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  Transistor  (10.578 Angebote unter 17.393.517 Artikeln)Zum Expertenwissen

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"Transistor"

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Modul: IGBT; einzelner Transistor; Urmax: 1,2kV; Ic: 120A; SOT227B (1 Angebot) 
Hersteller: IXYS Gehäuse: SOT227B Rückspannung max.: 1,2kV Struktur des Halbleiters: einzelner Transistor Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 120A Kollektorstrom im Impuls: 700A ...
IXYS
IXYN120N120C3
ab € 32,20*
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 Stück
Infineon 2EDL23I06PJ Evaluierungsplatine, EVAL-2EDL23I06PJ IGBT-Gate-Ansteuerung (1 Angebot) 
Funktion für Stromüberwachungseinheiten = IGBT-Gate-Ansteuerung Zum Einsatz mit = Klimaanlagen, Antriebe, Lüfter, Pumpen Kit-Klassifizierung = Evaluierungsplatine Vorgestelltes Gerät = 2EDL23I06PJ ...
Infineon
EVAL2EDL23I06PJTOBO1
ab € 74,49*
pro Stück
 
 Stück
DIODES INC. DMN2710UDW-7 TRANSISTOR MOSFET, 2FACH, 20V, SOT-363-6 (2 Angebote) 
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20 V Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 800 mA Produktpalette: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt Anzahl der Pins: 6 Pin(s) Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20 V Dauer-Drai...
Diodes
DMN2710UDW-7
ab € 0,06813*
pro Stück
 
 Packung
10er Pack ON Semiconductor Transistor (BJT) - diskret TIP41CTU TO-220-3 Anzahl Kanäle 1 NPN (3 Angebote) 
10er Pack ON Semiconductor Transistor (BJT) - diskret TIP41CTU TO-220-3 Anzahl Kanäle 1 NPN
onsemi
TIP41CTU
ab € 0,51*
pro Stück
 
 Paket
Modul: IGBT; einzelner Transistor; Urmax: 600V; Ic: 98A; SOT227B (1 Angebot) 
Hersteller: IXYS Gehäuse: SOT227B Rückspannung max.: 0,6kV Struktur des Halbleiters: einzelner Transistor Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 98A Kollektorstrom im Impuls: 1kA Ve...
IXYS
IXXN200N60B3H1
ab € 31,98*
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 Stück
Universal-Transistor, NPN, 45V, SC-59 (2 Angebote) 
Bezeichnung=Universal-Transistor, Typ=BCX70KE6327HTSA1, Basis-Emitter-Sättigungsspannung max. (Vbe(sat))=1 V, Betriebstemperatur, max.=150 °C, Betriebstemperatur, min.=-999, Emitter-Basis-Spannung ...
Infineon
BCX70KE6327HTSA1
ab € 0,03077*
pro Stück
 
 Stück
DIODES INC. DMN61D9UDWQ-7 TRANSISTOR MOSFET, 2FACH, 60V, SOT-363-6 (2 Angebote) 
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60 V Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 318 mA Produktpalette: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt Anzahl der Pins: 6 Pin(s) Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60 V Dauer-Drai...
Diodes
DMN61D9UDWQ-7
ab € 0,03969*
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 Stück
10er Pack STMicroelectronics Transistor (BJT) - Arrays ULN2001A DIP-16 Anzahl Kanäle 7 NPN - Darlington (4 Angebote) 
10er Pack STMicroelectronics Transistor (BJT) - Arrays ULN2001A DIP-16 Anzahl Kanäle 7 NPN - Darlington Typ: ULN2001A Gehäuse: DIP-16 Hersteller: STMicroelectronics Herst.-Abk.: STM Kategorie: Tran...
ST Microelectronics
ULN2001A
ab € 0,207*
pro Stück
 
 Stück
Modul: IGBT; einzelner Transistor; Urmax: 600V; Ic: 52A; SOT227B (1 Angebot) 
Hersteller: IXYS Gehäuse: SOT227B Rückspannung max.: 0,6kV Struktur des Halbleiters: einzelner Transistor Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 52A Kollektorstrom im Impuls: 360A V...
IXYS
IXGN72N60C3H1
ab € 26,38*
pro Stück
 
 Stück
Universal-Transistor, NPN, 45V, SC-59 (3 Angebote) 
Bezeichnung=Universal-Transistor, Typ=BC847BE6327HTSA1, Basis-Emitter-Sättigungsspannung max. (Vbe(sat))=900 mV, Betriebstemperatur, max.=150 °C, Betriebstemperatur, min.=-999, Emitter-Basis-Spannu...
Infineon
BC847BE6327HTSA1
ab € 0,0305*
pro Stück
 
 Stück
Infineon 6ED2230S12T, FP15R12W1T4 Evaluierungsplatine, EVAL-M1-6ED2230-B1 IGBT-Gate-Ansteuerung (1 Angebot) 
Funktion für Stromüberwachungseinheiten = IGBT-Gate-Ansteuerung Zum Einsatz mit = Kompressoren, industrielle Antriebe Kit-Klassifizierung = Evaluierungsplatine Vorgestelltes Gerät = 6ED2230S12T, FP...
Infineon
EVALM16ED2230B1TOBO1
ab € 539,45*
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 Stück
DIODES INC. DMN3055LFDBQ-7 TRANSISTOR MOSFET 2FACH 30V, U-DFN2020-6 (2 Angebote) 
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30 V Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 5 A Produktpalette: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt Anzahl der Pins: 6 Pin(s) Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30 V Dauer-Drainst...
Diodes
DMN3055LFDBQ-7
ab € 0,12425*
pro Stück
 
 Stück
Vishay IGBT / 281 A ± 20V max. , 1200 V 1,09 kW, 4-Pin SOT-227 N-Kanal (2 Angebote) 
Dauer-Kollektorstrom max. = 281 A Kollektor-Emitter-Spannung = 1200 V Gate-Source Spannung max. = ± 20V Verlustleistung max. = 1,09 kW Gehäusegröße = SOT-227 Montage-Typ = Tafelmontage Channel-Typ ...
Vishay
VS-GT180DA120U
ab € 32,53*
pro Stück
 
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Universal-Transistor, NPN, 50V, SC-59 (2 Angebote) 
Bezeichnung=Universal-Transistor, Typ=BC847AE6327HTSA1, Basis-Emitter-Sättigungsspannung max. (Vbe(sat))=900 mV, Betriebstemperatur, max.=155 °C, Betriebstemperatur, min.=-999, Emitter-Basis-Spannu...
Infineon
BC847AE6327HTSA1
ab € 0,0264*
pro Stück
 
 Stück
DIODES INC. DMP2040UND-7 TRANSISTOR, MOSFET, 2FACH, 20V, 8 PINS (2 Angebote) 
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20 V Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 13.6 A Produktpalette: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt Anzahl der Pins: 8 Pin(s) Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20 V Dauer-Drai...
Diodes
DMP2040UND-7
ab € 0,18*
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