Transistor  (10.577 Angebote unter 17.393.897 Artikeln)Zum Expertenwissen

10er Pack STMicroelectronics Transistor (BJT) - diskret BD437 SOT-32-3 Anzahl Kanäle 1 NPN Typ: BD437 Gehäuse: SOT-32-3 Hersteller: STMicroelectronics Herst.-Abk.: STM Kategorie: Transistor (BJT) -...

Hersteller: MICROCHIP (MICROSEMI) Gehäuse: SOT227B Rückspannung max.: 1,2kV Struktur des Halbleiters: einzelner Transistor Gate - Emitter Spannung: ±30V Kollektor-Emitter-Strom: 34A Kollektorstrom ...

Bezeichnung=Universal-Transistor, Typ=BC859CE6327HTSA1, Basis-Emitter-Sättigungsspannung max. (Vbe(sat))=850 mV, Betriebstemperatur, max.=150 °C, Betriebstemperatur, min.=-999, Emitter-Basis-Spannu...

Kit-Klassifizierung = Evaluierungsplatine Vorgestelltes Gerät = 7th Generation of TRENCHSTOPTM IGBT Kit-Name = 650 V TRENCHSTOP™ IGBT 7 T7 evaluation board

Hersteller: IXYS Gehäuse: SOT227B Rückspannung max.: 650V Struktur des Halbleiters: einzelner Transistor Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 110A Kollektorstrom im Impuls: 650A V...

Bezeichnung=Universal-Transistor, Typ=SMBT2907AE6327HTSA1, Basis-Emitter-Sättigungsspannung max. (Vbe(sat))=2.6 V, Betriebstemperatur, max.=150 °C, Betriebstemperatur, min.=-999, Emitter-Basis-Span...

Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20 V Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.2 A Produktpalette: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt Anzahl der Pins: 6 Pin(s) Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20 V Dauer-Drain...

5er Pack ON Semiconductor Transistor (BJT) - diskret BD809 TO-220AB Anzahl Kanäle 1 NPN Typ: BD809 Gehäuse: TO-220AB Hersteller: ON Semiconductor Kategorie: Transistor (BJT) - diskret Kanäle: 1 Aus...

Hersteller: IXYS Gehäuse: SOT227B Rückspannung max.: 0,6kV Struktur des Halbleiters: einzelner Transistor Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 98A Kollektorstrom im Impuls: 440A V...

3er Pack ON Semiconductor Transistor (BJT) - diskret BD810G TO-220AB Anzahl Kanäle 1 PNP ON Semiconductor Transistor (BJT) - diskret BD810G TO-220AB Anzahl Kanäle 1 PNP Typ: BD810G Gehäuse: TO-220A...

Hersteller: IXYS Gehäuse: SOT227B Rückspannung max.: 1,2kV Struktur des Halbleiters: einzelner Transistor Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 46A Kollektorstrom im Impuls: 380A V...

Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60 V Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 44 A Produktpalette: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt Anzahl der Pins: 8 Pin(s) Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60 V Dauer-Drains...

ON Semiconductor Transistor (BJT) - diskret BSS63 SOT-23 Anzahl Kanäle 1 PNP NF-Transistor PNP-Transistor Technische Daten: Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): PNP · Collector-Strom I(C):...

Hinweise: + Abbildung ähnlich

Hersteller: YANGJIE TECHNOLOGY Gehäuse: C2 62mm Rückspannung max.: 1,2kV Struktur des Halbleiters: Transistor/Transistor Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 200A Kollektorstrom i...