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  Schalttransistor  (23 154 Angebote unter 17 333 045 Artikeln)Zum Expertenwissen

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"Schalttransistor"

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Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1,7kV; 48A; Idm: 160A; 520W (1 Angebot) 
Hersteller: LUGUANG ELECTRONIC Montage: THT Gehäuse: TO247-4 Drain-Source Spannung: 1,7kV Drainstrom: 48A Widerstand im Leitungszustand: 90mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 520W Polarisi...
LUGUANG ELECTRONIC
LGE3M45170Q
ab € 38,00*
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 Stück
Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1,2kV; 60A; Idm: 200A; 370W (1 Angebot) 
Hersteller: LUGUANG ELECTRONIC Montage: THT Gehäuse: TO247-4 Drain-Source Spannung: 1,2kV Drainstrom: 60A Widerstand im Leitungszustand: 43mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 370W Polarisi...
LUGUANG ELECTRONIC
LGE3M25120Q
ab € 15,26*
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 Stück
Transistor: N-MOSFET; STripFET™ F7; unipolar; 100V; 70A; Idm: 320A (2 Angebote) 
Hersteller: STMicroelectronics Montage: SMD Gehäuse: D2PAK Drain-Source Spannung: 100V Drainstrom: 70A Widerstand im Leitungszustand: 8mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 150W Polarisierun...
ST Microelectronics
STB100N10F7
ab € 1,14*
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 Stück
Transistor: N-MOSFET; ThunderFET; unipolar; 125V; 24,8A; Idm: 50A (1 Angebot) 
Hersteller: VISHAY Montage: SMD Gehäuse: PowerPAK® 1212-8 Drain-Source Spannung: 125V Drainstrom: 24,8A Widerstand im Leitungszustand: 29,8mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 42,1W Polaris...
Vishay
SISS70DN-T1-GE3
ab € 0,69*
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 Stück
Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 13A; Idm: 48A; 75W (3 Angebote) 
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES Montage: THT Gehäuse: TO247-4 Drain-Source Spannung: 650V Drainstrom: 13A Widerstand im Leitungszustand: 139mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 75W Polari...
Infineon
IMZA65R107M1HXKSA1
ab € 4,17*
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 Stück
Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1,2kV; 71A; 428W; TO247-4 (1 Angebot) 
Hersteller: LUGUANG ELECTRONIC Montage: THT Gehäuse: TO247-4 Drain-Source Spannung: 1,2kV Drainstrom: 71A Widerstand im Leitungszustand: 39mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 428W Polarisi...
LUGUANG ELECTRONIC
LGE3M20120Q
ab € 16,38*
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 Stück
Transistor: N-MOSFET; STripFET™ H6; unipolar; 30V; 105A; Idm: 320A (1 Angebot) 
Hersteller: STMicroelectronics Montage: THT Gehäuse: TO220-3 Drain-Source Spannung: 30V Drainstrom: 105A Widerstand im Leitungszustand: 4,5mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 140W Polarisi...
ST Microelectronics
STP105N3LL
ab € 0,77*
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 Stück
Transistor: N-MOSFET; ThunderFET; unipolar; 200V; 15,6A; Idm: 25A (2 Angebote) 
Hersteller: VISHAY Montage: SMD Gehäuse: PowerPAK® 1212-8 Drain-Source Spannung: 200V Drainstrom: 15,6A Widerstand im Leitungszustand: 78mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 42,1W Polarisie...
Vishay
SISS94DN-T1-GE3
ab € 0,3398*
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 Stück
Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 21A; Idm: 52A; 103W; TO247 (3 Angebote) 
Hersteller: ROHM SEMICONDUCTOR Montage: THT Gehäuse: TO247 Drain-Source Spannung: 650V Drainstrom: 21A Widerstand im Leitungszustand: 156mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 103W Polarisier...
ROHM Semiconductor
SCT3120ALGC11
ab € 5,42*
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 Stück
Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1,2kV; 80A; Idm: 280A; 455W (1 Angebot) 
Hersteller: MICROCHIP (MICROSEMI) Montage: THT Gehäuse: TO247-4 Drain-Source Spannung: 1,2kV Drainstrom: 80A Widerstand im Leitungszustand: 22mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 455W Polar...
MICROCHIP (MICROSEMI)
MSC017SMA120B4
ab € 36,82*
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 Stück
Transistor: N-MOSFET; STripFET™ II; unipolar; 300V; 27A; Idm: 168A (2 Angebote) 
Hersteller: STMicroelectronics Montage: THT Gehäuse: TO220-3 Drain-Source Spannung: 300V Drainstrom: 27A Widerstand im Leitungszustand: 75mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 300W Polarisie...
ST Microelectronics
STP46NF30
ab € 1,3592*
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 Stück
Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 100V; 60A; Idm: 339A; 238W (1 Angebot) 
Hersteller: NEXPERIA Montage: SMD Gehäuse: SOT669;PowerSO8;LFPAK56 Drain-Source Spannung: 100V Drainstrom: 60A Widerstand im Leitungszustand: 33,1mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 238W P...
Nexperia
PSMN012-100YLX
ab € 1,06*
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 Stück
Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 26A; Idm: 120A; 74W (1 Angebot) 
Hersteller: ONSEMI Montage: THT Gehäuse: TO247-3 Drain-Source Spannung: 650V Drainstrom: 26A Widerstand im Leitungszustand: 68mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 74W Polarisierung: unipola...
onsemi
NTHL075N065SC1
ab € 5,86*
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 Stück
Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1,7kV; 3,7A; Idm: 9,2A; 35W (2 Angebote) 
Hersteller: ROHM SEMICONDUCTOR Montage: THT Gehäuse: TO3PFM Drain-Source Spannung: 1,7kV Drainstrom: 3,7A Widerstand im Leitungszustand: 1,5Ω Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 35W Polarisie...
ROHM Semiconductor
SCT2H12NZGC11
ab € 3,66*
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 Stück
Transistor: N-MOSFET; STripFET™ II; unipolar; 40V; 80A; Idm: 320A (1 Angebot) 
Hersteller: STMicroelectronics Montage: THT Gehäuse: TO220-3 Drain-Source Spannung: 40V Drainstrom: 80A Widerstand im Leitungszustand: 7mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 300W Polarisieru...
ST Microelectronics
STP150NF04
ab € 1,74*
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