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  Transistor  (10.369 Angebote unter 17.320.280 Artikeln)Zum Expertenwissen

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"Transistor"

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Transistor: IGBT; PT; 600V; 36A; 290W; D3PAK (1 Angebot) 
Hersteller: MICROCHIP (MICROSEMI) Montage: SMD Gehäuse: D3PAK Kollektor-Emitter-Spannung: 600V Gate - Emitter Spannung: ±30V Kollektor-Emitter-Strom: 36A Kollektorstrom im Impuls: 109A Anschaltzeit...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT36GA60SD15
ab € 7,85*
pro Stück
 
 Stück
Infineon IGBT-Modul / 200 A 20V max. 6-fach, 1200 V 20 mW, 20-Pin Modul N-Kanal (1 Angebot) 
Dauer-Kollektorstrom max. = 200 A Kollektor-Emitter-Spannung = 1200 V Gate-Source Spannung max. = 20V Verlustleistung max. = 20 mW Gehäusegröße = Modul Channel-Typ = N Pinanzahl = 20 Transistor-Kon...
Infineon
FS200R12PT4PBOSA1
ab € 1.453,19004*
pro 6 Stück
 
 Packung
Transistor: IGBT; NPT; 1,7kV; 24A; 250W; TO268 (1 Angebot) 
Hersteller: IXYS Montage: SMD Gehäuse: TO268 Kollektor-Emitter-Spannung: 1,7kV Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 24A Kollektorstrom im Impuls: 75A Anschaltzeit: 54ns Ausschaltz...
IXYS
IXGT24N170A
ab € 8,46*
pro Stück
 
 Stück
Transistor: IGBT; PT; 600V; 36A; 290W; TO247-3 (1 Angebot) 
Hersteller: MICROCHIP (MICROSEMI) Montage: THT Gehäuse: TO247-3 Kollektor-Emitter-Spannung: 600V Gate - Emitter Spannung: ±30V Kollektor-Emitter-Strom: 36A Kollektorstrom im Impuls: 109A Anschaltze...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT36GA60BD15
ab € 6,79*
pro Stück
 
 Stück
Infineon IGBT-Modul / 100 A ±20V max., 1200 V 515 W AG-ECONO3-4 N-Kanal (1 Angebot) 
Dauer-Kollektorstrom max. = 100 A Kollektor-Emitter-Spannung = 1200 V Gate-Source Spannung max. = ±20V Verlustleistung max. = 515 W Gehäusegröße = AG-ECONO3-4 Montage-Typ = Tafelmontage Channel-Typ...
Infineon
FS100R12KT4GBOSA1
ab € 141,21*
pro Stück
 
 Stück
Transistor: IGBT; Planar; 1,2kV; 5A; 45W; TO268 (1 Angebot) 
Hersteller: IXYS Montage: SMD Gehäuse: TO268 Kollektor-Emitter-Spannung: 1,2kV Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 5A Kollektorstrom im Impuls: 9A Anschaltzeit: 110ns Ausschaltze...
IXYS
IXA4IF1200TC
ab € 3,43*
pro Stück
 
 Stück
Transistor: IGBT; PT; 600V; 44A; 337W; TO247-3 (1 Angebot) 
Hersteller: MICROCHIP (MICROSEMI) Montage: THT Gehäuse: TO247-3 Kollektor-Emitter-Spannung: 600V Gate - Emitter Spannung: ±30V Kollektor-Emitter-Strom: 44A Kollektorstrom im Impuls: 130A Anschaltze...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT44GA60BD30
ab € 7,03*
pro Stück
 
 Stück
Infineon IGBT-Modul / 200 A ±20V max. 6-fach, 600 V 600 W EconoPACK (1 Angebot) 
Dauer-Kollektorstrom max. = 200 A Kollektor-Emitter-Spannung = 600 V Gate-Source Spannung max. = ±20V Verlustleistung max. = 600 W Gehäusegröße = EconoPACK
Infineon
FS200R06KE3BOSA1
ab € 2.287,18*
pro 10 Stück
 
 Packung
Transistor: IGBT; NPT; 1,7kV; 3A; 75W; TO268 (1 Angebot) 
Hersteller: IXYS Montage: SMD Gehäuse: TO268 Kollektor-Emitter-Spannung: 1,7kV Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 3A Kollektorstrom im Impuls: 14A Anschaltzeit: 91ns Ausschaltze...
IXYS
IXGT6N170A
ab € 10,00*
pro Stück
 
 Stück
Transistor: IGBT; PT; 600V; 54A; 416W; TO247-3 (1 Angebot) 
Hersteller: MICROCHIP (MICROSEMI) Montage: THT Gehäuse: TO247-3 Kollektor-Emitter-Spannung: 600V Gate - Emitter Spannung: ±30V Kollektor-Emitter-Strom: 54A Kollektorstrom im Impuls: 161A Anschaltze...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT54GA60BD30
ab € 7,59*
pro Stück
 
 Stück
Infineon IGBT-Modul / 105 A ±20V max. 7-fach, 1200 V 355 W EconoPIM (1 Angebot) 
Dauer-Kollektorstrom max. = 105 A Kollektor-Emitter-Spannung = 1200 V Gate-Source Spannung max. = ±20V Anzahl an Transistoren = 7 Gehäusegröße = EconoPIM
Infineon
FP75R12KT3BOSA1
ab € 2.083,00*
pro 10 Stück
 
 Packung
Transistor: IGBT; PT; 1,2kV; 33A; 417W; TO247-3 (1 Angebot) 
Hersteller: MICROCHIP (MICROSEMI) Montage: THT Gehäuse: TO247-3 Kollektor-Emitter-Spannung: 1,2kV Gate - Emitter Spannung: ±30V Kollektor-Emitter-Strom: 33A Kollektorstrom im Impuls: 90A Anschaltze...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT25GP120BDQ1G
ab € 11,90*
pro Stück
 
 Stück
Infineon IGBT-Modul / 100 A +/-20V max., 1200 V 355 W Modul (1 Angebot) 
Dauer-Kollektorstrom max. = 100 A Kollektor-Emitter-Spannung = 1200 V Gate-Source Spannung max. = +/-20V Verlustleistung max. = 355 W Gehäusegröße = Modul Montage-Typ = Tafelmontage
Infineon
FS75R12KT3GBOSA1
ab € 1.520,94*
pro 10 Stück
 
 Packung
Transistor: IGBT; PT; 600V; 54A; 416W; TO247-3 (1 Angebot) 
Hersteller: MICROCHIP (MICROSEMI) Montage: THT Gehäuse: TO247-3 Kollektor-Emitter-Spannung: 600V Gate - Emitter Spannung: ±30V Kollektor-Emitter-Strom: 54A Kollektorstrom im Impuls: 161A Anschaltze...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT54GA60B
ab € 6,34*
pro Stück
 
 Stück
Infineon IGBT-Modul / 200 A ±20V max., 1200 V 700 W AG-ECONO3-4 N-Kanal (1 Angebot) 
Dauer-Kollektorstrom max. = 200 A Kollektor-Emitter-Spannung = 1200 V Gate-Source Spannung max. = ±20V Verlustleistung max. = 700 W Gehäusegröße = AG-ECONO3-4 Montage-Typ = Tafelmontage Channel-Typ...
Infineon
FS150R12KE3BOSA1
ab € 186,67*
pro Stück
 
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