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  Schalttransistor  (10.371 Angebote unter 17.323.630 Artikeln)Zum Expertenwissen

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"Schalttransistor"

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Nexperia MJD42C-QJ SMD, PNP Transistor –100 V / -6 A, DPAK (TO-252) (2 Angebote) 
Transistor-Typ = PNP DC Kollektorstrom max. = -6 A Kollektor-Emitter-Spannung = –100 V Gehäusegröße = DPAK (TO-252) Montage-Typ = SMD Gleichstromverstärkung min. = 30
Nexperia
MJD42C-QJ
ab € 0,17199*
pro Stück
 
 Stück
Transistor: N-MOSFET; PolarHT™; unipolar; 500V; 16A; 300W; TO220AB (1 Angebot) 
Hersteller: IXYS Montage: THT Gehäuse: TO220AB Bereitschaftszeit: 400ns Drain-Source Spannung: 500V Drainstrom: 16A Widerstand im Leitungszustand: 0,4Ω Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 300...
IXYS
IXTP16N50P
ab € 2,24*
pro Stück
 
 Stück
Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 100V; 170A; 715W; TO247-3 (3 Angebote) 
Hersteller: IXYS Montage: THT Gehäuse: TO247-3 Bereitschaftszeit: 120ns Drain-Source Spannung: 100V Drainstrom: 170A Widerstand im Leitungszustand: 9mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 715...
IXYS
IXFH170N10P
ab € 7,31*
pro Stück
 
 Stück
Nexperia PDTC114YQCZ SMD, NPN Digitaler Transistor 3 50 V / 100 mA, DFN1412D-3 (1 Angebot) 
Transistor-Typ = NPN DC Kollektorstrom max. = 100 mA Kollektor-Emitter-Spannung = 50 V Gehäusegröße = DFN1412D-3 Montage-Typ = SMD Anzahl der Elemente pro Chip = 3
Nexperia
PDTC114YQCZ
ab € 151,65*
pro 5.000 Stück
 
 Packung
Nexperia MMBT2222A,215 SMD, NPN Transistor 40 V / 600 mA, SOT-23 (TO-236AB) 3-Pin (1 Angebot) 
Transistor-Typ = NPN DC Kollektorstrom max. = 600 mA Kollektor-Emitter-Spannung = 40 V Gehäusegröße = SOT-23 (TO-236AB) Montage-Typ = SMD Verlustleistung max. = 250 mW Gleichstromverstärkung min. =...
Nexperia
MMBT2222A,215
ab € 60,93*
pro 3.000 Stück
 
 Packung
Transistor: N-MOSFET; PolarHT™; unipolar; 300V; 88A; 600W; TO3P (2 Angebote) 
Hersteller: IXYS Montage: THT Gehäuse: TO3P Bereitschaftszeit: 250ns Drain-Source Spannung: 300V Drainstrom: 88A Widerstand im Leitungszustand: 40mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 600W P...
IXYS
IXTQ88N30P
ab € 7,01*
pro Stück
 
 Stück
Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 150V; 180A; 800W; TO264 (2 Angebote) 
Hersteller: IXYS Montage: THT Gehäuse: TO264 Bereitschaftszeit: 150ns Drain-Source Spannung: 150V Drainstrom: 180A Widerstand im Leitungszustand: 11mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 800W...
IXYS
IXTK180N15P
ab € 9,58*
pro Stück
 
 Stück
Nexperia PDTC123JQBZ SMD, NPN Digitaler Transistor 3 50 V / 100 mA, DFN1110D-3 (1 Angebot) 
Transistor-Typ = NPN DC Kollektorstrom max. = 100 mA Kollektor-Emitter-Spannung = 50 V Gehäusegröße = DFN1110D-3 Montage-Typ = SMD Anzahl der Elemente pro Chip = 3
Nexperia
PDTC123JQBZ
ab € 152,25*
pro 5.000 Stück
 
 Packung
Nexperia PDTC123JQCZ SMD, NPN Digitaler Transistor 3 50 V / 100 mA, DFN1412D-3 (1 Angebot) 
Transistor-Typ = NPN DC Kollektorstrom max. = 100 mA Kollektor-Emitter-Spannung = 50 V Gehäusegröße = DFN1412D-3 Montage-Typ = SMD Anzahl der Elemente pro Chip = 3
Nexperia
PDTC123JQCZ
ab € 152,00*
pro 5.000 Stück
 
 Packung
Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 100V; 110A; 480W; TO247-3 (4 Angebote) 
Hersteller: IXYS Montage: THT Gehäuse: TO247-3 Drain-Source Spannung: 100V Drainstrom: 110A Widerstand im Leitungszustand: 15mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 480W Polarisierung: unipola...
IXYS
IXFH110N10P
ab € 4,08*
pro Stück
 
 Stück
Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 200V; 120A; 714W; TO247-3 (4 Angebote) 
Hersteller: IXYS Montage: THT Gehäuse: TO247-3 Bereitschaftszeit: 100ns Drain-Source Spannung: 200V Drainstrom: 120A Widerstand im Leitungszustand: 22mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 71...
IXYS
IXFH120N20P
ab € 7,47*
pro Stück
 
 Stück
Nexperia PDTC124EQBZ SMD, NPN Digitaler Transistor 3 50 V / 100 mA, DFN1110D-3 (1 Angebot) 
Transistor-Typ = NPN DC Kollektorstrom max. = 100 mA Kollektor-Emitter-Spannung = 50 V Gehäusegröße = DFN1110D-3 Montage-Typ = SMD Anzahl der Elemente pro Chip = 3
Nexperia
PDTC124EQBZ
ab € 152,05*
pro 5.000 Stück
 
 Packung
Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 250V; 120A; 700W; TO264 (2 Angebote) 
Hersteller: IXYS Montage: THT Gehäuse: TO264 Bereitschaftszeit: 200ns Drain-Source Spannung: 250V Drainstrom: 120A Widerstand im Leitungszustand: 24mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 700W...
IXYS
IXTK120N25P
ab € 9,36*
pro Stück
 
 Stück
Nexperia PDTC124EQCZ SMD, NPN Digitaler Transistor 3 50 V / 100 mA, DFN1412D-3 (1 Angebot) 
Transistor-Typ = NPN DC Kollektorstrom max. = 100 mA Kollektor-Emitter-Spannung = 50 V Gehäusegröße = DFN1412D-3 Montage-Typ = SMD Anzahl der Elemente pro Chip = 3
Nexperia
PDTC124EQCZ
ab € 152,10*
pro 5.000 Stück
 
 Packung
Nexperia PDTA143TU,115 SMD, PNP Digitaler Transistor –50 V / -100 mA, UMT 3-Pin (2 Angebote) 
Transistor-Typ = PNP DC Kollektorstrom max. = -100 mA Kollektor-Emitter-Spannung = –50 V Gehäusegröße = UMT Montage-Typ = SMD Transistor-Konfiguration = Einfach Basis-Emitter Spannung max. = 5 V Pi...
Nexperia
PDTA143TU,115
ab € 0,445*
pro 25 Stück
 
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