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  Transistor  (10.577 Angebote unter 17.393.741 Artikeln)Zum Expertenwissen

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"Transistor"

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DIODES INC. BCX5616TC TRANSISTOR NPN, 80V, 1A, 150°C, 2W (1 Angebot) 
Produktpalette: BCX56 MSL: MSL 1 - unbegrenzt Anzahl der Pins: 3 Pin(s) Transistormontage: Oberflächenmontage Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 150 MHz Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80 V...
Diodes
BCX5616TC
ab € 0,05377*
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Modul: IGBT; Diode/Transistor; buck chopper; Urmax: 1,2kV; Ic: 400A (1 Angebot) 
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES Gehäuse: AG-62MM-1 Rückspannung max.: 1,2kV Struktur des Halbleiters: Diode/Transistor Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 400A Kollektorstrom i...
Infineon
DF400R12KE3HOSA1
ab € 126,09*
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 Stück
DIODES INC. DGTD65T15H2TF IGBT, 1FACH, 650V, 30A, ITO-220AB (2 Angebote) 
Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650 V Bauform - Transistor: ITO-220AB Betriebstemperatur, max.: 175 °C Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65 V Kontinuierlicher Kollektorstr...
Diodes
DGTD65T15H2TF
ab € 0,78533*
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 Stück
Diotec Transistor (BJT) - diskret MPSA56BK TO-92BK PNP (1 Angebot) 
Hinweise: + Abbildung ähnlich
Diotec
MPSA56BK
ab € 0,0492*
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 Stück
10er Pack ON Semiconductor Transistor (BJT) - diskret BD13510STU TO-126 Anzahl Kanäle 1 NPN (5 Angebote) 
10er Pack ON Semiconductor Transistor (BJT) - diskret BD13510STU TO-126 Anzahl Kanäle 1 NPN Typ: BD13510STU Gehäuse: TO-126 Hersteller: ON Semiconductor Herst.-Abk.: OnS Kategorie: Transistor (BJT)...
onsemi
BD13510STU
ab € 0,257*
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 Paket
Modul: IGBT; Diode/Transistor; buck chopper; Urmax: 650V; Ic: 100A (1 Angebot) 
Hersteller: MICROCHIP (MICROSEMI) Gehäuse: SOT227B Rückspannung max.: 650V Struktur des Halbleiters: Diode/Transistor Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 100A Kollektorstrom im I...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT100GLQ65JU3
ab € 24,50*
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 Stück
Fuji Electric IGBT-Modul / 50 A ±20V max., 1200 V 280 W, 24-Pin M712 N-Kanal (1 Angebot) 
Dauer-Kollektorstrom max. = 50 A Kollektor-Emitter-Spannung = 1200 V Gate-Source Spannung max. = ±20V Verlustleistung max. = 280 W Gehäusegröße = M712 Montage-Typ = THT Channel-Typ = N Pinanzahl = ...
Fuji Electric
7MBR50VB-120-50
ab € 74,28*
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DIODES INC. DMC2053UFDB-7 TRANSISTOR MOSFET 2FACH 20V, U-DFN2020-6 (2 Angebote) 
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20 V Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4.6 A Produktpalette: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt Anzahl der Pins: 6 Pin(s) Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20 V Dauer-Drain...
Diodes
DMC2053UFDB-7
ab € 0,09045*
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Diotec Transistor (BJT) - diskret MPSA56 TO-92 PNP (1 Angebot) 
Hinweise: + Abbildung ähnlich
Diotec
MPSA56
ab € 0,0492*
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 Stück
Modul: IGBT; einzelner Transistor; Urmax: 600V; Ic: 140A; SOT227B (1 Angebot) 
Hersteller: IXYS Gehäuse: SOT227B Rückspannung max.: 0,6kV Struktur des Halbleiters: einzelner Transistor Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 140A Kollektorstrom im Impuls: 750A ...
IXYS
IXYN150N60B3
ab € 33,72*
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DIODES INC. DMC1018UPDWQ-13 TRANSISTOR, MOSFET, 2FACH, 12V, 25W (2 Angebote) 
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 12 V Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 31.3 A Produktpalette: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt Anzahl der Pins: 8 Pin(s) Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 12 V Dauer-Drai...
Diodes
DMC1018UPDWQ-13
ab € 0,26*
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 Stück
10er Pack ON Semiconductor Transistor (BJT) - diskret BD13816STU TO-126-3 Anzahl Kanäle 1 PNP (4 Angebote) 
10er Pack ON Semiconductor Transistor (BJT) - diskret BD13816STU TO-126-3 Anzahl Kanäle 1 PNP
onsemi
BD13816STU
ab € 0,29*
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 Paket
Infineon 2ED2106S06F, EVAL-M1-101T Evaluierungsplatine, EVAL-M1-2ED2106S IGBT-Gate-Ansteuerung (1 Angebot) 
Funktion für Stromüberwachungseinheiten = IGBT-Gate-Ansteuerung Zum Einsatz mit = Motorsteuerung und Antriebe Kit-Klassifizierung = Evaluierungsplatine Vorgestelltes Gerät = 2ED2106S06F, EVAL-M1-10...
Infineon
EVALM12ED2106STOBO1
ab € 248,51*
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DIODES INC. DMC2710UDWQ-7 TRANSISTOR MOSFET, 2FACH, 20V, SOT-363-6 (2 Angebote) 
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20 V Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 750 mA Produktpalette: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt Anzahl der Pins: 6 Pin(s) Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20 V Dauer-Drai...
Diodes
DMC2710UDWQ-7
ab € 0,0496*
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Modul: IGBT; Diode/Transistor; buck chopper; Urmax: 1,2kV; Ic: 40A (1 Angebot) 
Hersteller: IXYS Gehäuse: V1-A-Pack Rückspannung max.: 1,2kV Struktur des Halbleiters: Diode/Transistor Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 40A Kollektorstrom im Impuls: 105A Anw...
IXYS
VUB72-12NOXT
ab € 33,21*
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