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  Transistor  (10.576 Angebote unter 17.394.589 Artikeln)Zum Expertenwissen

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"Transistor"

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Transistor: IGBT; 1,1kV; 30A; 166W; TO247-3 (1 Angebot) 
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES Montage: THT Gehäuse: TO247-3 Kollektor-Emitter-Spannung: 1,1kV Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 30A Kollektorstrom im Impuls: 90A Ausschaltz...
Infineon
IHW30N110R3FKSA1
ab € 3,04*
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DIODES INC. DXTN22040DFGQ-7 BIPOLARTRANSISTOR, 40V, 2A, 2.3W (2 Angebote) 
Produktpalette: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt Anzahl der Pins: 8 Pin(s) Transistormontage: Oberflächenmontage Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 198 MHz Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40 V Bet...
Diodes
DXTN22040DFGQ-7
ab € 0,20*
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Modul: IGBT; Transistor/Transistor; IGBT Halbbrücke; Urmax: 600V (1 Angebot) 
Hersteller: POWERSEM Gehäuse: ECO-PAC 2 Rückspannung max.: 0,6kV Struktur des Halbleiters: Transistor/Transistor Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 63A Kollektorstrom im Impuls:...
Powersem
PSI 100/06
ab € 30,96*
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DIODES INC. FCX558TA TRANSISTOR, PNP, 400V, 0.2A, SOT89 (2 Angebote) 
Produktpalette: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt Anzahl der Pins: 3 Pin(s) Transistormontage: Oberflächenmontage Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 50 MHz Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 400 V Bet...
Diodes
FCX558TA
ab € 0,165*
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Modul: IGBT; einzelner Transistor; Urmax: 600V; Ic: 98A; SOT227B (1 Angebot) 
Hersteller: IXYS Gehäuse: SOT227B Rückspannung max.: 0,6kV Struktur des Halbleiters: einzelner Transistor Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 98A Kollektorstrom im Impuls: 1kA Ve...
IXYS
IXXN200N60C3H1
ab € 42,59*
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DiodesZetex ZXTP19060CFFTA SMD, PNP Transistor –60 V / -4 A 180 MHz, SOT-23F 3-Pin (1 Angebot) 
Transistor-Typ = PNP DC Kollektorstrom max. = -4 A Kollektor-Emitter-Spannung = –60 V Gehäusegröße = SOT-23F Montage-Typ = SMD Verlustleistung max. = 2 W Gleichstromverstärkung min. = 200 Transisto...
Diodes
ZXTP19060CFFTA
ab € 0,41*
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DIODES INC. DXTP03060BFG-7 TRANSISTOR, PNP, 60V, 5.5A, 175°C, 3.4W (2 Angebote) 
Produktpalette: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt Anzahl der Pins: 8 Pin(s) Transistormontage: Oberflächenmontage Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 120 MHz Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60 V Bet...
Diodes
DXTP03060BFG-7
ab € 0,17781*
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3er Pack ON Semiconductor Transistor (BJT) - diskret TIP35CG TO-247 Anzahl Kanäle 1 NPN (3 Angebote) 
3er Pack ON Semiconductor Transistor (BJT) - diskret TIP35CG TO-247 Anzahl Kanäle 1 NPN Typ: TIP35CG Gehäuse: TO-247 Hersteller: ON Semiconductor Herst.-Abk.: OnS Kategorie: Transistor (BJT) - disk...
onsemi
TIP35CG
ab € 1,41*
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DIODES INC. FCX658ATA TRANSISTOR, NPN, 400V, 0.5A, SOT89 (1 Angebot) 
Produktpalette: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt Anzahl der Pins: 3 Pin(s) Transistormontage: Oberflächenmontage Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 50 MHz Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 400 V Bet...
Diodes
FCX658ATA
ab € 0,18266*
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Transistor: IGBT; 1,2kV; 11A; 60W; TO247-3 (1 Angebot) 
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES Montage: THT Gehäuse: TO247-3 Kollektor-Emitter-Spannung: 1,2kV Kollektor-Emitter-Strom: 11A Transistor-Typ: IGBT Verlustleistung: 60W Verpackungs-Art: Tube
Infineon
IRG4PH20KPBF
ab € 1,73*
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DIODES INC. DXTP03100BFG-7 TRANSISTOR, PNP, 100V, 5A, 175°C, 3.4W (2 Angebote) 
Produktpalette: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt Anzahl der Pins: 8 Pin(s) Transistormontage: Oberflächenmontage Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 125 MHz Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100 V Be...
Diodes
DXTP03100BFG-7
ab € 0,18363*
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Transistor: IGBT; 1,25kV; 20A; 259W; TO247-3 (1 Angebot) 
Hersteller: STMicroelectronics Montage: THT Gehäuse: TO247-3 Kollektor-Emitter-Spannung: 1,25kV Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 20A Kollektorstrom im Impuls: 80A Transistor-T...
ST Microelectronics
STGW20IH125DF
ab € 2,15*
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STMicroelectronics Transistor (BJT) - diskret BD239C TO-220 Anzahl Kanäle 1 NPN (4 Angebote) 
STMicroelectronics Transistor (BJT) - diskret BD239C TO-220 Anzahl Kanäle 1 NPN Transistor Technische Daten: Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): NPN · Collector-Strom I(C): 2 A · DC Strom...
ST Microelectronics
BD239C
ab € 0,197*
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Modul: IGBT; einzelner Transistor; Urmax: 650V; Ic: 110A; SOT227B (1 Angebot) 
Hersteller: IXYS Gehäuse: SOT227B Rückspannung max.: 650V Struktur des Halbleiters: einzelner Transistor Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 110A Kollektorstrom im Impuls: 470A V...
IXYS
IXXN110N65C4H1
ab € 24,09*
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DiodesZetex ZXTP25040DFHTA SMD, PNP Transistor –40 V / –3 A 270 MHz, SOT-23 3-Pin (2 Angebote) 
Transistor-Typ = PNP DC Kollektorstrom max. = –3 A Kollektor-Emitter-Spannung = –40 V Gehäusegröße = SOT-23 Montage-Typ = SMD Verlustleistung max. = 1,81 W Gleichstromverstärkung min. = 300 Transis...
Diodes
ZXTP25040DFHTA
ab € 0,21*
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