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  Transistor  (22 857 Angebote unter 17 593 731 Artikeln)Zum Expertenwissen

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"Transistor"

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Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 3,5A; 2W; SO8 (2 Angebote) 
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES Montage: SMD Gehäuse: SO8 Drain-Source Spannung: 30V Drainstrom: 3,5A Transistor-Typ: N-MOSFET x2 Verlustleistung: 2W Polarisierung: unipolar Verpackungs-Art: Roll...
Infineon
IRF9956TRPBF
ab € 715,04*
pro 4 000 Stück
 
 Packung
Infineon IPF024N10NF2SATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET Transistor 100 V / 227 A PG-TO263-7 (1 Angebot) 
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 227 A Drain-Source-Spannung max. = 100 V Gehäusegröße = PG-TO263-7 Montage-Typ = SMD
Infineon
IPF024N10NF2SATMA1
ab € 3,16*
pro Stück
 
 Stück
Transistor: N-MOSFET + Schottky; unipolar; 30V; 2A; Idm: 8A; 900mW (1 Angebot) 
Hersteller: ROHM SEMICONDUCTOR Montage: SMD Gehäuse: TSOT25 Drain-Source Spannung: 30V Drainstrom: 2A Widerstand im Leitungszustand: 0,1Ω Transistor-Typ: N-MOSFET + Schottky Verlustleistung: 0,9W P...
ROHM Semiconductor
QS5U13TR
ab € 0,102*
pro Stück
 
 Stück
Infineon IPB043N10NF2SATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET Transistor 100 V / 135 A PG-TO263-3 (1 Angebot) 
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 135 A Drain-Source-Spannung max. = 100 V Gehäusegröße = PG-TO263-3 Montage-Typ = SMD
Infineon
IPB043N10NF2SATMA1
ab € 1,21*
pro Stück
 
 Stück
Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 100V; 4,5A; 2,5W; SO8 (3 Angebote) 
Hersteller: ONSEMI Montage: SMD Gehäuse: SO8 Drain-Source Spannung: 100V Drainstrom: 4,5A Widerstand im Leitungszustand: 123mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET x2 Verlustleistung: 2,5W Polarisierung: unipo...
onsemi
FDS3992
ab € 0,56223*
pro Stück
 
 Stück
Infineon IGBT-Modul / 580 A ±20V max., 1200 V 2 kW AG-62MM-1 N-Kanal (1 Angebot) 
Dauer-Kollektorstrom max. = 580 A Kollektor-Emitter-Spannung = 1200 V Gate-Source Spannung max. = ±20V Verlustleistung max. = 2 kW Gehäusegröße = AG-62MM-1 Montage-Typ = Tafelmontage Channel-Typ = ...
Infineon
FF400R12KE3HOSA1
ab € 165,05*
pro Stück
 
 Stück
Transistor: N-MOSFET x2; Trench; unipolar; 60V; 0,24A; Idm: 1,2A (2 Angebote) 
Hersteller: NEXPERIA Montage: SMD Gehäuse: SOT666 Drain-Source Spannung: 60V Drainstrom: 0,24A Widerstand im Leitungszustand: 2Ω Transistor-Typ: N-MOSFET x2 Verlustleistung: 0,525W Polarisierung: u...
Nexperia
2N7002BKV,115
ab € 0,0724*
pro Stück
 
 Stück
Infineon IPB026N10NF2SATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET Transistor 100 V / 162 A PG-TO263-3 (1 Angebot) 
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 162 A Drain-Source-Spannung max. = 100 V Gehäusegröße = PG-TO263-3 Montage-Typ = SMD
Infineon
IPB026N10NF2SATMA1
ab € 2,71*
pro Stück
 
 Stück
Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 31/54A; 8/13W; DFN5x6 (1 Angebot) 
Achtung! Das Produkt steht nur in der im Lagerbestand verfügbaren Menge zum Verkauf. Im Fall der Bestellung einer größeren Menge, wird diese zur verfügbaren Menge geändert. Hersteller: ALPHA & OMEG...
Alpha & Omega Semiconductor
AON6998
ab € 0,48*
pro Stück
 
 Stück
Infineon IPF042N10NF2SATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET Transistor 100 V / 139 A PG-TO263-7 (1 Angebot) 
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 139 A Drain-Source-Spannung max. = 100 V Gehäusegröße = PG-TO263-7 Montage-Typ = SMD
Infineon
IPF042N10NF2SATMA1
ab € 1,49*
pro Stück
 
 Stück
Transistor: N-MOSFET x2; IntelliFET™; unipolar; 60V; 2,8A; 1,16W (1 Angebot) 
Hersteller: DIODES INCORPORATED Montage: SMD Gehäuse: SM8 Drain-Source Spannung: 60V Drainstrom: 2,8A Widerstand im Leitungszustand: 0,1Ω Transistor-Typ: N-MOSFET x2 Verlustleistung: 1,16W Polarisi...
Diodes
ZXMS6006DT8TA
ab € 0,88*
pro Stück
 
 Stück
Infineon IPB055N08NF2SATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET Transistor 80 V / 94 A PG-TO263-3 (1 Angebot) 
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 94 A Drain-Source-Spannung max. = 80 V Gehäusegröße = PG-TO263-3 Montage-Typ = SMD
Infineon
IPB055N08NF2SATMA1
ab € 1,10*
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 Stück
Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 100V; 75A; doppelte serielle (1 Angebot) 
Hersteller: IXYS Montage: THT Gehäuse: ISOPLUS i4-pac™ x024a Struktur des Halbleiters: doppelte serielle Bereitschaftszeit: 300ns Drain-Source Spannung: 100V Drainstrom: 75A Widerstand im Leitungsz...
IXYS
FMM75-01F
ab € 14,60*
pro Stück
 
 Stück
Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 100V; 2,7A; 31W; SO8 (1 Angebot) 
Hersteller: ONSEMI Montage: SMD Gehäuse: SO8 Drain-Source Spannung: 100V Drainstrom: 2,7A Widerstand im Leitungszustand: 182mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET x2 Verlustleistung: 31W Polarisierung: unipol...
onsemi
FDS89161LZ
ab € 0,65*
pro Stück
 
 Stück
Infineon IPB050N10NF2SATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET Transistor 100 V / 103 A PG-TO263-3 (1 Angebot) 
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 103 A Drain-Source-Spannung max. = 100 V Gehäusegröße = PG-TO263-3 Montage-Typ = SMD
Infineon
IPB050N10NF2SATMA1
ab € 1,16*
pro Stück
 
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