HXKSA1
ab € 3,91*
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 Stück
Transistor: N-MOSFET; NextPowerS3; unipolar; 60V; 120A; Idm: 1135A (1 Angebot) 
Hersteller: NEXPERIA Montage: THT Gehäuse: TO220AB;SOT78 Drain-Source Spannung: 60V Drainstrom: 120A Widerstand im Leitungszustand: 5,1mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 338W Polarisierun...
Nexperia
PSMN2R0-60PSRQ
ab € 2,37*
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 Stück
Transistor: N-MOSFET; NextPowerS3; unipolar; 25V; 300A; Idm: 1758A (1 Angebot) 
Hersteller: NEXPERIA Montage: SMD Gehäuse: SOT669;PowerSO8;LFPAK56 Drain-Source Spannung: 25V Drainstrom: 300A Widerstand im Leitungszustand: 1,82mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 268W P...
Nexperia
PSMNR60-25YLHX
ab € 0,92*
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 Stück
Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1,2kV; 27A; Idm: 85A; 200W (1 Angebot) 
Hersteller: LUGUANG ELECTRONIC Montage: THT Gehäuse: TO247-4 Drain-Source Spannung: 1,2kV Drainstrom: 27A Widerstand im Leitungszustand: 0,122Ω Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 200W Polari...
LUGUANG ELECTRONIC
LGE3M70120Q
ab € 8,93*
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Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1,2kV; 43A; Idm: 145A; 327W (1 Angebot) 
Hersteller: LUGUANG ELECTRONIC Montage: THT Gehäuse: TO247-3 Drain-Source Spannung: 1,2kV Drainstrom: 43A Widerstand im Leitungszustand: 80mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 327W Polarisi...
LUGUANG ELECTRONIC
LGE3M50120B
ab € 9,95*
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Transistor: N-MOSFET; POWER MOS 5®; unipolar; 200V; 100A; Idm: 400A (1 Angebot) 
Hersteller: MICROCHIP (MICROSEMI) Montage: THT Gehäuse: TO247MAX Drain-Source Spannung: 200V Drainstrom: 100A Widerstand im Leitungszustand: 18mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 625W Pola...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT20M18B2VFRG
ab € 24,60*
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Transistor: N-MOSFET; NextPowerS3; unipolar; 30V; 100A; Idm: 793A (1 Angebot) 
Hersteller: NEXPERIA Montage: SMD Gehäuse: SOT669;PowerSO8;LFPAK56 Drain-Source Spannung: 30V Drainstrom: 100A Widerstand im Leitungszustand: 4,2mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 142W Po...
Nexperia
PSMN2R0-30YLDX
ab € 0,48*
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Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1,2kV; 29A; Idm: 82A; 231W (1 Angebot) 
Hersteller: SMC DIODE SOLUTIONS Montage: THT Gehäuse: TO247-4 Drain-Source Spannung: 1,2kV Drainstrom: 29A Widerstand im Leitungszustand: 137mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 231W Polari...
SMC DIODE SOLUTIONS
S2M0080120K
ab € 8,60*
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 Stück
Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1,2kV; 45A; Idm: 150A; 114W (3 Angebote) 
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES Montage: THT Gehäuse: TO247 Drain-Source Spannung: 1,2kV Drainstrom: 45A Widerstand im Leitungszustand: 57mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 114W Polaris...
Infineon
IMW120R030M1HXKSA1
ab € 10,82*
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 Stück
Transistor: N-MOSFET; POWER MOS 5®; unipolar; 500V; 47A; Idm: 188A (1 Angebot) 
Hersteller: MICROCHIP (MICROSEMI) Montage: THT Gehäuse: TO247MAX Drain-Source Spannung: 500V Drainstrom: 47A Widerstand im Leitungszustand: 0,1Ω Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 520W Polar...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT5010B2VRG
ab € 17,20*
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Transistor: N-MOSFET; NextPowerS3; unipolar; 30V; 284A; Idm: 1592A (1 Angebot) 
Hersteller: NEXPERIA Montage: SMD Gehäuse: SOT1023A Drain-Source Spannung: 30V Drainstrom: 284A Widerstand im Leitungszustand: 1,8mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 227W Polarisierung: un...
Nexperia
PSMN0R9-30ULDX
ab € 1,51*
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Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1,2kV; 31A; Idm: 70A; 300W (1 Angebot) 
Hersteller: LUGUANG ELECTRONIC Montage: THT Gehäuse: TO247-4 Drain-Source Spannung: 1,2kV Drainstrom: 31A Widerstand im Leitungszustand: 0,13Ω Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 300W Polaris...
LUGUANG ELECTRONIC
LGE3M80120Q
ab € 7,49*
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Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1,2kV; 50A; Idm: 130A; 357W (2 Angebote) 
Hersteller: LITTELFUSE Montage: THT Gehäuse: TO247-4 Drain-Source Spannung: 1,2kV Drainstrom: 50A Widerstand im Leitungszustand: 40mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 357W Polarisierung: u...
Littelfuse
LSIC1MO120G0040
ab € 20,15*
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Transistor: N-MOSFET; POWER MOS 5®; unipolar; 500V; 77A; Idm: 308A (1 Angebot) 
Hersteller: MICROCHIP (MICROSEMI) Montage: THT Gehäuse: TO264MAX Drain-Source Spannung: 500V Drainstrom: 77A Widerstand im Leitungszustand: 60mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 833W Polar...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT50M60L2VRG
ab € 35,47*
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