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  Schalttransistor  (10.577 Angebote unter 17.393.648 Artikeln)Zum Expertenwissen

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ROHM IGBT / 51 A ±30V max. , 650 V 156 W To-247GE (1 Angebot) 
Dauer-Kollektorstrom max. = 51 A Kollektor-Emitter-Spannung = 650 V Gate-Source Spannung max. = ±30V Verlustleistung max. = 156 W Gehäusegröße = To-247GE
ROHM Semiconductor
RGWS60TS65DGC13
ab € 1.387,182*
pro 600 Stück
 
 Packung
Infineon
IRFP250NPBF
ab € 0,95*
pro Stück
 
 Stück
ROHM IGBT / 85 A ±30V max. , 650 V 277 W To-247GE (1 Angebot) 
Dauer-Kollektorstrom max. = 85 A Kollektor-Emitter-Spannung = 650 V Gate-Source Spannung max. = ±30V Verlustleistung max. = 277 W Gehäusegröße = To-247GE
ROHM Semiconductor
RGTH00TS65DGC13
ab € 2.173,224*
pro 600 Stück
 
 Packung
ROHM IGBT / 65 A ±30V max. , 600 V 148 W To-247GE (1 Angebot) 
Dauer-Kollektorstrom max. = 65 A Kollektor-Emitter-Spannung = 600 V Gate-Source Spannung max. = ±30V Anzahl an Transistoren = 1 Gehäusegröße = To-247GE
ROHM Semiconductor
RGCL80TS60GC13
ab € 1.701,924*
pro 600 Stück
 
 Packung
ROHM IGBT / 88 A ±30V max. , 650 V 245 W To-247GE (1 Angebot) 
Dauer-Kollektorstrom max. = 88 A Kollektor-Emitter-Spannung = 650 V Gate-Source Spannung max. = ±30V Verlustleistung max. = 245 W Gehäusegröße = To-247GE
ROHM Semiconductor
RGWS00TS65DGC13
ab € 1.683,612*
pro 600 Stück
 
 Packung
ROHM IGBT / 95 A ±30V max., 650 V 276 W, 3-Pin TO-247 (1 Angebot) 
Dauer-Kollektorstrom max. = 95 A Kollektor-Emitter-Spannung = 650 V Gate-Source Spannung max. = ±30V Verlustleistung max. = 276 W Gehäusegröße = TO-247 Montage-Typ = THT Pinanzahl = 3 Transistor-Ko...
ROHM Semiconductor
RGTV00TS65GC11
ab € 5,37*
pro 2 Stück
 
 Packung
ROHM IMX25T110 SMD, NPN Transistor Dual 20 V / 300 mA 10 MHz, SOT-457 6-Pin (2 Angebote) 
Transistor-Typ = NPN DC Kollektorstrom max. = 300 mA Kollektor-Emitter-Spannung = 20 V Gehäusegröße = SOT-457 Montage-Typ = SMD Verlustleistung max. = 300 mW Gleichstromverstärkung min. = 820 Trans...
ROHM Semiconductor
IMX25T110
ab € 0,385*
pro 5 Stück
 
 Packung
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 18A; 150W; TO220AB (7 Angebote) 
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES Montage: THT Gehäuse: TO220AB Drain-Source Spannung: 200V Drainstrom: 18A Widerstand im Leitungszustand: 0,15Ω Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 150W Polar...
Infineon
IRF640NPBF
ab € 0,41*
pro Stück
 
 Stück
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 3A; Idm: 19A; 42W; DPAK,TO252 (2 Angebote) 
Hersteller: VISHAY Montage: SMD Gehäuse: DPAK;TO252 Drain-Source Spannung: 200V Drainstrom: 3A Widerstand im Leitungszustand: 0,8Ω Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 42W Polarisierung: unipo...
Vishay
IRFR220PBF
ab € 0,31*
pro Stück
 
 Stück
ROHM IGBT / 48 A ±30V max. , 600 V 111 W To-247GE (1 Angebot) 
Dauer-Kollektorstrom max. = 48 A Kollektor-Emitter-Spannung = 600 V Gate-Source Spannung max. = ±30V Anzahl an Transistoren = 1 Konfiguration = Einfach-Kollektor, Einfach-Emitter, Einfach-Gate
ROHM Semiconductor
RGCL60TS60GC13
ab € 1.290,912*
pro 600 Stück
 
 Packung
ROHM IGBT / 23 A ±30V max. , 650 V 85 W, 3-Pin TO-3PFM N-Kanal (1 Angebot) 
Dauer-Kollektorstrom max. = 23 A Kollektor-Emitter-Spannung = 650 V Gate-Source Spannung max. = ±30V Verlustleistung max. = 85 W Gehäusegröße = TO-3PFM Montage-Typ = THT Channel-Typ = N Pinanzahl =...
ROHM Semiconductor
RGTV80TK65GVC11
ab € 1.457,0235*
pro 450 Stück
 
 Packung
Infineon
BSP149H6327XTSA1
ab € 0,50*
pro Stück
 
 Stück
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 5A; 43W; DPAK (4 Angebote) 
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES Montage: SMD Gehäuse: DPAK Drain-Source Spannung: 200V Drainstrom: 5A Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 43W Polarisierung: unipolar Verpackungs-Art: Rolle ...
Infineon
IRFR220NTRLPBF
ab € 0,229*
pro Stück
 
 Stück
Infineon
IRF5801TRPBF
ab € 0,122*
pro Stück
 
 Stück
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 11A; 125W; TO220AB (3 Angebote) 
Hersteller: VISHAY Montage: THT Gehäuse: TO220AB Drain-Source Spannung: 200V Drainstrom: 11A Widerstand im Leitungszustand: 0,27Ω Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 125W Polarisierung: unipo...
Vishay
IRL640PBF
ab € 0,77*
pro Stück
 
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