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  Schalttransistor  (10.652 Angebote unter 17.420.211 Artikeln)Zum Expertenwissen

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Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 23A; 570W; ISOPLUS247™ (2 Angebote) 
Hersteller: IXYS Montage: THT Gehäuse: ISOPLUS247™ Drain-Source Spannung: 1kV Drainstrom: 23A Widerstand im Leitungszustand: 0,35Ω Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 570W Polarisierung: unip...
IXYS
IXFR32N100Q3
ab € 31,04*
pro Stück
 
 Stück
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 24A; 1000W; TO264 (4 Angebote) 
Hersteller: IXYS Montage: THT Gehäuse: TO264 Drain-Source Spannung: 1kV Drainstrom: 24A Widerstand im Leitungszustand: 440mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 1kW Polarisierung: unipolar Ve...
IXYS
IXFK24N100Q3
ab € 17,55*
pro Stück
 
 Stück
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 3,3A; 50W; TO220AB (7 Angebote) 
Hersteller: VISHAY Montage: THT Gehäuse: TO220AB Drain-Source Spannung: 200V Drainstrom: 3,3A Widerstand im Leitungszustand: 0,8Ω Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 50W Polarisierung: unipol...
Vishay
IRF620PBF
ab € 0,28*
pro Stück
 
 Stück
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 0,38A; 1W; DIP4 (3 Angebote) 
Hersteller: VISHAY Montage: THT Gehäuse: DIP4 Drain-Source Spannung: 200V Drainstrom: 0,38A Widerstand im Leitungszustand: 1,5Ω Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 1W Polarisierung: unipolar ...
Vishay
IRFD210PBF
ab € 0,17*
pro Stück
 
 Stück
ROHM IGBT / 50 A ±30V max. , 650 V 348 W, 3-Pin TO-247N N-Kanal (1 Angebot) 
Dauer-Kollektorstrom max. = 50 A Kollektor-Emitter-Spannung = 650 V Gate-Source Spannung max. = ±30V Verlustleistung max. = 348 W Konfiguration = Single Montage-Typ = THT Channel-Typ = N Pinanzahl ...
ROHM Semiconductor
RGWX5TS65DHRC11
ab € 2.537,9415*
pro 450 Stück
 
 Packung
Infineon
BSP149H6327XTSA1
ab € 0,50*
pro Stück
 
 Stück
Infineon
IRF5801TRPBF
ab € 0,122*
pro Stück
 
 Stück
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 3A; Idm: 19A; 42W; DPAK,TO252 (2 Angebote) 
Hersteller: VISHAY Montage: SMD Gehäuse: DPAK;TO252 Drain-Source Spannung: 200V Drainstrom: 3A Widerstand im Leitungszustand: 0,8Ω Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 42W Polarisierung: unipo...
Vishay
IRFR220PBF
ab € 0,31*
pro Stück
 
 Stück
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 18A; 150W; D2PAK (5 Angebote) 
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES Montage: SMD Gehäuse: D2PAK Drain-Source Spannung: 200V Drainstrom: 18A Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 150W Polarisierung: unipolar Verpackungs-Art: Rol...
Infineon
IRF640NSTRLPBF
ab € 0,55*
pro Stück
 
 Stück
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 18A; 150W; TO220AB (7 Angebote) 
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES Montage: THT Gehäuse: TO220AB Drain-Source Spannung: 200V Drainstrom: 18A Widerstand im Leitungszustand: 0,15Ω Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 150W Polar...
Infineon
IRF640NPBF
ab € 0,41*
pro Stück
 
 Stück
ROHM IMX25T110 SMD, NPN Transistor Dual 20 V / 300 mA 10 MHz, SOT-457 6-Pin (2 Angebote) 
Transistor-Typ = NPN DC Kollektorstrom max. = 300 mA Kollektor-Emitter-Spannung = 20 V Gehäusegröße = SOT-457 Montage-Typ = SMD Verlustleistung max. = 300 mW Gleichstromverstärkung min. = 820 Trans...
ROHM Semiconductor
IMX25T110
ab € 0,385*
pro 5 Stück
 
 Packung
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 44A; 320W; TO220AB (3 Angebote) 
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES Montage: THT Gehäuse: TO220AB Drain-Source Spannung: 200V Drainstrom: 44A Widerstand im Leitungszustand: 54mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 320W Polari...
Infineon
IRFB38N20DPBF
ab € 1,087*
pro Stück
 
 Stück
Infineon
IRFP4127PBF
ab € 2,15*
pro Stück
 
 Stück
Infineon
IRFP4668PBF
ab € 2,77*
pro Stück
 
 Stück
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 0,18A; 0,7W; TO92 (2 Angebote) 
Hersteller: DIODES INCORPORATED Montage: THT Gehäuse: TO92 Drain-Source Spannung: 200V Drainstrom: 0,18A Widerstand im Leitungszustand: 10Ω Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 0,7W Polarisier...
Diodes
ZVNL120A
ab € 0,32*
pro Stück
 
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