Transistor  (10.576 Angebote unter 17.394.634 Artikeln)Zum Expertenwissen

ON Semiconductor Transistor (BJT) - diskret BC808-40 SOT-23-3 Anzahl Kanäle 1 PNP Tape cut NF-Transistor PNP-Transistor Technische Daten: Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): PNP · Collect...

Achtung! Das Produkt steht nur in der im Lagerbestand verfügbaren Menge zum Verkauf. Im Fall der Bestellung einer größeren Menge, wird diese zur verfügbaren Menge geändert. Hersteller: IXYS Gehäuse...

Bezeichnung=IGBT, Typ=IKW30N65H5XKSA1, Betriebstemperatur, max.=175 °C, Betriebstemperatur, min.=-40 °C, Emitter-Leckstrom=100 nA, Kollektor-Emitter-Spannung (Vceo)=650 V, Kollektor-Emitter-Sättigu...

Funktion für Stromüberwachungseinheiten = IGBT-Gate-Ansteuerung Kit-Klassifizierung = Evaluierungsplatine Vorgestelltes Gerät = 1EDI60I12AF, IKW50N65F5 Kit-Name = EVAL-1EDI60I12AF

Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20 V Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 7 A Produktpalette: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt Anzahl der Pins: 6 Pin(s) Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20 V Dauer-Drainst...

10er Pack ON Semiconductor Transistor (BJT) - diskret BD241CTU TO-220 Anzahl Kanäle 1 NPN Typ: BD241CTU Gehäuse: TO-220 Hersteller: ON Semiconductor Herst.-Abk.: OnS Kategorie: Transistor (BJT) - d...

Hersteller: IXYS Gehäuse: SOT227B Rückspannung max.: 0,6kV Struktur des Halbleiters: einzelner Transistor Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 160A Kollektorstrom im Impuls: 1kA V...

Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100 V Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 270 mA Produktpalette: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt Anzahl der Pins: 6 Pin(s) Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 100 V Dauer-Dr...

10er Pack ON Semiconductor Transistor (BJT) - diskret BD675 TO-225AA Anzahl Kanäle 1 NPN - Darlington Hinweis: Hersteller SIE = INF, HAR = FSC, MOT = ONS.

25er Pack ON Semiconductor Transistor (BJT) - diskret BD13616STU TO-126 Anzahl Kanäle 1 PNP Typ: BD13616STU Gehäuse: TO-126 Hersteller: ON Semiconductor Herst.-Abk.: OnS Kategorie: Transistor (BJT)...

Funktion für Stromüberwachungseinheiten = IGBT-Gate-Ansteuerung Zum Einsatz mit = E-Gabelstapler, E-Roller Kit-Klassifizierung = Evaluierungsplatine Vorgestelltes Gerät = 2EDL05I06PF Kit-Name = EVA...

Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20 V Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4.6 A Produktpalette: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt Anzahl der Pins: 6 Pin(s) Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20 V Dauer-Drain...

Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES Gehäuse: AG-ECONO3-3 Rückspannung max.: 1,2kV Struktur des Halbleiters: Diode/Transistor Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 75A Kollektorstrom ...

Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20 V Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 9.3 A Produktpalette: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt Anzahl der Pins: 6 Pin(s) Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20 V Dauer-Drain...

Hersteller: IXYS Gehäuse: SOT227B Rückspannung max.: 1,2kV Struktur des Halbleiters: einzelner Transistor Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 120A Kollektorstrom im Impuls: 700A ...