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"Transistor"

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Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 5A; 43W; DPAK (4 Angebote) 
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES Montage: SMD Gehäuse: DPAK Drain-Source Spannung: 200V Drainstrom: 5A Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 43W Polarisierung: unipolar Verpackungs-Art: Rolle ...
Infineon
IRFR220NTRLPBF
ab € 0,229*
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 Stück
Infineon IPP320N20N3 G Transistor 200 V (4 Angebote)
Infineon
IPP320N20N3GXKSA1
ab € 1,495*
pro Stück
 
 Stück
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 11A; 125W; D2PAK,TO263 (2 Angebote) 
Hersteller: VISHAY Montage: SMD Gehäuse: D2PAK;TO263 Drain-Source Spannung: 200V Drainstrom: 11A Widerstand im Leitungszustand: 0,18Ω Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 125W Polarisierung: u...
Vishay
IRL640SPBF
ab € 0,91*
pro Stück
 
 Stück
Infineon IRFB4227 Transistor 200 V (5 Angebote)
Infineon
IRFB4227PBF
ab € 1,4171*
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 Stück
Infineon IRFS4020 Transistor 25 V (4 Angebote)
Infineon
IRFS4020TRLPBF
ab € 0,71*
pro Stück
 
 Stück
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 11A; 125W; TO220AB (5 Angebote) 
Hersteller: VISHAY Montage: THT Gehäuse: TO220AB Drain-Source Spannung: 200V Drainstrom: 11A Widerstand im Leitungszustand: 0,18Ω Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 125W Polarisierung: unipo...
Vishay
IRF640PBF
ab € 0,45*
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 Stück
ROHM QSZ4TR SMD, NPN/PNP Transistor Dual 30 V / 2 A 100 MHz, SOT-25 5-Pin (1 Angebot) 
Transistor-Typ = NPN/PNP DC Kollektorstrom max. = 2 A Kollektor-Emitter-Spannung = 30 V Gehäusegröße = SOT-25 Montage-Typ = SMD Verlustleistung max. = 1,25 W Transistor-Konfiguration = Isoliert Kol...
ROHM Semiconductor
QSZ4TR
ab € 3,05*
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Infineon IRFB4020 Transistor 25 V (5 Angebote)
Infineon
IRFB4020PBF
ab € 0,68*
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 Stück
STMicroelectronics BD438 SMD, PNP Transistor –45 V / -4 A 3 MHz, SOT-32 3-Pin (1 Angebot) 
Transistor-Typ = PNP DC Kollektorstrom max. = -4 A Kollektor-Emitter-Spannung = –45 V Gehäusegröße = SOT-32 Montage-Typ = SMD Verlustleistung max. = 36 W Gleichstromverstärkung min. = 40 Transistor...
ST Microelectronics
BD438
ab € 10,14*
pro 50 Stück
 
 Packung
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 4,8A; Idm: 19A; 42W (2 Angebote) 
Hersteller: VISHAY Montage: THT Gehäuse: IPAK;TO251 Drain-Source Spannung: 200V Drainstrom: 4,8A Widerstand im Leitungszustand: 0,8Ω Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 42W Polarisierung: uni...
Vishay
IRFU220PBF
ab € 0,30*
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 Stück
ROHM VT6T1T2R SMD, PNP Transistor Dual –20 V / –200 mA, VT6T1 6-Pin (1 Angebot) 
Transistor-Typ = PNP DC Kollektorstrom max. = –200 mA Kollektor-Emitter-Spannung = –20 V Gehäusegröße = VT6T1 Montage-Typ = SMD Gleichstromverstärkung min. = 120 Pinanzahl = 6 Anzahl der Elemente p...
ROHM Semiconductor
VT6T1T2R
ab € 564,72*
pro 8.000 Stück
 
 Packung
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 23,4A; 37W; TO220FP (3 Angebote) 
Hersteller: ONSEMI Montage: THT Gehäuse: TO220FP Drain-Source Spannung: 200V Drainstrom: 23,4A Widerstand im Leitungszustand: 66mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 37W Polarisierung: unipo...
onsemi
FDPF39N20
ab € 0,84741*
pro Stück
 
 Stück
ROHM VT6X12T2R SMD, NPN Transistor Dual 50 V / 100 mA, VT6X12 6-Pin (1 Angebot) 
Transistor-Typ = NPN DC Kollektorstrom max. = 100 mA Kollektor-Emitter-Spannung = 50 V Gehäusegröße = VT6X12 Montage-Typ = SMD Gleichstromverstärkung min. = 120 Pinanzahl = 6 Anzahl der Elemente pr...
ROHM Semiconductor
VT6X12T2R
ab € 734,40*
pro 8.000 Stück
 
 Packung
ROHM IGBT / 85 A ±30V max. , 650 V 277 W To-247GE (1 Angebot) 
Dauer-Kollektorstrom max. = 85 A Kollektor-Emitter-Spannung = 650 V Gate-Source Spannung max. = ±30V Verlustleistung max. = 277 W Gehäusegröße = To-247GE
ROHM Semiconductor
RGTH00TS65DGC13
ab € 2.180,844*
pro 600 Stück
 
 Packung
Semelab 2N2222ADCSM SMD, NPN Transistor Dual 50 V / 800 mA 250 MHz, LCC 2 6-Pin (1 Angebot) 
Transistor-Typ = NPN DC Kollektorstrom max. = 800 mA Kollektor-Emitter-Spannung = 50 V Gehäusegröße = LCC 2 Montage-Typ = SMD Verlustleistung max. = 500 mW Transistor-Konfiguration = Isoliert Kolle...
Semelab
2N2222ADCSM
ab € 3.099,93*
pro 100 Stück
 
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