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  Schalttransistor  (10.372 Angebote unter 17.421.229 Artikeln)Zum Expertenwissen

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"Schalttransistor"

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Transistor: IGBT; SiC SBD; 650V; 75A; 405W; TO247-4 (1 Angebot) 
Hersteller: BASiC SEMICONDUCTOR Montage: THT Gehäuse: TO247-4 Kollektor-Emitter-Spannung: 650V Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 75A Kollektorstrom im Impuls: 300A Anschaltzeit...
BASiC SEMICONDUCTOR
BGH75N65ZF1
ab € 7,49*
pro Stück
 
 Stück
Transistor: IGBT; PT; 600V; 96A; 833W; TO264MAX (1 Angebot) 
Hersteller: MICROCHIP (MICROSEMI) Montage: THT Gehäuse: TO264MAX Kollektor-Emitter-Spannung: 600V Gate - Emitter Spannung: ±30V Kollektor-Emitter-Strom: 96A Kollektorstrom im Impuls: 250A Anschaltz...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT65GP60L2DQ2G
ab € 23,99*
pro Stück
 
 Stück
Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 600V; 4A; 75W; DPAK (1 Angebot) 
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES Montage: SMD Gehäuse: DPAK Kollektor-Emitter-Spannung: 600V Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 4A Kollektorstrom im Impuls: 12A Anschaltzeit: 2...
Infineon
IKD04N60RATMA1
ab € 0,46*
pro Stück
 
 Stück
Transistor: IGBT; Trench; 600V; 34A; 123W; TO247AC (1 Angebot) 
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES Montage: THT Gehäuse: TO247AC Kollektor-Emitter-Spannung: 600V Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 34A Kollektorstrom im Impuls: 120A Anschaltze...
Infineon
AUIRGP35B60PD
ab € 5,28*
pro Stück
 
 Stück
Infineon IGBT-Modul / 28 A +/-20V max. 7-fach, 1200 V 130 W (1 Angebot) 
Dauer-Kollektorstrom max. = 28 A Kollektor-Emitter-Spannung = 1200 V Gate-Source Spannung max. = +/-20V Verlustleistung max. = 130 W
Infineon
FP15R12W1T4BOMA1
ab € 913,45008*
pro 24 Stück
 
 Packung
Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 600V; 6A; 100W; DPAK (1 Angebot) 
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES Montage: SMD Gehäuse: DPAK Kollektor-Emitter-Spannung: 600V Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 6A Kollektorstrom im Impuls: 18A Anschaltzeit: 1...
Infineon
IKD06N60RATMA1
ab € 0,50*
pro Stück
 
 Stück
Transistor: IGBT; PT; 900V; 36A; 417W; TO247-3 (1 Angebot) 
Hersteller: MICROCHIP (MICROSEMI) Montage: THT Gehäuse: TO247-3 Kollektor-Emitter-Spannung: 900V Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 36A Kollektorstrom im Impuls: 110A Anschaltze...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT25GP90BG
ab € 8,85*
pro Stück
 
 Stück
Transistor: IGBT; XPT™; 1,7kV; 16A; 310W; TO247-3 (1 Angebot) 
Hersteller: IXYS Montage: THT Gehäuse: TO247-3 Kollektor-Emitter-Spannung: 1,7kV Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 16A Kollektorstrom im Impuls: 100A Anschaltzeit: 35ns Ausscha...
IXYS
IXYH16N170CV1
ab € 8,79*
pro Stück
 
 Stück
Infineon IGBT-Modul / 295 A +/-20V max., 1200 V 1,05 kW Modul (1 Angebot) 
Dauer-Kollektorstrom max. = 295 A Kollektor-Emitter-Spannung = 1200 V Gate-Source Spannung max. = +/-20V Verlustleistung max. = 1,05 kW Gehäusegröße = Modul Montage-Typ = Tafelmontage
Infineon
FD200R12KE3HOSA1
ab € 1.206,60*
pro 10 Stück
 
 Packung
Transistor: IGBT; XPT™; 1,7kV; 16A; 310W; TO247-3 (1 Angebot) 
Hersteller: IXYS Montage: THT Gehäuse: TO247-3 Kollektor-Emitter-Spannung: 1,7kV Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 16A Kollektorstrom im Impuls: 100A Anschaltzeit: 35ns Ausscha...
IXYS
IXYH16N170C
ab € 6,73*
pro Stück
 
 Stück
Transistor: IGBT; PT; 900V; 50A; 543W; T-Max (1 Angebot) 
Hersteller: MICROCHIP (MICROSEMI) Montage: THT Gehäuse: T-Max Kollektor-Emitter-Spannung: 900V Gate - Emitter Spannung: ±30V Kollektor-Emitter-Strom: 50A Kollektorstrom im Impuls: 160A Anschaltzeit...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT40GP90B2DQ2G
ab € 18,72*
pro Stück
 
 Stück
Infineon IGBT-Modul / 117 A +/-20V max., 650 V 300 W Modul (1 Angebot) 
Dauer-Kollektorstrom max. = 117 A Kollektor-Emitter-Spannung = 650 V Gate-Source Spannung max. = +/-20V Verlustleistung max. = 300 W Gehäusegröße = Modul Montage-Typ = Tafelmontage
Infineon
F3L100R07W2E3B11BOMA1
ab € 889,8501*
pro 15 Stück
 
 Packung
Transistor: IGBT; PT; 900V; 64A; 500W; TO264 (1 Angebot) 
Hersteller: MICROCHIP (MICROSEMI) Montage: THT Gehäuse: TO264 Kollektor-Emitter-Spannung: 900V Gate - Emitter Spannung: ±30V Kollektor-Emitter-Strom: 64A Kollektorstrom im Impuls: 193A Anschaltzeit...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT64GA90LD30
ab € 11,94*
pro Stück
 
 Stück
Transistor: IGBT; XPT™; 2,5kV; 12A; 310W; TO247HV (1 Angebot) 
Hersteller: IXYS Montage: THT Gehäuse: TO247HV Kollektor-Emitter-Spannung: 2,5kV Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 12A Kollektorstrom im Impuls: 80A Anschaltzeit: 32ns Ausschal...
IXYS
IXYH12N250CV1HV
ab € 17,64*
pro Stück
 
 Stück
Transistor: IGBT; PT; 900V; 80A; 625W; D3PAK (1 Angebot) 
Hersteller: MICROCHIP (MICROSEMI) Montage: SMD Gehäuse: D3PAK Kollektor-Emitter-Spannung: 900V Gate - Emitter Spannung: ±30V Kollektor-Emitter-Strom: 80A Kollektorstrom im Impuls: 239A Anschaltzeit...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT80GA90S
ab € 11,85*
pro Stück
 
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