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  Schalttransistor  (23 155 Angebote unter 17 330 392 Artikeln)Zum Expertenwissen

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onsemi NTH NTHL160N120SC1 N-Kanal, THT MOSFET Transistor 1200 V / 29 A, 3-Pin TO-247 (3 Angebote) 
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 29 A Drain-Source-Spannung max. = 1200 V Serie = NTH Montage-Typ = THT Pinanzahl = 3 Drain-Source-Widerstand max. = 0,11 Ω Channel-Modus = Enhancement Gate-S...
onsemi
NTHL160N120SC1
ab € 3,81*
pro Stück
 
 Stück
Transistor: N-MOSFET; POWER MOS 5®; unipolar; 200V; 56A; Idm: 224A (1 Angebot) 
Hersteller: MICROCHIP (MICROSEMI) Montage: THT Gehäuse: TO247-3 Drain-Source Spannung: 200V Drainstrom: 56A Widerstand im Leitungszustand: 45mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 300W Polari...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT20M45BVRG
ab € 10,13*
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 Stück
Nexperia PDTC124EQC-QZ SMD, NPN Digitaler Transistor 3 50 V / 100 mA, DFN1412D-3 (1 Angebot) 
Transistor-Typ = NPN DC Kollektorstrom max. = 100 mA Kollektor-Emitter-Spannung = 50 V Gehäusegröße = DFN1412D-3 Montage-Typ = SMD Anzahl der Elemente pro Chip = 3
Nexperia
PDTC124EQC-QZ
ab € 0,0407*
pro Stück
 
 Stück
Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 300V; 69A; 500W; TO3P; 330ns (2 Angebote) 
Hersteller: IXYS Montage: THT Gehäuse: TO3P Bereitschaftszeit: 330ns Drain-Source Spannung: 300V Drainstrom: 69A Widerstand im Leitungszustand: 49mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 500W P...
IXYS
IXTQ69N30P
ab € 5,46*
pro Stück
 
 Stück
Transistor: N-MOSFET; POWER MOS 5®; unipolar; 1kV; 13A; Idm: 52A (1 Angebot) 
Hersteller: MICROCHIP (MICROSEMI) Montage: THT Gehäuse: TO247-3 Drain-Source Spannung: 1kV Drainstrom: 13A Widerstand im Leitungszustand: 860mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 370W Polari...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT10086BVFRG
ab € 19,16*
pro Stück
 
 Stück
Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1,2kV; 15A; Idm: 40A; 125W (1 Angebot) 
Hersteller: MICROCHIP (MICROSEMI) Montage: SMD Gehäuse: D3PAK Drain-Source Spannung: 1,2kV Drainstrom: 15A Widerstand im Leitungszustand: 0,225Ω Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 125W Polar...
MICROCHIP (MICROSEMI)
MSC180SMA120S
ab € 8,36*
pro Stück
 
 Stück
onsemi 2N6487G THT, NPN Transistor 60 V dc / 15 A 1 kHz, TO-220 3-Pin (2 Angebote) 
Transistor-Typ = NPN DC Kollektorstrom max. = 15 A Kollektor-Emitter-Spannung = 60 V dc Gehäusegröße = TO-220 Montage-Typ = THT Verlustleistung max. = 75 W Gleichstromverstärkung min. = 20 Transist...
onsemi
2N6487G
ab € 0,36*
pro Stück
 
 Stück
Transistor: N-MOSFET; POWER MOS 5®; unipolar; 300V; 48A; Idm: 192A (1 Angebot) 
Hersteller: MICROCHIP (MICROSEMI) Montage: THT Gehäuse: TO247-3 Drain-Source Spannung: 300V Drainstrom: 48A Widerstand im Leitungszustand: 70mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 370W Polari...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT30M70BVFRG
ab € 14,45*
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 Stück
Nexperia PDTC124ET,215 SMD, NPN Digitaler Transistor 50 V / 100 mA, SOT-23 (TO-236AB) 3-Pin (1 Angebot) 
Transistor-Typ = NPN DC Kollektorstrom max. = 100 mA Kollektor-Emitter-Spannung = 50 V Gehäusegröße = SOT-23 (TO-236AB) Montage-Typ = SMD Transistor-Konfiguration = Einfach Basis-Emitter Spannung m...
Nexperia
PDTC124ET,215
ab € 0,0204*
pro Stück
 
 Stück
Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 500V; 3A; 70W; TO252; 400ns (1 Angebot) 
Achtung! Das Produkt steht nur in der im Lagerbestand verfügbaren Menge zum Verkauf. Im Fall der Bestellung einer größeren Menge, wird diese zur verfügbaren Menge geändert. Hersteller: IXYS Montage...
IXYS
IXTY3N50P
ab € 0,53*
pro Stück
 
 Stück
Transistor: N-MOSFET; POWER MOS 5®; unipolar; 200V; 100A; Idm: 400A (1 Angebot) 
Hersteller: MICROCHIP (MICROSEMI) Montage: THT Gehäuse: TO264 Drain-Source Spannung: 200V Drainstrom: 100A Widerstand im Leitungszustand: 18mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 625W Polaris...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT20M18LVFRG
ab € 31,23*
pro Stück
 
 Stück
Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1,2kV; 15A; Idm: 40A; 127W (1 Angebot) 
Hersteller: MICROCHIP (MICROSEMI) Montage: THT Gehäuse: TO247-3 Drain-Source Spannung: 1,2kV Drainstrom: 15A Widerstand im Leitungszustand: 0,225Ω Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 127W Pol...
MICROCHIP (MICROSEMI)
MSC180SMA120B
ab € 7,52*
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 Stück
onsemi 2N6491G THT, PNP Transistor –80 V / –15 A 1 MHz, TO-220 3-Pin (2 Angebote) 
Transistor-Typ = PNP DC Kollektorstrom max. = –15 A Kollektor-Emitter-Spannung = –80 V Gehäusegröße = TO-220 Montage-Typ = THT Verlustleistung max. = 75 W Gleichstromverstärkung min. = 20 Transisto...
onsemi
2N6491G
ab € 0,48*
pro Stück
 
 Stück
Transistor: N-MOSFET; POWER MOS 5®; unipolar; 400V; 57A; 520W (1 Angebot) 
Hersteller: MICROCHIP (MICROSEMI) Montage: THT Gehäuse: TO264 Drain-Source Spannung: 400V Drainstrom: 57A Widerstand im Leitungszustand: 70mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 520W Polarisi...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT40M70LVRG
ab € 20,79*
pro Stück
 
 Stück
Nexperia PDTC124XQBZ SMD, NPN Digitaler Transistor 3 50 V / 100 mA, DFN1110D-3 (1 Angebot) 
Transistor-Typ = NPN DC Kollektorstrom max. = 100 mA Kollektor-Emitter-Spannung = 50 V Gehäusegröße = DFN1110D-3 Montage-Typ = SMD Anzahl der Elemente pro Chip = 3
Nexperia
PDTC124XQBZ
ab € 0,0408*
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