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  Transistor  (22 857 Angebote unter 17 593 760 Artikeln)Zum Expertenwissen

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"Transistor"

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Transistor: N-JFET/N-MOSFET; SiC; unipolar; Kaskoden-; 650V; 40A (1 Angebot) 
Hersteller: Qorvo (UnitedSiC) Montage: THT Gehäuse: TO247-3 Drain-Source Spannung: 650V Drainstrom: 40A Widerstand im Leitungszustand: 42mΩ Transistor-Typ: N-JFET/N-MOSFET Verlustleistung: 326W Pol...
Qorvo (UnitedSiC)
UF3C065040K3S
ab € 33,65*
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 Stück
Infineon IGBT-Modul / 900 A ±20V max. Dual, 1200 V 5,1 kW (1 Angebot) 
Dauer-Kollektorstrom max. = 900 A Kollektor-Emitter-Spannung = 1200 V Gate-Source Spannung max. = ±20V Anzahl an Transistoren = 2
Infineon
FF900R12IP4BOSA2
ab € 583,11*
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Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 3,6A; 1W; TSSOP8 (1 Angebot) 
Hersteller: VISHAY Montage: SMD Gehäuse: TSSOP8 Drain-Source Spannung: 20V Drainstrom: 3,6A Widerstand im Leitungszustand: 43mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET x2 Verlustleistung: 1W Polarisierung: unipol...
Vishay
SI6926ADQ-T1-E3
ab € 0,80*
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 Stück
Transistor: N-JFET/N-MOSFET; SiC; unipolar; Kaskoden-; 650V; 23A (1 Angebot) 
Hersteller: Qorvo (UnitedSiC) Montage: THT Gehäuse: TO247-3 Drain-Source Spannung: 650V Drainstrom: 23A Widerstand im Leitungszustand: 80mΩ Transistor-Typ: N-JFET/N-MOSFET Verlustleistung: 190W Pol...
Qorvo (UnitedSiC)
UJ3C065080K3S
ab € 6,04*
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 Stück
Infineon IGBT-Modul 5.7V max., 2 V 833 W, 3-Pin PG-TO247-3 N-Kanal (1 Angebot) 
Kollektor-Emitter-Spannung = 2 V Gate-Source Spannung max. = 5.7V Verlustleistung max. = 833 W Gehäusegröße = PG-TO247-3 Channel-Typ = N Pinanzahl = 3 Transistor-Konfiguration = Einfach Der Infineo...
Infineon
AIKQ120N60CTXKSA1
ab € 9,70*
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Transistor: N-JFET; unipolar; 0,35W; SOT23; 50mA (3 Angebote) 
Hersteller: ONSEMI Montage: SMD Gehäuse: SOT23 Gatestrom: 50mA Transistor-Typ: N-JFET Verlustleistung: 0,35W Polarisierung: unipolar Verpackungs-Art: Band;Rolle Gate-Source Spannung: -40V
onsemi
MMBF5103
ab € 0,0708*
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Infineon IGBT-Modul / 28 A +/-20V max. 7-fach, 1200 V 130 W (1 Angebot) 
Dauer-Kollektorstrom max. = 28 A Kollektor-Emitter-Spannung = 1200 V Gate-Source Spannung max. = +/-20V Verlustleistung max. = 130 W
Infineon
FP15R12W1T4BOMA1
ab € 38,63*
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Transistor: N-JFET/N-MOSFET; SiC; unipolar; Kaskoden-; 650V; 62A (1 Angebot) 
Hersteller: Qorvo (UnitedSiC) Montage: THT Gehäuse: TO220-3 Drain-Source Spannung: 650V Drainstrom: 62A Widerstand im Leitungszustand: 27mΩ Transistor-Typ: N-JFET/N-MOSFET Verlustleistung: 441W Pol...
Qorvo (UnitedSiC)
UJ3C065030T3S
ab € 27,35*
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Infineon IGBT-Modul / 950 A ±20V max. 6-fach, 750 V 870 W HybridPACK (1 Angebot) 
Dauer-Kollektorstrom max. = 950 A Kollektor-Emitter-Spannung = 750 V Gate-Source Spannung max. = ±20V Verlustleistung max. = 870 W Gehäusegröße = HybridPACK
Infineon
FS950R08A6P2BBPSA1
ab € 546,66*
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Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 4A; Idm: 24A; 1,6W; SOP8 (1 Angebot) 
Hersteller: BRIDGELUX Montage: SMD Gehäuse: SOP8 Drain-Source Spannung: 20V Drainstrom: 4A Widerstand im Leitungszustand: 38mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET x2 Verlustleistung: 1,6W Polarisierung: unipo...
Bridgelux
BXT280N02B
ab € 0,0861*
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 Stück
Transistor: N-JFET/N-MOSFET; SiC; unipolar; Kaskoden-; 650V; 47A (1 Angebot) 
Hersteller: Qorvo (UnitedSiC) Montage: SMD Gehäuse: D2PAK Drain-Source Spannung: 650V Drainstrom: 47A Widerstand im Leitungszustand: 27mΩ Transistor-Typ: N-JFET/N-MOSFET Verlustleistung: 250W Polar...
Qorvo (UnitedSiC)
UJ3C065030B3
ab € 33,03*
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 Stück
Infineon IGBT-Transistormodul / 30 A ±20V max., 650 V 105 W PG-TO220-3 (1 Angebot) 
Dauer-Kollektorstrom max. = 30 A Kollektor-Emitter-Spannung = 650 V Gate-Source Spannung max. = ±20V Verlustleistung max. = 105 W Gehäusegröße = PG-TO220-3
Infineon
IKP15N65H5XKSA1
ab € 1,59*
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Transistor: N-JFET; unipolar; 15V; 50mA; 0,2W; SOT23; Igt: 10mA (2 Angebote) 
Hersteller: ONSEMI Montage: SMD Gehäuse: SOT23 Gatestrom: 10mA Drain-Source Spannung: 15V Drainstrom: 50mA Transistor-Typ: N-JFET Verlustleistung: 0,2W Polarisierung: unipolar Verpackungs-Art: Band...
onsemi
2SK932-23-TB-E
ab € 0,20*
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Infineon IGBT-Modul / 295 A +/-20V max., 1200 V 1,05 kW Modul (1 Angebot) 
Dauer-Kollektorstrom max. = 295 A Kollektor-Emitter-Spannung = 1200 V Gate-Source Spannung max. = +/-20V Verlustleistung max. = 1,05 kW Gehäusegröße = Modul Montage-Typ = Tafelmontage
Infineon
FD200R12KE3HOSA1
ab € 115,16*
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 Stück
Transistor: N-JFET; unipolar; 0,35W; SOT23; 50mA (3 Angebote) 
Hersteller: ONSEMI Montage: SMD Gehäuse: SOT23 Gatestrom: 50mA Widerstand im Leitungszustand: 100Ω Transistor-Typ: N-JFET Verlustleistung: 0,35W Polarisierung: unipolar Verpackungs-Art: Band;Rolle ...
onsemi
MMBFJ113
ab € 0,0711*
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