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  Transistor  (22 857 Angebote unter 17 592 019 Artikeln)Zum Expertenwissen

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"Transistor"

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Infineon IGBT-Transistormodul / 24 A ±20V max. Triple, 600 V 110 W PG-TO-220-3 (1 Angebot) 
Dauer-Kollektorstrom max. = 24 A Kollektor-Emitter-Spannung = 600 V Gate-Source Spannung max. = ±20V Verlustleistung max. = 110 W Gehäusegröße = PG-TO-220-3
Infineon
IKP10N60TXKSA1
ab € 1,08*
pro Stück
 
 Stück
Infineon IRF7530 Transistor 100 V (4 Angebote)
Infineon
IRF7530TRPBF
ab € 0,30*
pro Stück
 
 Stück
Transistor: N-JFET/N-MOSFET; SiC; unipolar; Kaskoden-; 650V; 62A (1 Angebot) 
Hersteller: Qorvo (UnitedSiC) Montage: THT Gehäuse: TO247-3 Drain-Source Spannung: 650V Drainstrom: 62A Widerstand im Leitungszustand: 27mΩ Transistor-Typ: N-JFET/N-MOSFET Verlustleistung: 441W Pol...
Qorvo (UnitedSiC)
UF3C065030K3S
ab € 45,63*
pro Stück
 
 Stück
Infineon IGBT-Modul / 300 A 20V max. Dual, 1200 V 20 mW AG-ECONOD (1 Angebot) 
Dauer-Kollektorstrom max. = 300 A Kollektor-Emitter-Spannung = 1200 V Gate-Source Spannung max. = 20V Anzahl an Transistoren = 2 Gehäusegröße = AG-ECONOD Montage-Typ = Chassismontage Transistor-Kon...
Infineon
FF300R12ME7B11BPSA1
ab € 129,42*
pro Stück
 
 Stück
Transistor: N-JFET; unipolar; 14mA; 0,15W; SC59; Igt: 10mA (1 Angebot) 
Hersteller: TOSHIBA Montage: SMD Gehäuse: SC59 Gatestrom: 10mA Drainstrom: 14mA Transistor-Typ: N-JFET Verlustleistung: 0,15W Polarisierung: unipolar Verpackungs-Art: Band;Rolle Gate-Source Spannun...
Toshiba
2SK209-BL(TE85L,F)
ab € 0,202*
pro Stück
 
 Stück
Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 6,5A; 2W; SO8 (3 Angebote) 
Hersteller: ONSEMI Montage: SMD Gehäuse: SO8 Drain-Source Spannung: 20V Drainstrom: 6,5A Widerstand im Leitungszustand: 50mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET x2 Verlustleistung: 2W Polarisierung: unipolar ...
onsemi
FDS9926A
ab € 0,21467*
pro Stück
 
 Stück
Infineon IGBT-Treibermodul CMOS 6 A 15V 8-Pin PG-DSO-8-51 19ns (1 Angebot) 
Logik-Typ = CMOS Ausgangsstrom = 6 A Versorgungsspannung = 15V Pinanzahl = 8 Gehäusegröße = PG-DSO-8-51
Infineon
1EDI60I12AFXUMA1
ab € 1 876,20*
pro 2 500 Stück
 
 Packung
Transistor: N-JFET; unipolar; 0,35W; SOT23; 50mA (2 Angebote) 
Hersteller: ONSEMI Montage: SMD Gehäuse: SOT23 Gatestrom: 50mA Widerstand im Leitungszustand: 30Ω Transistor-Typ: N-JFET Verlustleistung: 0,35W Polarisierung: unipolar Verpackungs-Art: Band;Rolle G...
onsemi
MMBFJ111
ab € 0,102*
pro Stück
 
 Stück
Infineon IGBT-Modul / 35 A 20V max. 7-fach, 1200 V 20 mW EASY2B N-Kanal (1 Angebot) 
Dauer-Kollektorstrom max. = 35 A Kollektor-Emitter-Spannung = 1200 V Gate-Source Spannung max. = 20V Verlustleistung max. = 20 mW Gehäusegröße = EASY2B Channel-Typ = N Das Infineon EasyPIM dreiphas...
Infineon
FP35R12W2T4PB11BPSA1
ab € 48,70*
pro Stück
 
 Stück
Transistor: N-JFET; unipolar; 225mW; SOT23; 50mA (1 Angebot) 
Hersteller: ONSEMI Montage: SMD Gehäuse: SOT23 Gatestrom: 50mA Transistor-Typ: N-JFET Verlustleistung: 0,225W Polarisierung: unipolar Verpackungs-Art: Band;Rolle Gate-Source Spannung: -40V
onsemi
MMBF4117
ab € 0,139*
pro Stück
 
 Stück
Infineon IGBT-Transistormodul / 90 A ±20V max. Triple, 600 V 333 W PG-TO220-3 (1 Angebot) 
Dauer-Kollektorstrom max. = 90 A Kollektor-Emitter-Spannung = 600 V Gate-Source Spannung max. = ±20V Verlustleistung max. = 333 W Gehäusegröße = PG-TO220-3
Infineon
IGP50N60TXKSA1
ab € 127,03*
pro 50 Stück
 
 Packung
Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 9,4A; 2W; SO8 (2 Angebote) 
Hersteller: ONSEMI Montage: SMD Gehäuse: SO8 Drain-Source Spannung: 20V Drainstrom: 9,4A Widerstand im Leitungszustand: 21mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET x2 Verlustleistung: 2W Polarisierung: unipolar ...
onsemi
FDS6898A
ab € 0,37763*
pro Stück
 
 Stück
Infineon IPA600N25NM3SXKSA1 N-Kanal, THT MOSFET Transistor / 15 A, 3-Pin PG-TO 220 (1 Angebot) 
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 15 A Gehäusegröße = PG-TO 220 Montage-Typ = THT Pinanzahl = 3 Anzahl der Elemente pro Chip = 1
Infineon
IPA600N25NM3SXKSA1
ab € 1,62*
pro Stück
 
 Stück
Transistor: N-JFET; unipolar; 0,35W; SOT23; 50mA (3 Angebote) 
Hersteller: ONSEMI Montage: SMD Gehäuse: SOT23 Gatestrom: 50mA Transistor-Typ: N-JFET Verlustleistung: 0,35W Polarisierung: unipolar Verpackungs-Art: Band;Rolle Gate-Source Spannung: -40V
onsemi
MMBFJ201
ab € 0,091*
pro Stück
 
 Stück
Transistor: N-JFET; unipolar; 25V; 60mA; 0,35W; TO92; Igt: 10mA (1 Angebot) 
Hersteller: NTE Electronics Montage: THT Gehäuse: TO92 Gatestrom: 10mA Drain-Source Spannung: 25V Drainstrom: 60mA Transistor-Typ: N-JFET Verlustleistung: 0,35W Polarisierung: unipolar Verpackungs-...
NTE Electronics
NTE2902
ab € 2,93*
pro Stück
 
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