Schalttransistor bei Mercateo günstig kaufen (Seite 583/692)

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STMicroelectronics NPN Darlington-Transistor-Array 1,6 V 500 mA HFE:1000, QFN48 48-Pin (1 Angebot)

Transistor-Typ = NPN Dauer-Kollektorstrom max. = 500 mA Kollektor-Emitter-Spannung = 1,6 V Basis-Emitter Spannung max. = 1,6 V Gehäusegröße = QFN48 Pinanzahl = 48 Anzahl der Elemente pro Chip = 5 G...

ST Microelectronics

ULN2003TTR

ab € 583,975*
pro 2.500 Stück

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 3,7A; 0,5W; SC59 (4 Angebote)

Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES Montage: SMD Gehäuse: SC59 Drain-Source Spannung: 20V Drainstrom: 3,7A Widerstand im Leitungszustand: 32mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 0,5W Polarisie...

Infineon

BSR802NL6327HTSA1

ab € 0,143*
pro Stück

Toshiba TBC847B,LM(T SMD, NPN Transistor 50 V / 200 mA, SOT-23 3-Pin (1 Angebot)

Transistor-Typ = NPN DC Kollektorstrom max. = 200 mA Kollektor-Emitter-Spannung = 50 V Gehäusegröße = SOT-23 Montage-Typ = SMD Gleichstromverstärkung min. = 200 Pinanzahl = 3 Anzahl der Elemente pr...

Toshiba

TBC847B,LM(T

ab € 61,23*
pro 3.000 Stück

Infineon IRLML6246 Transistor 20 V (5 Angebote)

Infineon

IRLML6246TRPBF

ab € 0,0711*
pro Stück

Infineon BSS806NE Transistor 20 V (4 Angebote)

Infineon

BSS806NEH6327XTSA1

ab € 0,0549*
pro Stück

Infineon IRLML2502 Transistor 55 V (5 Angebote)

Infineon

IRLML2502TRPBF

ab € 0,0915*
pro Stück

Vishay IGBT / 372 A ± 20V max. Dual, 650 V 789 W, 7-Pin INT-A-PAK N-Kanal (2 Angebote)

Dauer-Kollektorstrom max. = 372 A Kollektor-Emitter-Spannung = 650 V Gate-Source Spannung max. = ± 20V Verlustleistung max. = 789 W Gehäusegröße = INT-A-PAK Montage-Typ = Tafelmontage Channel-Typ =...

Vishay

VS-GT150TS065S

ab € 79,46*
pro Stück

STMicroelectronics STP26N65DM2 N-Kanal, THT MOSFET Transistor / 25 A 160 W, 3-Pin TO-220 (1 Angebot)

Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 25 A Gehäusegröße = TO-220 Montage-Typ = THT Pinanzahl = 3 Drain-Source-Widerstand max. = 190 μΩ Channel-Modus = Enhancement Gate-Schwellenspannung max. = 5V...

ST Microelectronics

STP26N65DM2

ab € 91,73*
pro 50 Stück

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 2,6A; 0,47W; SOT23 (4 Angebote)

Hersteller: ONSEMI Montage: SMD Gehäuse: SOT23 Drain-Source Spannung: 20V Drainstrom: 2,6A Widerstand im Leitungszustand: 24mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 0,47W Polarisierung: unipola...

onsemi

NTR3C21NZT1G

ab € 0,102*
pro Stück

WeEn Semiconductors Co., Ltd BUJ100LR,412 THT, NPN Transistor 700 V / 1 A, TO-92 3-Pin (2 Angebote)

Transistor-Typ = NPN DC Kollektorstrom max. = 1 A Kollektor-Emitter-Spannung = 700 V Gehäusegröße = TO-92 Montage-Typ = THT Verlustleistung max. = 2,1 W Transistor-Konfiguration = Einfach Kollektor...

WeEn Semiconductors

BUJ100LR,412

ab € 0,0551*
pro Stück

Vishay IGBT / 139 A ± 20V max. , 1200 V 658 W, 4-Pin SOT-227 N-Kanal (2 Angebote)

Dauer-Kollektorstrom max. = 139 A Kollektor-Emitter-Spannung = 1200 V Gate-Source Spannung max. = ± 20V Verlustleistung max. = 658 W Konfiguration = Single Montage-Typ = Tafelmontage Channel-Typ = ...

Vishay

VS-GT80DA120U

ab € 24,11*
pro Stück

Vishay IGBT / 169 A ± 20V max. , 1200 V 781 W, 4-Pin SOT-227 N-Kanal (2 Angebote)

Dauer-Kollektorstrom max. = 169 A Kollektor-Emitter-Spannung = 1200 V Gate-Source Spannung max. = ± 20V Verlustleistung max. = 781 W Gehäusegröße = SOT-227 Montage-Typ = Tafelmontage Channel-Typ = ...

Vishay

VS-GT90DA120U

ab € 25,29*
pro Stück

Vishay IGBT / 187 A ± 20V max. , 1200 V 890 W, 4-Pin SOT-227 N-Kanal (2 Angebote)

Dauer-Kollektorstrom max. = 187 A Kollektor-Emitter-Spannung = 1200 V Gate-Source Spannung max. = ± 20V Verlustleistung max. = 890 W Gehäusegröße = SOT-227 Montage-Typ = Tafelmontage Channel-Typ = ...

Vishay

VS-GT100DA120UF

ab € 28,91*
pro Stück

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 4,9A; 800mW; SOT23 (4 Angebote)

Hersteller: TAIWAN SEMICONDUCTOR Montage: SMD Gehäuse: SOT23 Drain-Source Spannung: 20V Drainstrom: 4,9A Widerstand im Leitungszustand: 33mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 0,8W Polarisie...

Taiwan Semiconductor

TSM2314CX RFG

ab € 0,24959*
pro Stück

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 2A; 0,5W; SuperSOT-3 (4 Angebote)

Hersteller: ONSEMI Montage: SMD Gehäuse: SuperSOT-3 Drain-Source Spannung: 20V Drainstrom: 2A Widerstand im Leitungszustand: 0,12Ω Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 0,5W Polarisierung: unip...

onsemi

FDN327N

ab € 0,0812*
pro Stück

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