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  Schalttransistor  (10.371 Angebote unter 17.323.714 Artikeln)Zum Expertenwissen

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"Schalttransistor"

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Infineon IGBT-Modul 5.7V max., 2 V 833 W, 3-Pin PG-TO247-3 N-Kanal (1 Angebot) 
Kollektor-Emitter-Spannung = 2 V Gate-Source Spannung max. = 5.7V Verlustleistung max. = 833 W Gehäusegröße = PG-TO247-3 Channel-Typ = N Pinanzahl = 3 Transistor-Konfiguration = Einfach
Infineon
AIKQ120N60CTXKSA1
ab € 275,5902*
pro 30 Stück
 
 Packung
Infineon IGBT-Modul / 50 A 20V max. 7-fach, 1200 V 20 mW EASY2B N-Kanal (1 Angebot) 
Dauer-Kollektorstrom max. = 50 A Kollektor-Emitter-Spannung = 1200 V Gate-Source Spannung max. = 20V Verlustleistung max. = 20 mW Gehäusegröße = EASY2B Channel-Typ = N
Infineon
FP50R12KT4PBPSA1
ab € 1.003,29*
pro 10 Stück
 
 Packung
Transistor: N-MOSFET x2; STripFET™ II; unipolar; 60V; 3A; 2,5W; SO8 (3 Angebote) 
Hersteller: STMicroelectronics Montage: SMD Gehäuse: SO8 Drain-Source Spannung: 60V Drainstrom: 3A Widerstand im Leitungszustand: 65mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET x2 Verlustleistung: 2,5W Polarisierun...
ST Microelectronics
STS4DNF60L
ab € 0,39*
pro Stück
 
 Stück
Transistor: N-MOSFET + Schottky; unipolar; 30V; 500mA; Idm: 2A (2 Angebote) 
Hersteller: ROHM SEMICONDUCTOR Montage: SMD Gehäuse: TSOT25 Drain-Source Spannung: 30V Drainstrom: 0,5A Widerstand im Leitungszustand: 154mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET + Schottky Verlustleistung: 1,2...
ROHM Semiconductor
QS5U16TR
ab € 0,125*
pro Stück
 
 Stück
Infineon IGBT-Modul / 520 A ±20V max., 1200 V 2,4 kW AG-62MM-1 N-Kanal (1 Angebot) 
Dauer-Kollektorstrom max. = 520 A Kollektor-Emitter-Spannung = 1200 V Gate-Source Spannung max. = ±20V Verlustleistung max. = 2,4 kW Konfiguration = Serie Montage-Typ = Tafelmontage Channel-Typ = N...
Infineon
FF450R12KE4HOSA1
ab € 161,29*
pro Stück
 
 Stück
Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 100V; 1A; 0,96W; SuperSOT-6 (2 Angebote) 
Hersteller: ONSEMI Montage: SMD Gehäuse: SuperSOT-6 Drain-Source Spannung: 100V Drainstrom: 1A Widerstand im Leitungszustand: 976mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET x2 Verlustleistung: 0,96W Polarisierung:...
onsemi
FDC3601N
ab € 0,18945*
pro Stück
 
 Stück
Infineon IGBT-Modul / 580 A ±20V max., 1200 V 2 kW AG-62MM-1 N-Kanal (1 Angebot) 
Dauer-Kollektorstrom max. = 580 A Kollektor-Emitter-Spannung = 1200 V Gate-Source Spannung max. = ±20V Verlustleistung max. = 2 kW Gehäusegröße = AG-62MM-1 Montage-Typ = Tafelmontage Channel-Typ = ...
Infineon
FF400R12KE3HOSA1
ab € 164,72*
pro Stück
 
 Stück
Infineon IGBT-Modul / 600 A 20V max. Dual, 1200 V 20 mW, 13-Pin ECONODUAL N-Kanal (1 Angebot) 
Dauer-Kollektorstrom max. = 600 A Kollektor-Emitter-Spannung = 1200 V Gate-Source Spannung max. = 20V Anzahl an Transistoren = 2 Gehäusegröße = ECONODUAL Channel-Typ = N Pinanzahl = 13 Transistor-K...
Infineon
FF600R12ME4EB11BOSA1
ab € 1.219,99002*
pro 6 Stück
 
 Packung
Infineon IGBT-Treibermodul CMOS 6 A 15V 8-Pin PG-DSO-8-51 19ns (1 Angebot) 
Logik-Typ = CMOS Ausgangsstrom = 6 A Versorgungsspannung = 15V Pinanzahl = 8 Gehäusegröße = PG-DSO-8-51
Infineon
1EDI60I12AFXUMA1
ab € 1.867,40*
pro 2.500 Stück
 
 Packung
Infineon IGBT-Modul / 650 A +/-20V max., 150 V 335 W Modul (1 Angebot) 
Dauer-Kollektorstrom max. = 650 A Kollektor-Emitter-Spannung = 150 V Gate-Source Spannung max. = +/-20V Verlustleistung max. = 335 W Gehäusegröße = Modul Montage-Typ = Tafelmontage
Infineon
F3L150R07W2E3B11BOMA1
ab € 1.151,6301*
pro 15 Stück
 
 Packung
Infineon IRF7530 Transistor 100 V (4 Angebote)
Infineon
IRF7530TRPBF
ab € 0,30*
pro Stück
 
 Stück
Infineon IGBT-Modul / 700 A ±20V max., 1200 V 3,9 kW AG-62MM-2 N-Kanal (1 Angebot) 
Dauer-Kollektorstrom max. = 700 A Kollektor-Emitter-Spannung = 1200 V Gate-Source Spannung max. = ±20V Verlustleistung max. = 3,9 kW Konfiguration = Single Montage-Typ = Tafelmontage Channel-Typ = ...
Infineon
FZ600R12KS4HOSA1
ab € 153,24*
pro Stück
 
 Stück
Infineon IGBT-Modul / 75 A ±20V max. 7-fach, 1200 V 280 W (1 Angebot) 
Dauer-Kollektorstrom max. = 75 A Kollektor-Emitter-Spannung = 1200 V Gate-Source Spannung max. = ±20V Anzahl an Transistoren = 7
Infineon
FP50R12KE3BOSA1
ab € 1.599,58*
pro 10 Stück
 
 Packung
Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 0,46A; 0,27W (1 Angebot) 
Hersteller: ONSEMI Montage: SMD Gehäuse: SC70-6;SOT363;SC88 Drain-Source Spannung: 20V Drainstrom: 0,46A Widerstand im Leitungszustand: 445mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET x2 Verlustleistung: 0,27W Pola...
onsemi
NTJD4401NT1G
ab € 0,0928*
pro Stück
 
 Stück
Infineon IGBT-Modul / 75 A ±20V max. 7-fach, 1200 V EconoPIM (1 Angebot) 
Dauer-Kollektorstrom max. = 75 A Kollektor-Emitter-Spannung = 1200 V Gate-Source Spannung max. = ±20V Anzahl an Transistoren = 7 Gehäusegröße = EconoPIM
Infineon
FP75R12KT4BOSA1
ab € 1.912,08*
pro 10 Stück
 
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