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"Transistor"

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INFINEON FF600R12KE4BOSA1 IGBT-MODUL, N-KANAL, 1.2KV, 600A (2 Angebote) 
Produktpalette: 62mm C Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2 kV Betriebstemperatur, max.: 150 °C Bauform - Transistor: Module Dauer-Kollektorstrom: 600 A IGBT-Anschluss: Lötfahne Kollektor-Emitter-...
Infineon
FF600R12KE4BOSA1
ab € 202,85*
pro Stück
 
 Stück
onsemi IGBT / 120 A ±20V max., 650 V 600 W, 3-Pin TO-3PN N-Kanal (2 Angebote) 
Dauer-Kollektorstrom max. = 120 A Kollektor-Emitter-Spannung = 650 V Gate-Source Spannung max. = ±20V Verlustleistung max. = 600 W Gehäusegröße = TO-3PN Montage-Typ = THT Channel-Typ = N Pinanzahl ...
onsemi
FGA60N65SMD
ab € 3,62*
pro Stück
 
 Stück
INFINEON IR2109SPBF MOSFET/IGBT DRIVER HALF BRIDGE, SMD (3 Angebote) 
Quellstrom: 200 mA Leistungsschalter: MOSFET Produktpalette: - Eingang: Nicht invertierend Versorgungsspannung, max.: 20 V MSL: MSL 2 - 1 Jahr Anzahl der Pins: 8 Pin(s) Sinkstrom: 350 mA Treiberkon...
Infineon
IR2109SPBF
ab € 1,2422*
pro Stück
 
 Stück
onsemi NJVMJD44H11G SMD, NPN Transistor 80 V / 8 A 20 MHz, DPAK (TO-252) 3-Pin (1 Angebot) 
Transistor-Typ = NPN DC Kollektorstrom max. = 8 A Kollektor-Emitter-Spannung = 80 V Gehäusegröße = DPAK (TO-252) Montage-Typ = SMD Verlustleistung max. = 20 W Transistor-Konfiguration = Einfach Kol...
onsemi
NJVMJD44H11T4G
ab € 1,19*
pro 5 Stück
 
 Packung
INFINEON FS200R12KT4RBOSA1 TRANSISTOR, IGBT-MODUL, 1.2KV, 280A (2 Angebote) 
Produktpalette: Econo 3 Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2 kV Betriebstemperatur, max.: 150 °C Bauform - Transistor: Module Dauer-Kollektorstrom: 280 A IGBT-Anschluss: Einpressmontage Kollektor-...
Infineon
FS200R12KT4RBOSA1
ab € 216,02*
pro Stück
 
 Stück
IXYS IGBT-Modul / 135 A ±20V max., 1200 V, 7-Pin Y4 M5 N-Kanal (1 Angebot) 
Dauer-Kollektorstrom max. = 135 A Kollektor-Emitter-Spannung = 1200 V Gate-Source Spannung max. = ±20V Konfiguration = Serie Montage-Typ = Tafelmontage Channel-Typ = N Pinanzahl = 7 Transistor-Konf...
IXYS
MII100-12A3
ab € 59,42*
pro Stück
 
 Stück
Infineon IR2133J (2 Angebote)
Infineon
IR2133JTRPBF
ab € 4,53*
pro Stück
 
 Packung
onsemi IGBT / 150 A ±20V max., 600 V 750 W, 3-Pin TO-247 N-Kanal (1 Angebot) 
Dauer-Kollektorstrom max. = 150 A Kollektor-Emitter-Spannung = 600 V Gate-Source Spannung max. = ±20V Verlustleistung max. = 750 W Gehäusegröße = TO-247 Montage-Typ = THT Channel-Typ = N Pinanzahl ...
onsemi
FGY75N60SMD
ab € 96,8601*
pro 30 Stück
 
 Packung
INFINEON FZ1000R33HE3BPSA1 TRANSISTOR, IGBT-MODUL, 3.3KV, 1KA (1 Angebot) 
Produktpalette: IHM-B Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 3.3 kV Betriebstemperatur, max.: 150 °C Bauform - Transistor: Module Dauer-Kollektorstrom: 1 kA IGBT-Anschluss: Lötfahne Kollektor-Emitter-Sä...
Infineon
FZ1000R33HE3BPSA1
ab € 1.441,87*
pro Stück
 
 Stück
onsemi IGBT / 40 A ±20V max., 600 V 100 W, 3-Pin TO-3PF N-Kanal (1 Angebot) 
Dauer-Kollektorstrom max. = 40 A Kollektor-Emitter-Spannung = 600 V Gate-Source Spannung max. = ±20V Verlustleistung max. = 100 W Gehäusegröße = TO-3PF Montage-Typ = THT Channel-Typ = N Pinanzahl =...
onsemi
FGAF40N60UFTU
ab € 2,19*
pro Stück
 
 Stück
INFINEON IR21363STRPBF MOSFET/IGBT-TREIBER, HALBBRÜCKE, SOIC-28 (1 Angebot) 
Quellstrom: 200 mA Leistungsschalter: IGBT Produktpalette: - Eingang: Invertierend Versorgungsspannung, max.: 20 V MSL: MSL 1 - unbegrenzt Anzahl der Pins: 28 Pin(s) Sinkstrom: 350 mA Treiberkonfig...
Infineon
IR21363STRPBF
ab € 1,53*
pro Stück
 
 Stück
onsemi NPN Darlington-Transistor 100 V 10 A HFE:500, TO-247 3-Pin Einfach (3 Angebote) 
Transistor-Typ = NPN Dauer-Kollektorstrom max. = 10 A Kollektor-Emitter-Spannung = 100 V Basis-Emitter Spannung max. = 5 V Gehäusegröße = TO-247 Montage-Typ = THT Pinanzahl = 3 Transistor-Konfigura...
onsemi
TIP142G
ab € 1,09*
pro Stück
 
 Stück
INFINEON FZ1200R33HE3BPSA1 IGBT, MODUL, N-KANAL, 3.3KV, 1.2KA (1 Angebot) 
Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 3.3 kV Betriebstemperatur, max.: 150 °C Bauform - Transistor: Module Dauer-Kollektorstrom: 1.2 kA IGBT-Anschluss: Lötfahne Kollektor-Emitter-Sätt...
Infineon
FZ1200R33HE3BPSA1
ab € 1.492,98*
pro Stück
 
 Stück
onsemi 2N6491G THT, PNP Transistor –80 V / –15 A 1 MHz, TO-220 3-Pin (2 Angebote) 
Transistor-Typ = PNP DC Kollektorstrom max. = –15 A Kollektor-Emitter-Spannung = –80 V Gehäusegröße = TO-220 Montage-Typ = THT Verlustleistung max. = 75 W Gleichstromverstärkung min. = 20 Transisto...
onsemi
2N6491G
ab € 0,48*
pro Stück
 
 Stück
INFINEON IRS44273LTRPBF MOSFET/IGBT-TREIBER, LOW-SIDE, SOT-23-5 (3 Angebote) 
Quellstrom: 1.5 A Leistungsschalter: IGBT, MOSFET Produktpalette: µHVIC Eingang: Nicht invertierend Versorgungsspannung, max.: 20 V MSL: MSL 1 - unbegrenzt Anzahl der Pins: 5 Pin(s) Sinkstrom: 1.5 ...
Infineon
IRS44273LTRPBF
ab € 0,35532*
pro Stück
 
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