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  Schalttransistor  (10.371 Angebote unter 17.323.748 Artikeln)Zum Expertenwissen

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"Schalttransistor"

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Transistor: IGBT; XPT™; 2,5kV; 8A; 280W; TO247HV (1 Angebot) 
Hersteller: IXYS Montage: THT Gehäuse: TO247HV Kollektor-Emitter-Spannung: 2,5kV Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 8A Kollektorstrom im Impuls: 70A Anschaltzeit: 24ns Ausschalt...
IXYS
IXYH8N250CV1HV
ab € 16,78*
pro Stück
 
 Stück
Infineon IGBT-Modul / 75 A ±20V max. 7-fach, 1200 V 385 W (1 Angebot) 
Dauer-Kollektorstrom max. = 75 A Kollektor-Emitter-Spannung = 1200 V Gate-Source Spannung max. = ±20V Verlustleistung max. = 385 W
Infineon
FP75R12KT4B11BOSA1
ab € 1.905,99*
pro 10 Stück
 
 Packung
Transistor: N-JFET; unipolar; 80mA; 0,25W; SOT23; Igt: 50mA (3 Angebote) 
Hersteller: ONSEMI Montage: SMD Gehäuse: SOT23 Gatestrom: 50mA Drainstrom: 80mA Widerstand im Leitungszustand: 60Ω Transistor-Typ: N-JFET Verlustleistung: 0,25W Polarisierung: unipolar Verpackungs-...
onsemi
BSR58
ab € 0,0624*
pro Stück
 
 Packung
Transistor: IGBT; XPT™; 4,5kV; 40A; 660W; TO247HV (1 Angebot) 
Hersteller: IXYS Montage: THT Gehäuse: TO247HV Kollektor-Emitter-Spannung: 4,5kV Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 40A Kollektorstrom im Impuls: 350A Anschaltzeit: 786ns Aussch...
IXYS
IXYX40N450HV
ab € 55,24*
pro Stück
 
 Stück
Transistor: N-MOSFET + Schottky; unipolar; 30V; 2A; Idm: 8A; 900mW (1 Angebot) 
Hersteller: ROHM SEMICONDUCTOR Montage: SMD Gehäuse: TSOT25 Drain-Source Spannung: 30V Drainstrom: 2A Widerstand im Leitungszustand: 0,1Ω Transistor-Typ: N-MOSFET + Schottky Verlustleistung: 0,9W P...
ROHM Semiconductor
QS5U13TR
ab € 0,102*
pro Stück
 
 Stück
Infineon IGBT-Modul / 400 A 20V max. Dual, 1700 V 20 mW, 7-Pin 62 mm N-Kanal (1 Angebot) 
Dauer-Kollektorstrom max. = 400 A Kollektor-Emitter-Spannung = 1700 V Gate-Source Spannung max. = 20V Anzahl an Transistoren = 2 Gehäusegröße = 62 mm Channel-Typ = N Pinanzahl = 7 Transistor-Konfig...
Infineon
FF400R17KE4HOSA1
ab € 2.347,56*
pro 10 Stück
 
 Packung
Transistor: N-JFET; unipolar; 30V; 15mA; 0,36W; TO92; Igt: 50mA (2 Angebote) 
Hersteller: NTE Electronics Montage: THT Gehäuse: TO92 Gatestrom: 50mA Drain-Source Spannung: 30V Drainstrom: 15mA Transistor-Typ: N-JFET Verlustleistung: 0,36W Polarisierung: unipolar Verpackungs-...
NTE Electronics
NTE312
ab € 1,17*
pro Stück
 
 Stück
Infineon IGBT-Modul / 760 A +/-20V max. 6-fach, 1200 V, 33-Pin AG-HYBRIDD-1 N-Kanal (1 Angebot) 
Dauer-Kollektorstrom max. = 760 A Kollektor-Emitter-Spannung = 1200 V Gate-Source Spannung max. = +/-20V Anzahl an Transistoren = 6 Gehäusegröße = AG-HYBRIDD-1 Channel-Typ = N Pinanzahl = 33 Der In...
Infineon
FS380R12A6T4BBPSA1
ab € 3.325,90002*
pro 6 Stück
 
 Packung
Transistor: N-JFET; unipolar; 25V; 30mA; 0,225W; SOT23; Igt: 10mA (2 Angebote) 
Hersteller: ONSEMI Montage: SMD Gehäuse: SOT23 Gatestrom: 10mA Drain-Source Spannung: 25V Drainstrom: 30mA Transistor-Typ: N-JFET Verlustleistung: 0,225W Polarisierung: unipolar Verpackungs-Art: Ba...
onsemi
MMBFJ309LT1G
ab € 0,31*
pro 5 Stück
 
 Packung
Infineon IGBT-Modul / 440 A ±20V max., 1200 V 1450 W AG-62MM-1 N-Kanal (1 Angebot) 
Dauer-Kollektorstrom max. = 440 A Kollektor-Emitter-Spannung = 1200 V Gate-Source Spannung max. = ±20V Verlustleistung max. = 1450 W Gehäusegröße = AG-62MM-1 Montage-Typ = Tafelmontage Channel-Typ ...
Infineon
FF300R12KE3HOSA1
ab € 134,36*
pro Stück
 
 Stück
Infineon IGBT-Modul / 45 A 20V max. Quad, 1200 V 215 W, 13-Pin EASY1B N-Kanal (1 Angebot) 
Dauer-Kollektorstrom max. = 45 A Kollektor-Emitter-Spannung = 1200 V Gate-Source Spannung max. = 20V Anzahl an Transistoren = 4 Gehäusegröße = EASY1B Channel-Typ = N Pinanzahl = 13 Transistor-Konfi...
Infineon
F3L25R12W1T4B27BOMA1
ab € 631,61016*
pro 24 Stück
 
 Packung
Infineon IGBT-Modul / 450 A 20V max. Dual, 1200 V 20 mW AG-ECONOD (1 Angebot) 
Dauer-Kollektorstrom max. = 450 A Kollektor-Emitter-Spannung = 1200 V Gate-Source Spannung max. = 20V Verlustleistung max. = 20 mW Gehäusegröße = AG-ECONOD Montage-Typ = Chassismontage Transistor-K...
Infineon
FF450R12ME7B11BPSA1
ab € 1.734,40*
pro 10 Stück
 
 Packung
Transistor: N-MOSFET + Schottky; unipolar; 30V; 2A; Idm: 8A; 1,25W (2 Angebote) 
Hersteller: ROHM SEMICONDUCTOR Montage: SMD Gehäuse: TSOT25 Drain-Source Spannung: 30V Drainstrom: 2A Widerstand im Leitungszustand: 154mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET + Schottky Verlustleistung: 1,25W...
ROHM Semiconductor
QS5U17TR
ab € 0,134*
pro Stück
 
 Stück
Transistor: N-JFET; unipolar; 15V; 50mA; 0,2W; SOT23; Igt: 10mA (2 Angebote) 
Hersteller: ONSEMI Montage: SMD Gehäuse: SOT23 Gatestrom: 10mA Drain-Source Spannung: 15V Drainstrom: 50mA Transistor-Typ: N-JFET Verlustleistung: 0,2W Polarisierung: unipolar Verpackungs-Art: Band...
onsemi
2SK932-24-TB-E
ab € 0,16*
pro Stück
 
 Stück
Infineon IGBT-Modul / 450 A 20V max. Dual, 1200 V 20 mW, 13-Pin ECONODUAL N-Kanal (1 Angebot) 
Dauer-Kollektorstrom max. = 450 A Kollektor-Emitter-Spannung = 1200 V Gate-Source Spannung max. = 20V Verlustleistung max. = 20 mW Gehäusegröße = ECONODUAL Channel-Typ = N Pinanzahl = 13 Transistor...
Infineon
FF450R12ME4EB11BPSA1
ab € 1.329,25002*
pro 6 Stück
 
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