Kategorien
Mein Mercateo
Anmelden / Registrieren
Warenkorb
 
 
 >  >  >  > Schalttransistor

  Schalttransistor  (23 154 Angebote unter 17 334 566 Artikeln)Zum Expertenwissen

Folgende Filter helfen, die Artikelliste für die Suche „Schalttransistor“ nach Ihren Wünschen zu verfeinern:
Filtern: Preis vonbis  Wort 
Funktionen
☐
Übersicht
Anzeige
☐
☐
☐
☐
Bild
Bestellen
zurück
Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 20V; 177A; Idm: 150A (1 Angebot) 
Hersteller: VISHAY Montage: SMD Gehäuse: PowerPAK® SO8 Drain-Source Spannung: 20V Drainstrom: 177A Widerstand im Leitungszustand: 4,6mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 62,5W Polarisierung...
Vishay
SIR800ADP-T1-RE3
ab € 1 280,52*
pro 3 000 Stück
 
 Packung
Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 7,5A; Idm: 10A (2 Angebote) 
Hersteller: VISHAY Montage: SMD Gehäuse: PowerPAK® SO8 Drain-Source Spannung: 100V Drainstrom: 7,5A Widerstand im Leitungszustand: 0,23Ω Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 23W Polarisierung:...
Vishay
SIR698DP-T1-GE3
ab € 1 371,84*
pro 3 000 Stück
 
 Packung
Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 6,3A; Idm: 7A; 13W (2 Angebote) 
Hersteller: VISHAY Montage: SMD Drain-Source Spannung: 100V Drainstrom: 6,3A Widerstand im Leitungszustand: 0,31Ω Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 13W Polarisierung: unipolar Verpackungs-A...
Vishay
SIB456DK-T1-GE3
ab € 0,12816*
pro Stück
 
 Stück
Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 20V; 12A; Idm: 40A (2 Angebote) 
Hersteller: VISHAY Montage: SMD Drain-Source Spannung: 20V Drainstrom: 12A Widerstand im Leitungszustand: 18,5mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 19,2W Polarisierung: unipolar Verpackungs-...
Vishay
SIA430DJT-T1-GE3
ab € 0,1846*
pro Stück
 
 Stück
Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 20V; 30A; Idm: 70A (3 Angebote) 
Hersteller: VISHAY Montage: SMD Gehäuse: PowerPAK® SO8 Drain-Source Spannung: 20V Drainstrom: 30A Widerstand im Leitungszustand: 7,4mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 41,7W Polarisierung:...
Vishay
SIR424DP-T1-GE3
ab € 0,35144*
pro Stück
 
 Stück
Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 81A; Idm: 200A (3 Angebote) 
Hersteller: VISHAY Montage: SMD Gehäuse: PowerPAK® SO8 Drain-Source Spannung: 100V Drainstrom: 81A Widerstand im Leitungszustand: 7,7mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 100W Polarisierung:...
Vishay
SIR870BDP-T1-RE3
ab € 0,89494*
pro Stück
 
 Stück
Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 60A; Idm: 100A (1 Angebot) 
Hersteller: VISHAY Montage: SMD Gehäuse: PowerPAK® SO8 Drain-Source Spannung: 100V Drainstrom: 60A Widerstand im Leitungszustand: 7,8mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 104W Polarisierung:...
Vishay
SIR870DP-T1-GE3
ab € 4 484,28*
pro 3 000 Stück
 
 Packung
Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 20V; 16A; Idm: 32A (2 Angebote) 
Hersteller: VISHAY Montage: SMD Gehäuse: PowerPAK® 1212-8 Drain-Source Spannung: 20V Drainstrom: 16A Widerstand im Leitungszustand: 12,5mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 17,5W Polarisier...
Vishay
SIS438DN-T1-GE3
ab € 0,28354*
pro Stück
 
 Stück
Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 20V; 35A; Idm: 60A; 36W (2 Angebote) 
Hersteller: VISHAY Montage: SMD Gehäuse: PowerPAK® SO8 Drain-Source Spannung: 20V Drainstrom: 35A Widerstand im Leitungszustand: 6,3mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 36W Polarisierung: u...
Vishay
SIR410DP-T1-GE3
ab € 0,55641*
pro Stück
 
 Stück
Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 93,6A; Idm: 200A (2 Angebote) 
Hersteller: VISHAY Montage: SMD Gehäuse: PowerPAK® SO8 Drain-Source Spannung: 100V Drainstrom: 93,6A Widerstand im Leitungszustand: 7mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 104W Polarisierung:...
Vishay
SIR668ADP-T1-RE3
ab € 1,1552*
pro Stück
 
 Stück
Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 60A; Idm: 80A; 83W (2 Angebote) 
Hersteller: VISHAY Montage: SMD Gehäuse: PowerPAK® SO8 Drain-Source Spannung: 100V Drainstrom: 60A Widerstand im Leitungszustand: 11,5mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 83W Polarisierung:...
Vishay
SIR882DP-T1-GE3
ab € 0,97448*
pro Stück
 
 Stück
Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 20V; 1A; Idm: 1,4A (2 Angebote) 
Hersteller: VISHAY Montage: SMD Drain-Source Spannung: 20V Drainstrom: 1A Widerstand im Leitungszustand: 1,8Ω Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 1,25W Polarisierung: unipolar Verpackungs-Art...
Vishay
SIUD402ED-T1-GE3
ab € 0,05784*
pro Stück
 
 Packung
Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 20V; 50A; Idm: 80A; 69W (1 Angebot) 
Hersteller: VISHAY Montage: SMD Gehäuse: PowerPAK® SO8 Drain-Source Spannung: 20V Drainstrom: 50A Widerstand im Leitungszustand: 3,4mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 69W Polarisierung: u...
Vishay
SIR800DP-T1-GE3
ab € 3 244,41*
pro 3 000 Stück
 
 Packung
Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 95A; Idm: 200A (3 Angebote) 
Hersteller: VISHAY Montage: SMD Drain-Source Spannung: 100V Drainstrom: 95A Widerstand im Leitungszustand: 5,85mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 125W Polarisierung: unipolar Verpackungs-...
Vishay
SIDR170DP-T1-RE3
ab € 0,95*
pro Stück
 
 Stück
Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 65,8A; Idm: 150A (1 Angebot) 
Hersteller: VISHAY Montage: SMD Gehäuse: PowerPAK® SO8 Drain-Source Spannung: 100V Drainstrom: 65,8A Widerstand im Leitungszustand: 9mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 83,3W Polarisierung...
Vishay
SIR106DP-T1-RE3
ab € 3 247,74*
pro 3 000 Stück
 
 Packung
vorwärts
Artikel pro Seite: 10   15   20   50   100    Seite: zurück   1   ..   1241   1242   1243   1244   1245   1246   1247   1248   1249   1250   1251   ..   1544   vorwärts
Weitere Informationen zum Thema Schalttransistor
^

Ähnlichkeitssuche: FACT®Finder von Omikron
* Preise mit Sternchen sind Nettopreise zzgl. gesetzlich gültiger MwSt.
UVP bedeutet „Unverbindliche Preisempfehlung“
Unser Angebot richtet sich ausschließlich an Unternehmen, Gewerbetreibende und Freiberufler.