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  Schalttransistor  (10.652 Angebote unter 17.420.497 Artikeln)Zum Expertenwissen

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"Schalttransistor"

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Infineon IRFB4321PBF Transistor 150 V 59 A MOSFET (3 Angebote)
Infineon
IRFB4321PBF
ab € 1,485*
pro Stück
 
 Stück
ROHM EMD6T2R SMD, PNP/NPN Digitaler Transistor Dual 50 V / 100 mA, SOT-563 6-Pin (2 Angebote) 
Transistor-Typ = PNP/NPN DC Kollektorstrom max. = 100 mA Kollektor-Emitter-Spannung = 50 V Gehäusegröße = SOT-563 Montage-Typ = SMD Gleichstromverstärkung min. = 100 Pinanzahl = 6 Anzahl der Elemen...
ROHM Semiconductor
EMD6T2R
ab € 0,0427*
pro Stück
 
 Stück
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 0,2A; 580mW; SC62,SOT89 (3 Angebote) 
Hersteller: NEXPERIA Montage: SMD Gehäuse: SOT89;SC62 Drain-Source Spannung: 200V Drainstrom: 0,2A Widerstand im Leitungszustand: 7Ω Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 0,58W Polarisierung: u...
Nexperia
BSS87,115
ab € 0,122*
pro Stück
 
 Stück
Infineon BSP297 Transistor 60 V (4 Angebote)
Infineon
BSP297H6327XTSA1
ab € 0,32*
pro Stück
 
 Stück
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 1,7A; 25W; DPAK,TO252 (2 Angebote) 
Hersteller: VISHAY Montage: SMD Gehäuse: DPAK;TO252 Drain-Source Spannung: 200V Drainstrom: 1,7A Widerstand im Leitungszustand: 1,5Ω Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 25W Polarisierung: uni...
Vishay
IRFR210PBF
ab € 0,32*
pro Stück
 
 Stück
ROHM DTD123YCHZGT116 SMD, NPN Digitaler Transistor 50 V / 500 mA, SOT-23 3-Pin (2 Angebote) 
Transistor-Typ = NPN DC Kollektorstrom max. = 500 mA Kollektor-Emitter-Spannung = 50 V Gehäusegröße = SOT-23 Montage-Typ = SMD Pinanzahl = 3 Anzahl der Elemente pro Chip = 1 Der digitale Rohm Trans...
ROHM Semiconductor
DTD123YCHZGT116
ab € 0,61*
pro 20 Stück
 
 Packung
ROHM IGBT / 23 A ±30V max. , 650 V 85 W, 3-Pin TO-3PFM N-Kanal (1 Angebot) 
Dauer-Kollektorstrom max. = 23 A Kollektor-Emitter-Spannung = 650 V Gate-Source Spannung max. = ±30V Verlustleistung max. = 85 W Gehäusegröße = TO-3PFM Montage-Typ = THT Channel-Typ = N Pinanzahl =...
ROHM Semiconductor
RGTV80TK65GVC11
ab € 1.456,272*
pro 450 Stück
 
 Packung
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 11A; 125W; TO220AB (3 Angebote) 
Hersteller: VISHAY Montage: THT Gehäuse: TO220AB Drain-Source Spannung: 200V Drainstrom: 11A Widerstand im Leitungszustand: 0,27Ω Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 125W Polarisierung: unipo...
Vishay
IRL640PBF
ab € 0,78*
pro Stück
 
 Stück
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 12A; 150W; TO247AC (3 Angebote) 
Hersteller: VISHAY Montage: THT Gehäuse: TO247AC Drain-Source Spannung: 200V Drainstrom: 12A Widerstand im Leitungszustand: 0,18Ω Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 150W Polarisierung: unipo...
Vishay
IRFP240PBF
ab € 1,01*
pro Stück
 
 Stück
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 0,55A; 1,5W; SC73,SOT223 (2 Angebote) 
Hersteller: NEXPERIA Montage: SMD Gehäuse: SOT223;SC73 Drain-Source Spannung: 200V Drainstrom: 0,55A Widerstand im Leitungszustand: 2,5Ω Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 1,5W Polarisierung...
Nexperia
BSP122,115
ab € 0,23116*
pro Stück
 
 Stück
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 0,5A; 1W; DIP4 (3 Angebote) 
Hersteller: VISHAY Montage: THT Gehäuse: DIP4 Drain-Source Spannung: 200V Drainstrom: 0,5A Widerstand im Leitungszustand: 0,8Ω Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 1W Polarisierung: unipolar G...
Vishay
IRFD220PBF
ab € 0,39*
pro Stück
 
 Stück
ROHM EMX26T2R SMD, NPN Transistor Dual 50 V / 150 mA 100 MHz, SOT-563 6-Pin (2 Angebote) 
Transistor-Typ = NPN DC Kollektorstrom max. = 150 mA Kollektor-Emitter-Spannung = 50 V Gehäusegröße = SOT-563 Montage-Typ = SMD Verlustleistung max. = 150 mW Gleichstromverstärkung min. = 820 Trans...
ROHM Semiconductor
EMX26T2R
ab € 0,515*
pro 5 Stück
 
 Packung
ROHM IGBT / 104 A ±30V max. , 650 V 288 W To-247GE (1 Angebot) 
Dauer-Kollektorstrom max. = 104 A Kollektor-Emitter-Spannung = 650 V Gate-Source Spannung max. = ±30V Verlustleistung max. = 288 W Gehäusegröße = To-247GE
ROHM Semiconductor
RGWSX2TS65DGC13
ab € 2.128,692*
pro 600 Stück
 
 Packung
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 2,1A; 36W; TO220AB (7 Angebote) 
Hersteller: VISHAY Montage: THT Gehäuse: TO220AB Drain-Source Spannung: 200V Drainstrom: 2,1A Widerstand im Leitungszustand: 1,5Ω Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 36W Polarisierung: unipol...
Vishay
IRF610PBF
ab € 0,228*
pro Stück
 
 Stück
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 11A; 136W; DPAK,TO252 (2 Angebote) 
Hersteller: VISHAY Montage: SMD Gehäuse: DPAK;TO252 Drain-Source Spannung: 200V Drainstrom: 11A Widerstand im Leitungszustand: 90mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 136W Polarisierung: uni...
Vishay
SUD19N20-90-E3
ab € 1,05*
pro Stück
 
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