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  Transistor  (10.390 Angebote unter 17.390.906 Artikeln)Zum Expertenwissen

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"Transistor"

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onsemi IGBT / 200 A 15V max. 30-fach, 650 V 268 W TO-247-4LD (1 Angebot) 
Dauer-Kollektorstrom max. = 200 A Kollektor-Emitter-Spannung = 650 V Gate-Source Spannung max. = 15V Verlustleistung max. = 268 W Gehäusegröße = TO-247-4LD
onsemi
FGH4L50T65SQD
ab € 989,55*
pro 450 Stück
 
 Packung
Transistor: N-MOSFET; STripFET™ II; unipolar; 100V; 18A; 85W (2 Angebote) 
Hersteller: STMicroelectronics Montage: THT Gehäuse: TO220-3 Drain-Source Spannung: 100V Drainstrom: 18A Widerstand im Leitungszustand: 60mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 85W Polarisier...
ST Microelectronics
STP24NF10
ab € 0,47*
pro Stück
 
 Stück
Transistor: N-MOSFET; STripFET™ II; unipolar; 100V; 77A; 312W (3 Angebote) 
Hersteller: STMicroelectronics Montage: THT Gehäuse: TO220-3 Drain-Source Spannung: 100V Drainstrom: 77A Widerstand im Leitungszustand: 10,5mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 312W Polaris...
ST Microelectronics
STP120NF10
ab € 1,06*
pro Stück
 
 Stück
Transistor: N-MOSFET; STripFET™ II; unipolar; 60V; 21A; 70W (4 Angebote) 
Hersteller: STMicroelectronics Montage: THT Gehäuse: TO220-3 Drain-Source Spannung: 60V Drainstrom: 21A Widerstand im Leitungszustand: 50mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 70W Polarisieru...
ST Microelectronics
STP36NF06L
ab € 0,54932*
pro Stück
 
 Stück
Transistor: N-MOSFET; STripFET™ II; unipolar; 55V; 80A; 300W (3 Angebote) 
Hersteller: STMicroelectronics Montage: THT Gehäuse: TO220-3 Drain-Source Spannung: 55V Drainstrom: 80A Widerstand im Leitungszustand: 6,5mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 300W Polarisie...
ST Microelectronics
STP80NF55-06
ab € 1,41*
pro Stück
 
 Stück
onsemi BC847BPDW1T3G SMD, NPN/PNP Transistor Dual 45 V / 200 mA 100 MHz, SOT-363 6-Pin (1 Angebot) 
Transistor-Typ = NPN/PNP DC Kollektorstrom max. = 200 mA Kollektor-Emitter-Spannung = 45 V Gehäusegröße = SOT-363 Montage-Typ = SMD Verlustleistung max. = 380 mW Gleichstromverstärkung min. = 200 K...
onsemi
BC847BPDW1T3G
ab € 304,10*
pro 10.000 Stück
 
 Packung
Transistor: N-MOSFET; STripFET™ II; unipolar; 60V; 42A; 110W (3 Angebote) 
Hersteller: STMicroelectronics Montage: THT Gehäuse: TO220-3 Drain-Source Spannung: 60V Drainstrom: 42A Widerstand im Leitungszustand: 14mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 110W Polarisier...
ST Microelectronics
STP60NF06L
ab € 0,48*
pro Stück
 
 Stück
onsemi BC847BDW1G SMD, NPN Transistor 45 V / 100 mA 100 MHz, SOT-363 6-Pin (1 Angebot) 
Transistor-Typ = NPN DC Kollektorstrom max. = 100 mA Kollektor-Emitter-Spannung = 45 V Gehäusegröße = SOT-363 Montage-Typ = SMD Verlustleistung max. = 380 mW Gleichstromverstärkung min. = 200 Trans...
onsemi
BC847BDW1T1G
ab € 91,44*
pro 3.000 Stück
 
 Packung
Transistor: N-MOSFET; STripFET™ II; unipolar; 60V; 26A; 80W (3 Angebote) 
Hersteller: STMicroelectronics Montage: THT Gehäuse: TO220-3 Drain-Source Spannung: 60V Drainstrom: 26A Widerstand im Leitungszustand: 28mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 80W Polarisieru...
ST Microelectronics
STP45NF06
ab € 0,42*
pro Stück
 
 Stück
onsemi BC848CLT1G SMD, NPN Transistor 30 V / 100 mA 100 MHz, SOT-23 3-Pin (3 Angebote) 
Transistor-Typ = NPN DC Kollektorstrom max. = 100 mA Kollektor-Emitter-Spannung = 30 V Gehäusegröße = SOT-23 Montage-Typ = SMD Verlustleistung max. = 300 mW Gleichstromverstärkung min. = 420 Transi...
onsemi
BC848CLT1G
ab € 0,0102*
pro Stück
 
 Stück
onsemi BC858CLT1G SMD, PNP Transistor –30 V / –200 mA 100 MHz, SOT-23 3-Pin (1 Angebot) 
Transistor-Typ = PNP DC Kollektorstrom max. = –200 mA Kollektor-Emitter-Spannung = –30 V Gehäusegröße = SOT-23 Montage-Typ = SMD Verlustleistung max. = 300 mW Gleichstromverstärkung min. = 420 Tran...
onsemi
BC858CLT1G
ab € 30,48*
pro 3.000 Stück
 
 Packung
onsemi BD13610S THT, PNP Transistor –45 V / –1,5 A, TO-126 3-Pin (1 Angebot) 
Transistor-Typ = PNP DC Kollektorstrom max. = –1,5 A Kollektor-Emitter-Spannung = –45 V Gehäusegröße = TO-126 Montage-Typ = THT Verlustleistung max. = 12,5 W Gleichstromverstärkung min. = 63 Transi...
onsemi
BD13610STU
ab € 24,2502*
pro 60 Stück
 
 Packung
onsemi BD237G THT, NPN Digitaler Transistor 80 V dc, TO-225 3-Pin (1 Angebot) 
Transistor-Typ = NPN Kollektor-Emitter-Spannung = 80 V dc Gehäusegröße = TO-225 Montage-Typ = THT Verlustleistung max. = 25 W Gleichstromverstärkung min. = 40 Transistor-Konfiguration = Einfach Bas...
onsemi
BD237G
ab € 132,02*
pro 500 Stück
 
 Packung
onsemi BD437G THT, NPN Transistor 45 V / 4 A 1 MHz, TO-225 3-Pin (3 Angebote) 
Transistor-Typ = NPN DC Kollektorstrom max. = 4 A Kollektor-Emitter-Spannung = 45 V Gehäusegröße = TO-225 Montage-Typ = THT Verlustleistung max. = 36 W Gleichstromverstärkung min. = 85 Transistor-K...
onsemi
BD437G
ab € 0,30*
pro Stück
 
 Stück
Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 100V; 6,5A; Idm: 26A; 8,3W (3 Angebote) 
Hersteller: NEXPERIA Montage: SMD Gehäuse: SOT223;SC73 Drain-Source Spannung: 100V Drainstrom: 6,5A Widerstand im Leitungszustand: 90mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 8,3W Polarisierung:...
Nexperia
PHT6NQ10T,135
ab € 0,32525*
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